1.本说明书公开的发明涉及阵列型电感器、包括该阵列型电感器的电路板、和包括该电路板的电子设备。
背景技术：
：：2.一直以来，人们已知包括多个电感器的阵列型电感器。在阵列型电感器中，多个电感器被封装在一个片(chip)中。3.以往的阵列型电感器，例如在日本特开2016-006830号公报(专利文献1)中有公开。专利文献1中公开的阵列型电感器包括：由磁性材料形成的基体；在该磁性基体内彼此绝缘地配置的多个内部导体；和与该多个内部导体各自的两端连接的多个外部电极，各内部导体构成为沿着绕各自的线圈轴线的周向延伸。4.现有技术文献5.专利文献6.专利文献1：日本特开2016-006830号公报技术实现要素：7.发明要解决的技术问题8.在具有多个电感器的阵列型电感器中，为了使各电感器的特性均匀，使得各电感器的内部导体彼此具有相同形状，并且，将各内部导体以相同的姿态在与线圈轴线垂直的排列方向上以均等的间隔配置。因此，配置在排列方向的一端的电感器与基体的一个表面之间的边缘(margin)，和配置在排列方向的另一端的另一个电感器与基体的另一个表面之间的边缘相等。9.与内部导体的一端连接的一个外部电极和与该内部导体的另一端连接的另一外部电极，在绕线圈轴线的周向上配置在彼此不同的位置，因此，内部导体的环绕部的圈数不是整数。因此，内部导体产生的磁通的分布，在线圈轴线的周围是不均匀的。也就是说，内部导体在绕线圈轴线的周向的一部分产生的磁通比在剩余部分产生的磁通多，因此，磁通的分布会产生空间上的不均匀。因此，在以往的阵列型电感器中，在排列方向的一端以与基体的一个表面相对的方式配置的电感器，在内部导体与该一个表面之间的区域会产生更多的磁通。因为该内部导体产生的磁通的分布的不均匀，在以往的阵列型电感器中，存在配置在排列方向的一端的电感器的电感低的问题。此外，当阵列型电感器包括彼此具有相同形状的3个以上的内部导体，且该3个以上的内部导体以在一个方向上排列的方式配置时，存在配置在两端的电感器的电感比配置在内侧的电感器的电感低的问题。10.如上所述，在以往的阵列型电感器中，为了使各电感器的特性一致，将彼此形状相同的电感器以彼此相同的姿态在基体内以均等的间隔配置，其结果是，存在反而无法确保电感的均匀性的问题。11.本说明书中记载的发明的目的之一，是解决或抑制以往的阵列型电感器中的问题。本说明书中记载的发明的更具体的目的之一，是在具有多个电感器的阵列型线圈部件中，提高各电感器的电感的均匀性。12.本说明书中公开的发明的上述目的以外的目的，通过参照本说明书整体将会变得明确。本说明书中公开的发明也可以不是解决上述的技术问题而是解决根据本说明书的记载可掌握的技术问题，或者除了上述的技术问题以外，还解决根据本说明书的记载可掌握的技术问题。13.用于解决技术问题的手段14.本发明的一个或多个实施方式的阵列型电感器包括：磁性基体，其具有第1面、与所述第1面相对的第2面、以及连接所述第1面和所述第2面的第3面；第1端内部导体；第2端内部导体；以至少与所述第3面接触的方式设置在所述磁性基体上的、与所述第1端内部导体的一端连接的第1外部电极；以至少与所述第3面接触的方式设置在所述磁性基体上的、与所述第1端内部导体的另一端连接的第2外部电极；以至少与所述第3面接触的方式设置在所述磁性基体上的、与所述第2端内部导体的一端连接的第3外部电极；和以至少与所述第3面接触的方式设置在所述磁性基体上的、与所述第2端内部导体的另一端连接的第4外部电极。第1端内部导体可以包括绕第1线圈轴线延伸的第1环绕部，所述第1环绕部具有多个第1第1导体部和与所述第1第1导体部交替地连接的、数量比所述第1第1导体部少的第1第2导体部，所述第1线圈轴线在与贯穿所述第1面和所述第2面的基准轴线垂直的方向上延伸。第1端内部导体可以配置成：在沿着所述基准轴线从所述第1面向所述第2面去的第1方向上，所述第1第1导体部以与所述第1面相对的方式配置在与所述第1面隔开第1端距离的位置。所述第2端内部导体可以包括绕第2线圈轴线延伸的第2环绕部，所述第2环绕部具有多个第2第1导体部和与所述第2第1导体部交替地连接的、数量比所述第2第1导体部少的第2第2导体部，所述第2线圈轴线在与所述第1线圈轴线平行的方向上延伸。所述第2端内部导体可以具有与所述第1端内部导体相同的形状，且配置成：在沿着所述基准轴线从所述第2面向所述第1面去的第2方向上，所述第2第2导体部以与所述第2面相对的方式配置在与所述第2面隔开比所述第1端距离小的第2端距离的位置。15.在本发明的一个或多个实施方式中，所述第1端内部导体与所述第2端内部导体相邻。可以是，在沿着所述基准轴线的方向上，所述第1端内部导体与所述第2端内部导体之间的距离小于所述第1端距离的2倍。在本发明的一个或多个实施方式中，可以是，在沿着所述基准轴线的方向上，所述第1端内部导体与所述第2端内部导体之间的距离小于所述第1端距离。16.本发明的一个或多个实施方式的阵列型电感器包括：中间内部导体组件，其具有至少一个中间内部导体，各个所述中间内部导体具有与所述第1端内部导体相同的形状；以至少与所述第3面接触的方式设置在所述磁性基体上的、与所述至少一个中间内部导体的一端连接的第5外部电极；和以至少与所述第3面接触的方式设置在所述磁性基体上的、与所述至少一个中间内部导体中的与所述第5外部电极连接的中间内部导体的另一端连接的第6外部电极。17.在本发明的一个或多个实施方式中，所述中间内部导体组件具有一个中间内部导体，所述一个中间内部导体在所述磁性基体内配置于在所述第1方向上与所述第1端内部导体隔开第1导体间距离、且在所述第2方向上与所述第2端内部导体隔开第2导体间距离的位置。18.在本发明的一个或多个实施方式中，所述中间内部导体中的第1中间内部导体在所述磁性基体内配置于在所述第1方向上与所述第1端内部导体隔开第1导体间距离的位置，所述中间内部导体中的第2中间内部导体在所述磁性基体内配置于在所述第2方向上与所述第2端内部导体隔开第2导体间距离的位置。19.在本发明的一个或多个实施方式中，所述第1导体间距离和所述第2导体间距离均大于所述第1端距离。可以是，所述第1导体间距离和所述第2导体间距离均小于所述第1端距离的2倍。也可以是，所述第1导体间距离和所述第2导体间距离均小于所述第1端距离。20.在本发明的一个或多个实施方式中，所述第1导体间距离与所述第2导体间距离相同。21.在本发明的一个或多个实施方式中，所述第1端内部导体的圈数为1.5以上3.5以下。22.在本发明的一个或多个实施方式中，所述磁性基体具有：所述第1端内部导体与所述第1面之间的第1边缘区域；所述第2端内部导体与所述第2面之间的第2边缘区域；所述磁性基体中的所述第1端内部导体与所述中间内部导体组件之间的第1导体间区域；和所述第2端内部导体与所述中间内部导体组件之间的第2导体间区域，所述第1边缘区域、所述第2边缘区域、所述第1导体间区域和所述第2导体间区域具有彼此相同的磁导率。23.本发明的一个或多个实施方式涉及包括上述的任一个阵列型电感器的电路板。24.本发明的一个或多个实施方式涉及包括上述的电路板的电子设备。附图说明25.图1是安装在安装基板上的本发明的一个实施方式的阵列型电感器的立体图。26.图2是图1的阵列型电感器的平面图。27.图3是图1的阵列型电感器的右侧面图。28.图4是图1的阵列型电感器的正面图。29.图5是示意性地表示图1的阵列型电感器的沿i-i线的截面的截面图。30.图6是安装在安装基板上的本发明的另一个实施方式的阵列型电感器的立体图。31.图7是示意性地表示图6的阵列型电感器的沿ii-ii线的截面的截面图。32.图8是本发明的另一个实施方式的阵列型电感器的立体图。33.图9是图8的阵列型电感器的平面图。34.图10是图8的阵列型电感器的右侧面图。35.图11是示意性地表示图8的阵列型电感器的沿iii-iii线的截面的截面图。36.图12是安装在安装基板上的本发明的另一个实施方式的阵列型电感器的立体图。37.图13是示意性地表示图12的阵列型电感器的沿iv-iv线的截面的截面图。38.图14是示意性地表示图12的阵列型电感器的沿iv-iv线的截面的截面图，磁性基体被分割为多个区域来表示。39.图15是示意性地表示以往的阵列型电感器的截面的图。40.图16是示意性地表示本发明的另一个实施方式的阵列型电感器的截面的截面图。41.图17是示意性地表示本发明的另一个实施方式的阵列型电感器的截面的截面图。42.图18是示意性地表示本发明的另一个实施方式的阵列型电感器的截面的截面图。43.图19是本发明的另一个实施方式的阵列型电感器的立体图。44.图20是示意性地表示图19的阵列型电感器的沿v-v线的截面的截面图。45.图21是本发明的另一个实施方式的阵列型电感器的立体图。46.图22是示意性地表示图21的阵列型电感器的沿vi-vi线的截面的截面图。47.图23是本发明的另一个实施方式的阵列型电感器的立体图。48.图24是安装在安装基板上的本发明的另一个实施方式的阵列型电感器的立体图。49.图25是图24的阵列型电感器的平面图。50.图26是示意性地表示图24的阵列型电感器的沿vii-vii线的截面的截面图。51.图27是本发明的另一个实施方式的阵列型电感器的立体图。52.图28是用于说明本发明的一个或多个实施方式的阵列型电感器中的内部导体的配置的示意图。53.图29是本发明的另一个实施方式的阵列型电感器的立体图。54.图30是本发明的另一个实施方式的阵列型电感器的立体图。55.图31是本发明的另一个实施方式的阵列型电感器的立体图。56.图32是本发明的另一个实施方式的阵列型电感器的立体图。57.图33是本发明的另一个实施方式的阵列型电感器的立体图。58.图34是示意性地表示图33的阵列型电感器的沿viii-viii线的截面的截面图。59.附图标记说明60.1、101、201、301、301α、301β、301γ、401、401α、501、701、801、801α、801β、801γ、901：阵列型电感器，61.10：基体，62.25a、25b、125a、125b、225a、225b、425a、425b、525a、525b：内部导体，63.25c、25c1、25c2、25c3、25cam、25cbn、125c、125c1、125c2、225c1、225c2、425c、525c：中间内部导体组件，64.21a、21b、21c、21c1、21c2、21ca1、22a、22b、22c、22c1、22c2、22ca1、221a、221b、221c1、221c2、222a、222b、222c1、222c2、521a、521b、521c、522a、522b、522c：外部电极，65.ax1：基准轴线。具体实施方式66.下面，适当参照附图对本发明的各种实施方式进行说明。对于多个附图中相同的构成要素，在该多个附图中标注相同的附图标记。需要注意的是，为了说明方便起见，各附图不一定是以准确的比例尺记载的。下面说明的本发明的实施方式并不是对权利要求书中的技术方案进行限定。在下面的实施方式中说明的各要素不一定是本发明的必要技术特征。67.参照图1～图5对本发明的一个或多个实施方式的阵列型电感器1进行说明。图1表示本发明的一个实施方式的阵列型电感器1的立体图。图2～图4分别是阵列型电感器1的平面图、右侧面图和正面图。在图2～图4中，为了图示内部导体的形状，透过基体图示了内部导体。图5是示意性地表示阵列型电感器1的沿着图1的i-i线的截面的截面图。在图2～图5中，为了说明方便起见，省略了外部电极的图示。68.在各图中记载有彼此正交的l轴、w轴和t轴。在本说明书中，除了从上下文来看另作他解的情况以外，阵列型电感器1的“长度”方向、“宽度”方向和“厚度”方向分别为图1中的l轴方向、w轴方向和t轴方向。69.如图所示，阵列型电感器1包括：基体10；配置在基体10内的多个内部导体；和与该多个内部导体各自的两端连接的多个外部电极。多个内部导体沿着l轴方向配置在彼此隔开间隔的位置。在图示的实施方式中，在基体10的内部设置有：配置在l轴方向的负侧的端部的内部导体25a；配置在l轴方向的正侧的端部的内部导体25b；和配置在该内部导体25a与内部导体25b之间的内部导体25c。可以在内部导体25a与内部导体25b之间增加设置内部导体25c以外的内部导体。也就是说，阵列型电感器1可以在内部导体25a与内部导体25b之间包括一个或多个内部导体。在本说明书中，有时将配置在内部导体25a与内部导体25b之间的一个或多个内部导体总称为中间内部导体组件。图1所示的阵列型电感器1，是包括一个内部导体(即，内部导体25c)作为中间内部导体组件的实施方式。能够应用本发明的阵列型电感器，也可以不包括中间内部导体组件。中间内部导体组件中包括的内部导体的数量并不限于1个，也可以为2个以上。70.阵列型电感器1包括与配置在基体10内的内部导体的数量相应的数量的外部电极。在图示的实施方式中，阵列型电感器1包括3个内部导体25a、25b、25c，因此，包括与内部导体25a、25b、25c各自的两端中的任一端连接的6个外部电极21a、21b、21c、22a、22b、22c。具体而言，内部导体25a在其一端与第1外部电极21a连接，且在其另一端与第2外部电极22a连接。同样，内部导体25b、25c在其一端与对应的外部电极21b、21c连接，且在其另一端与对应的外部电极22b、22c连接。71.在上述结构的阵列型电感器1中，内部导体25a和外部电极21a、22a构成电感器1a，内部导体25b和外部电极21b、22b构成电感器1b，内部导体25c和外部电极21c、22c构成电感器1c。72.阵列型电感器1例如在流动大电流的大电流电路中使用。更具体而言，阵列型电感器1可以是在dc/dc转换器中使用的电感器。73.阵列型电感器1可被安装在安装基板2a上。在安装基板2a上设置有6个焊盘部3。阵列型电感器1的6个外部电极21a、21b、21c、22a、22b、22c，在将阵列型电感器1安装在安装基板2a上时，以与对应的焊盘部3分别相对的方式配置。阵列型电感器1可以通过将外部电极21a、21b、21c、22a、22b、22c与对应的焊盘部3分别利用焊料接合而被安装在安装基板2a上。这样，电路板2包括阵列型电感器1和用于安装该阵列型电感器1的安装基板2a。在安装基板2a上，除了阵列型电感器1以外，还可安装各种电子部件。74.电路板2可被安装在各种电子设备中。可安装电路板2的电子设备包括智能手机(smartphone)、平板电脑(tablet)、游戏机(gameconsole)、服务器、汽车的电气部件以及这些以外的各种电子设备。阵列型电感器1也可以是埋设在安装基板2a的内部的内置部件。75.在阵列型电感器1中，3个电感器即电感器1a、1b、1c构成为一个片(chip)，因此，特别适合于要求电子部件以高密度安装的小型电子设备。76.在图示的实施方式中，基体10形成为长方体形状。在本发明的一个实施方式中，基体10形成为长度尺寸(l轴方向的尺寸)为0.6mm～10mm、宽度尺寸(w轴方向的尺寸)为0.2～10mm、高度尺寸(t轴方向的尺寸)为0.2～10mm。包括1个电感器的基体10的1个区域的在l轴方向上的尺寸为0.15mm～5.0mm。基体10的尺寸并不限于在本说明书中具体地说明的尺寸。在本说明书中称为“长方体”或“长方体形状”时，并不是仅指数学上严格意义的“长方体”。77.基体10具有第1主面10a、第2主面10b、第1端面10c、第2端面10d、第1侧面10e和第2侧面10f。基体10的外表面由这6个面划定。第1主面10a与第2主面10b彼此相对，第1端面10c与第2端面10d彼此相对，第1侧面10e与第2侧面10f彼此相对。在以安装基板2a为基准时，第1主面10a位于基体10的上侧，因此，有时将第1主面10a称为“上表面”，将第2主面10b称为“下表面”。第1主面10a、第2主面10b、第1侧面10e和第2侧面10f各自连接第1端面10c和第2端面10d。78.阵列型电感器1以第1主面10a或第2主面10b与安装基板2a相对的方式配置。将第1主面10a和第2主面10b中与安装基板2a相对的面称为“安装面”。在图示的实施方式中，第2主面10b与安装基板2a相对，因此，该第2主面10b为“安装面”。因此，也可以将第2主面10b称为“安装面10b”。基体10的“安装面”为与安装基板2a相对的面，因此，也有时第2主面10b以外的面为安装面。阵列型电感器1所具有的外部电极21a、21b、21c、22a、22b、22c各自的至少一部分与基体10的安装面接触。在图1所示的实施方式中，外部电极21a、21b、21c、22a、22b、22c各自的一部分与第1主面10a和第2主面10b各自接触，因此，可以将第1主面10a和第2主面10b的任一个作为安装面。79.在图示的实施方式中，第1主面10a和第2主面10b与lw平面平行，第1端面10c和第2端面10d与wt平面平行，第1侧面10e和第2侧面10f与tl平面平行。80.在提到阵列型电感器1的上下方向时，以图1的上下方向为基准。阵列型电感器1或基体10的厚度方向，可以为与上表面10a和安装面10b中的至少一者垂直的方向。阵列型电感器1或基体10的长度方向，可以为与第1端面10c和第2端面10d中的至少一者垂直的方向。阵列型电感器1或基体10的宽度方向，可以为与第1侧面10e和第2侧面10f中的至少一者垂直的方向。阵列型电感器1或基体10的宽度方向，可以为与阵列型电感器1或基体10的厚度方向和长度方向垂直的方向。81.对构成基体10的各面与外部电极的关系进行说明。外部电极21a、21b、21c、22a、22b、22c各自，为了与安装基板2a连接，以与基体10的表面中的至少安装面10b接触的方式配置。外部电极21a、21b、21c、22a、22b、22c各自也可以还与基体10的安装面10b以外的面接触。在图示的实施方式中，外部电极21a、21b、21c各自以与基体10的安装面10b、第1侧面10e和上表面10a接触的方式设置，外部电极22a、22b、22c各自以与基体10的安装面10b、第2侧面10f和上表面10a接触的方式设置。外部电极21a、21b、21c也可以是以与安装面10b和第1侧面10e接触但不与上表面10a接触的方式设置在基体10上。外部电极22a、22b、22c也可以是以与安装面10b和第2侧面10f接触但不与上表面10a接触的方式设置在基体10上。外部电极21a、21b、21c、22a、22b、22c的形状和配置，并不限于在本说明书中明确地说明的内容。外部电极21a、21b、21c、22a、22b、22c可以为彼此相同的形状，也可以为彼此不同的形状。也可以是，外部电极21a、21b、21c、22a、22b、22c中任意选择的一组外部电极彼此具有相同的形状。82.基体10由磁性材料形成。基体10用的磁性材料可以包含多个金属磁性颗粒。基体10用的磁性材料中包含的金属磁性颗粒，例如为(1)fe、ni等金属颗粒，(2)fe-si-cr合金、fe-si-al合金、fe-ni合金等晶体合金颗粒，(3)fe-si-cr-b-c合金、fe-si-cr-b合金等非晶质合金颗粒，或(4)将它们混合而得到的混合颗粒。基体10中包含的金属磁性颗粒的组成并不限于上述的组成。例如，基体10中包含的金属磁性颗粒也可以为co-nb-zr合金、fe-zr-cu-b合金、fe-si-b合金、fe-co-zr-cu-b合金、ni-si-b合金或fe-al-cr合金。基体10中包含的fe系的金属磁性颗粒可以含有80wt％以上的fe。可以在金属磁性颗粒各自的表面形成绝缘膜。该绝缘膜可以是上述的金属或合金氧化而形成的氧化膜。形成在金属磁性颗粒各自的表面的绝缘膜例如可以是利用溶胶-凝胶法进行涂敷而得到的氧化硅膜。83.在一个或多个实施方式中，基体10中包含的金属磁性颗粒具有1.0～20μm的平均粒径。基体10中包含的金属磁性颗粒的平均粒径可以小于1.5μm，也可以大于20μm。基体10可以包含平均粒径彼此不同的2种以上的金属磁性颗粒。84.在基体10中，金属磁性颗粒彼此可以通过在制造工序中金属磁性颗粒中含有的元素氧化形成的氧化膜而结合。基体10可以除了包含金属磁性颗粒以外还包含结合材料。在基体10包含结合材料的情况下，金属磁性颗粒彼此通过结合材料彼此结合。基体10中包含的结合材料，例如可以通过使绝缘性优异的热固性树脂固化而形成。作为结合材料的材料，例如可以使用环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚苯乙烯(ps)树脂、高密度聚乙烯(hdpe)树脂、聚甲醛(pom)树脂、聚碳酸酯(pc)树脂、聚偏氟乙烯(pvdf)树脂、酚醛(phenolic)树脂、聚四氟乙烯(ptfe)树脂或聚苯并噁唑(pbo)树脂。85.在本发明的一个或多个实施方式中，基体10的相对磁导率为100以下。在本发明的一个或多个实施方式中，基体10的相对磁导率为30以上。在阵列型电感器1用于高频电路的情况下，可以使基体10的相对磁导率减小。例如，在阵列型电感器1以100mhz左右的频率进行动作的情况下，可以使基体10的相对磁导率的下限为20以上。在阵列型电感器1在更高频率的波段进行动作的情况下，可以使基体10的相对磁导率的下限为10以上。在本发明的一个或多个实施方式中，基体10的相对磁导率在30以上100以下的范围。基体10可以构成为，在其整个区域中，相对磁导率在30～100的范围。如上所述，阵列型电感器1可以用于要求低电感的dc/dc转换器。通过使基体10的相对磁导率为100以下，能够容易地实现所要求的低电感。通过使基体10的相对磁导率为100以下，还能够容易地实现高的电流特性。通过使基体10的相对磁导率为100以下，还能够容易地实现高的绝缘性。通过使基体10的相对磁导率为100以下，能够抑制磁饱和的发生，因此，不需要为了改善直流叠加特性而在基体10中设置磁隙。86.如上所述，阵列型电感器1的基体10的相对磁导率可以取100以下的小的值，因此，阵列型电感器1的各系统的电感器的电感l也为小的值。这样，各系统的电感器的电感低，因此，阵列型电感器1中不容易发生磁饱和。因此，在阵列型电感器1的各系统的电感器中能够流动大电流。因此，在本发明的一个或多个实施方式中，在阵列型电感器1的各系统的电感器中，能够使由其电感l与流动的电流i的平方之积除以各电感器的体积v而得到的值表示的能量密度ed(即，ed＝l×i2/v)增大。例如，在使阵列型电感器1的各系统的电感器的电感l小于100nh时，能够使ed为1500nh·a/mm3。此外，在使阵列型电感器1的各系统的电感器的电感l小于50nh时，能够使ed为2000nh·a/mm3。87.基体10可以具有均匀的磁导率。基体10具有：位于内部导体25a与第1端面10c之间的第1边缘区域；位于内部导体25b与第2端面10d之间的第2边缘区域；位于内部导体25a～25c的上端与基体10的上表面10a之间的上部覆盖区域；位于内部导体25a～25c的下端与基体10的下表面10b之间的下部覆盖区域；和位于内部导体间的导体间区域。基体10可以构成为，第1边缘区域、第2边缘区域和导体间区域具有彼此相同的磁导率。基体10也可以构成为，第1边缘区域、第2边缘区域、上侧覆盖区域、下侧覆盖区域和导体间区域具有彼此相同的磁导率。基体10中的磁导率的均匀性，例如能够通过利用相同的磁性材料制作多个磁性体片，将该多个磁性体片层叠形成基体10来实现。在该情况下，构成基体10的多个磁性体片由彼此相同的磁性材料构成，因此，基体10的磁导率在构成基体10的一个区域与另一个区域之间彼此相同。也可以是，构成基体10的第1边缘区域、第2边缘区域、上侧覆盖区域、下侧覆盖区域和导体间区域中，第1边缘区域、第2边缘区域和导体间区域具有彼此相同的磁导率。88.内部导体25a、25b、25c均设置在基体10内。内部导体25a、25b、25c具有彼此相同的形状。下面，对内部导体25a、25b、25c的形状和配置进行更具体的说明。内部导体25a、25b、25c具有彼此相同的形状，因此，为了使说明简洁，对内部导体25a的形状进行说明，省略对内部导体25b、25c的形状的详细说明。89.内部导体25a具有：绕沿着t轴方向延伸的线圈轴线axa呈螺旋状卷绕的环绕部26a；为了将环绕部26a与外部电极21a连接而从环绕部26a的一端沿着w轴方向引出的引出导体部27a1；和为了将环绕部26a与外部电极22a连接而从环绕部26a的另一端沿着w轴方向引出的引出导体部27a2。在图示的实施方式中，线圈轴线axa与上表面10a及下表面10b相交，但是没有与第1端面10c、第2端面10d、第1侧面10e及第2侧面10f相交。换言之，第1端面10c、第2端面10d、第1侧面10e和第2侧面10f沿着线圈轴线axa延伸。90.在环绕部26a中，多个第1导体部与数量比该多个第1导体部少的第2导体部交替地连接。在图示的实施方式中，环绕部26a具有2个第1导体部26aa1、26aa2和1个第2导体部26ab1。第1导体部26aa1～26aa2是环绕部26a具有的第1导体部的例子，第2导体部26ab1是环绕部26a具有的第2导体部的例子。环绕部26a具有的第1导体部的数量并不限于2。在一个实施方式中，环绕部26a具有的第1导体部的数量在2～4的范围。在一个实施方式中，环绕部26a具有的第2导体部的数量比第1导体部的数量仅少1个。环绕部26a具有的第2导体部的数量例如在1～3的范围。在环绕部26a具有的第1导体部的数量为2、3、4的情况下，环绕部26a的圈数分别为约1.5圈、约2.5圈、约3.5圈。91.更详细而言，环绕部26a具有：与引出导体部27a1连接、且从与引出导体部27a1的连接点起绕线圈轴线axa逆时针地延伸的第1导体部26aa1；从第1导体部26aa1的与引出导体部27a1连接的一端的相反侧的另一端起，绕线圈轴线axa逆时针地延伸的第2导体部26ab1；和从第2导体部26ab1的与第1导体部26aa1连接的一端的相反侧的另一端起，绕线圈轴线axa逆时针地延伸的第1导体部26aa2。这样，在环绕部26a中，第1导体部26aa1、26aa2与第2导体部26ab1交替地连接。即使第1导体部和第2导体部的数量增加，第1导体部与第2导体部也交替地连接。第1导体部26aa1～26aa2大致沿着第1端面10c延伸，第2导体部26ab1大致沿着第2端面10d延伸。在需要确定第1导体部26aa1～26aa2与第2导体部26ab1的边界的情况下，可以将通过线圈轴线axa且与wt平面平行地延伸的虚拟面vsa作为划分第1导体部26aa1～26aa2和第2导体部26ab1的边界面。可以将第1导体部26aa1和第1导体部26aa2总称为第1导体部26aa。92.如上所述，关于构成环绕部26a的第1导体部和第2导体部，因为第1导体部的数量大于第2导体部的数量，所以当内部导体25a中流动的电流发生变化时，与第2导体部相比，从第1导体部产生更多的磁通。在图示的实施方式中，当在内部导体25a中流动的电流发生了变化时，从第1导体部26aa产生的磁通比从第2导体部26ab1产生的磁通多。这样，从内部导体25a产生的磁通，在绕线圈轴线axa的周向上不是均匀地分布。93.内部导体25b具有：绕沿着t轴方向延伸的线圈轴线axb呈螺旋状卷绕的环绕部26b；为了将环绕部26b与外部电极21b连接而从环绕部26b的一端沿着w轴方向引出的引出导体部27b1；和为了将环绕部26b与外部电极22b连接而从环绕部26b的另一端沿着w轴方向引出的引出导体部27b2。更详细而言，环绕部26b具有：与引出导体部27b1连接、且从与引出导体部27b1的连接点起绕线圈轴线axb逆时针地延伸的第1导体部26ba1；从第1导体部26ba1的与引出导体部27b1连接的一端的相反侧的另一端起，绕线圈轴线axb逆时针地延伸的第2导体部26bb1；和从第2导体部26bb1的与第1导体部26ba1连接的一端的相反侧的另一端起，绕线圈轴线axb逆时针地延伸的第1导体部26ba2。在需要确定第1导体部26ba1～26ba2与第2导体部26bb1的边界的情况下，可以将通过线圈轴线axb且与wt平面平行地延伸的虚拟面vsb作为划分第1导体部26ba1～26ba2和第2导体部26bb1的边界面。可以将第1导体部26ba1和第1导体部26ba2总称为第1导体部26ba。关于构成环绕部26b的第1导体部和第2导体部，因为第1导体部的数量大于第2导体部的数量，所以当在内部导体25b中流动的电流发生变化时，与第2导体部相比，从第1导体部产生更多的磁通。94.内部导体25c具有：绕沿着t轴方向延伸的线圈轴线axc呈螺旋状卷绕的环绕部26c；为了将环绕部26c与外部电极21c连接而从环绕部26c的一端沿着w轴方向引出的引出导体部27c1；和为了将环绕部26c与外部电极22c连接而从环绕部26c的另一端沿着w轴方向引出的引出导体部27c2。更详细而言，环绕部26c具有：与引出导体部27c1连接、且从与引出导体部27c1的连接点起绕线圈轴线axc逆时针地延伸的第1导体部26ca1；从第1导体部26ca1的与引出导体部27c1连接的一端的相反侧的另一端起，绕线圈轴线axc逆时针地延伸的第2导体部26cb1；和从第2导体部26cb1的与第1导体部26ca1连接的一端的相反侧的另一端起，绕线圈轴线axc逆时针地延伸的第1导体部26ca2。在需要确定第1导体部26ca1～26ca2与第2导体部26cb1的边界的情况下，可以将通过线圈轴线axc且与wt平面平行地延伸的虚拟面vsc作为划分第1导体部26ca1～26ca2和第2导体部26cb1的边界面。可以将第1导体部26ca1和第1导体部26ca2总称为第1导体部26ca。关于构成环绕部26c的第1导体部和第2导体部，因为第1导体部的数量大于第2导体部的数量，所以当在内部导体25c中流动的电流发生变化时，与第2导体部相比，从第1导体部产生更多的磁通。95.通过使内部导体25a、25b、25c各自的形状彼此相同，能够容易地使阵列型电感器1的各系统(即，电感器1a、1b、1c)的电特性一致。内部导体25a、25b、25c能够以在t轴方向上对齐的方式设置在基体10内。具体而言，如图5所示，内部导体25a、25b、25c以各自的上表面在t轴方向上的位置彼此相同、并且各自的下表面在t轴方向上的位置彼此相同的方式，在t轴方向上对齐。96.在本说明书中，即使内部导体25a、25b、25c的形状存在由制造误差和/或测量误差引起的程度的差异，也不妨碍内部导体25a、25b、25c的形状彼此相同。在判断2个内部导体的形状是否相同的情况下，例如可以使用下面的基准中的一个以上的基准进行判断。下面，为了说明方便起见，对用于判断内部导体25a的形状与内部导体25b的形状是否相同的基准进行说明，可以将相同的基准用于判断其它的内部导体间的形状的相同性。97.·基准1(基于利用与wl面平行的截断面截断而得到的内部导体的截面积的判断)98.利用与wl面平行且通过内部导体25a、25b的面将阵列型电感器1截断，计算其截断面中的内部导体25a的截面的面积sa1与内部导体25b的截面的面积sb1之差(sa1-sb1)的绝对值，在该差的绝对值为规定值以下的情况下，能够判断为内部导体25a的形状与内部导体b的形状相同。例如，在内部导体25a的截面的面积sa1与内部导体25b的截面的面积sb1之差的绝对值相对于比较对象中的一者的截面的面积(例如，内部导体25a的截面的面积sa1)的比(例如，(sa1-sb1)/sa1)为规定值以下的情况下，能够判断为内部导体25a的形状与内部导体b的形状相同。该规定值例如可以为0.1、0.05、0.03、0.02或0.01。在上述的判断中，能够利用通过内部导体25a、25b且与wl面平行的3个截断面将阵列型电感器1截断，分别使用该3个截断面各自中的内部导体25a的面积的平均值和内部导体25b的面积的平均值作为内部导体25a、25b的截面的面积。99.·基准2(基于利用与lt面平行的截断面截断而得到的内部导体的截面积的判断)100.利用与lt面平行且通过内部导体25a、25b的面将阵列型电感器1截断，计算其截断面中的内部导体25a的截面的面积sa2与内部导体25b的截面的面积sb2之差(sa2-sb2)的绝对值，在该差的绝对值为规定值以下的情况下，能够判断为内部导体25a的形状与内部导体25b的形状相同。例如，在内部导体25a的截面的面积sa2与内部导体25b的截面的面积sb2之差的绝对值相对于比较对象中的一者的截面的面积(例如，内部导体25a的截面的面积sa2)的比(例如(sa2-sb2)/sa2)为规定值以下的情况下，能够判断为内部导体25a的形状与内部导体b的形状相同。该规定值例如可以为0.1、0.05、0.03、0.02或0.01。在上述的判断中，能够利用通过内部导体25a、25b且与lt面平行的3个截断面将阵列型电感器1截断，分别使用该3个截断面各自中的内部导体25a的面积的平均值和内部导体25b的面积的平均值作为内部导体25a、25b的截面的面积。101.·基准3(基于电阻的判断)102.从阵列型电感器1拆下外部电极，使内部导体25a、25b各自的一端从从第1侧面10e露出并且使内部导体25a、25b各自的另一端从第2侧面10f露出，分别测量内部导体25a的一端与另一端之间的电阻ra以及内部导体25b的一端与另一端之间的电阻rb，在该电阻ra与电阻rb之差在规定的范围内的情况下，能够判断为内部导体25a的形状与内部导体25b的形状相同。例如，计算电阻ra与电阻rb之差(ra-rb)，在该差的绝对值与比较对象中的一者的电阻(例如，内部导体25a的电阻)之比(例如，(ra-rb)/ra)为规定值以下的情况下，能够判断为内部导体25a的形状与内部导体b的形状相同。该规定值例如可以为0.1、0.05、0.03、0.02或0.01。103.通过单独使用上述的基准中的任一个或者通过将上述的基准适当地组合使用，能够判断内部导体25a的形状与内部导体25b的形状是否相同。例如，可以采用基准1作为判断基准，基于基准1，按照判断结果来判断内部导体25a的形状与内部导体b的形状是否相同。可以将基准1和基准3组合，在利用与wl面平行的面截断而得到的内部导体25a的截面积与内部导体25b的截面积之差的绝对值相对于内部导体25a的截面积的比为规定值以下，并且内部导体25a的一端与另一端之间的电阻ra与内部导体25b的一端与另一端之间的电阻rb之差在规定的范围内的情况下，判断为内部导体25a的形状与内部导体25b的形状相同。104.内部导体25a、25b、25c各自可以通过将由导电性材料形成的带体绕芯棒卷绕来制作。通过将内部导体25a、25b、25c配置在成型模具中，向该成型模具中注入磁性材料，以规定的成形压力进行成型，能够得到阵列型电感器1。阵列型电感器1可以具有将多个磁性体片层叠而得到的层叠结构。阵列型电感器1可以通过准备在表面分别设置有内部导体25a、25b、25c的多个磁性体片，并将该多个磁性体片层叠而构成。内部导体25a、25b、25c各自可以通过利用丝网印刷法将由导电性优异的金属或合金形成的导电性膏印刷在各磁性体片上而形成。作为该导电性膏中包含的导电性材料，可以使用ag、cu或它们的合金。也可以是将内部导体25a、25b、25c中的相邻的内部导体中的一者形成在磁性体片的正面，将另一者形成在该磁性体片的背面。例如，可以是将内部导体25a形成在某个磁性体片的正面，将与内部导体25a相邻的内部导体25c1形成在该磁性体片的背面。内部导体25a和内部导体25b也可以利用上述以外的材料和方法形成。内部导体25a、25b、25c例如可以利用溅射法、喷墨法或这些方法以外的公知的方法形成。105.接着，主要参照图5对内部导体25a～25c相对于基体10的配置进行说明。如图5所示，内部导体25a、25b、25c沿着基准轴线ax1配置。基准轴线ax1沿着l轴延伸，是贯穿第1端面10c和第2端面10d的虚拟的轴线。在本说明书中，设沿着基准轴线ax1从第1端面10c向第2端面10d去的方向为第1方向x1，设其相反方向(即，沿着基准轴线ax1从第2端面10d向第1端面10c去的方向)为第2方向x2，对阵列型电感器1的构成要素的配置进行说明。106.基体10沿着基准轴线ax1位于第1端面10c与第2端面10d之间。因此，在沿着基准轴线ax1的基准轴线方向上，第1端面10c位于基体10的一端，第2端面10d位于基体10的另一端。107.内部导体25a在基体10内与第1端面10c相邻。更具体而言，内部导体25a配置于在第1方向x1上与第1端面10c隔开距离d11的位置。内部导体25a以第1导体部26aa与第1端面10c相对的方式配置。108.内部导体25b在基体10内与第2端面10d相邻。更具体而言，内部导体25b配置于在第2方向x2上与第2端面10d隔开距离d12的位置。内部导体25b以第2导体部26bb1与第2端面10d相对的方式配置。109.内部导体25a与在基准轴线方向上位于基体10的一端(第1端)的第1端面10c相邻，因此，在本说明书中，有时将内部导体25a称为第1端内部导体25a。同样，内部导体25b与在基准轴线方向上位于基体10的另一端(第2端)的第2端面10d相邻，因此，在本说明书中，有时将内部导体25b称为第2端内部导体25b。距离d11表示第1端内部导体25a与第1端面10c之间的距离，因此，在本说明书中有时将距离d11称为第1端距离d11。同样，距离d12表示第2端内部导体25b与第2端面10d之间的距离，因此，在本说明书中有时将距离d12称为第2端距离d12。110.如上所述，在内部导体25a与内部导体25b之间，可以设置1个或多个内部导体作为中间内部导体组件。中间内部导体组件配置于在第1方向x1上与第1端内部导体25a隔开距离d21、且在第2方向x2上与第2端内部导体25b隔开距离d22的位置。在图示的实施方式中，中间内部导体组件具有一个内部导体25c。因此，内部导体25c配置于在第1方向x1上与第1端内部导体25a隔开距离d21、且在第2方向x2上与第2端内部导体25b隔开距离d22的位置。在中间内部导体组件具有多个内部导体的情况下，第1端内部导体25a与中间内部导体组件之间的距离d21是指，中间内部导体组件中包含的多个内部导体中与第1端内部导体25a相邻地配置的内部导体与第1端内部导体25a之间的距离。同样，在中间内部导体组件具有多个内部导体的情况下，第2端内部导体25b与中间内部导体组件之间的距离d22是指，中间内部导体组件中包含的多个内部导体中与第2端内部导体25b相邻地配置的内部导体与第2端内部导体25b之间的距离。距离d11、d12均表示内部导体与基体的端面的距离，而距离d21、d22表示内部导体间的距离。因此，有时将距离d21、d22称为导体间距离，在对两者进行区分的情况下，有时将距离d21称为第1导体间距离d21，将距离d22称为第2导体间距离d22。在中间内部导体组件具有多个内部导体的情况下，将该多个内部导体中相邻的内部导体彼此的距离(沿着基准轴线ax1的方向上的距离)称为第3导体间距离。111.在本发明的一个或多个实施方式中，第1端内部导体25a和第2端内部导体25b以第1端距离d11大于第2端距离d12的方式配置。即，d11＞d12的关系成立。如上所述，当在第1端内部导体25a中流动的电流发生了变化时，从第1导体部26aa产生的磁通比从第2导体部26ab1产生的磁通多。因此，第1端内部导体25a以产生更多的磁通的第1导体部26aa与第1端面10c相对的方式配置。另一方面，第2端内部导体25b以产生更少的磁通的第2导体部26bb1与第2端面10d相对的方式配置。在本发明的一个或多个实施方式中，第1端距离d11大于第2端距离d12，因此，在第1端内部导体25a与基体10的第1端面10c之间，能够确保从第1端内部导体25a的第1导体部26aa产生的更多的磁通通过的区域。由此，能够抑制包括第1端内部导体25a的电感器1a的电感的劣化。112.在以往的阵列型电感器中，在基体内在基准轴线方向上各内部导体以均等的间隔配置，因此，配置在基准方向的一端的内部导体与基体的相对的表面的间隔，与配置在基准方向的另一端的内部导体与基体的相对的表面的间隔相等。即，当在与图5对应的截面观察以往的阵列型电感器时，与第1端距离d11对应的间隔和与第2端距离d12对应的间隔相等。因此，配置在基准轴线方向的一端的电感器(与电感器1a对应的电感器)的电感会劣化。而在本发明的一个或多个实施方式中，以第1端内部导体25a与基体10的第1端面10c之间的第1端距离d11大于第2端内部导体25b与基体10的第2端面10d之间的第2端距离d12的方式，配置第1端内部导体25a和第2端内部导体25b，因此，与在基体10内各内部导体均匀地配置的以往的阵列型电感器相比，能够使各电感器的电感更均匀。113.在本发明的一个或多个实施方式，可以是，导体间距离d21、d22均小于第1端距离d11的2倍。当在基体10内沿着基准轴线ax1均等地配置内部导体25a～25c时，内部导体25a～25c各自配置在对应的电感器1a～1c的基准轴线ax1方向上的中心，因此，导体间距离d21、d22为第1端距离d11的2倍。通过使导体间距离d21、d22均小于第1端距离d11的2倍，与内部导体25a～25c在基体10内沿着基准轴线ax1均等地配置的以往的阵列型电感器相比，能够抑制电感器1a的电感的劣化，能够使电感器1a、1b、1c的电感更均匀。114.在本发明的一个或多个实施方式中，导体间距离d21、d22均小于第1端距离d11。换言之，可以是，第1端距离d11比导体间距离d21、d22中的任一者都大。通过使第1端距离d11比导体间距离d21、d22大，能够充分地抑制电感器1a的电感的劣化，使电感器1a、1b、1c的电感更均匀。115.在本发明的一个或多个实施方式中，可以是，第1端距离d11小于导体间距离d21、d22，且大于导体间距离d21、d22的1/2。即，可以是，(d21、d22)/2＜d11＜d21、d22的关系成立。通过采用这样的配置，使第1端距离d11小于导体间距离d21、d22，能够抑制电感器1a的电感的劣化，并且能够抑制阵列型电感器1的沿着基准轴线ax1的方向的大型化。116.在本发明的一个或多个实施方式中，可以是，第1导体间距离d21与第2导体间距离d22相等。通过使第1导体间距离d21与第2导体间距离d22相等，能够使磁通在基体10内的分布均匀，从而能够改善阵列型电感器1的直流叠加特性。即使第1导体间距离d21和第2导体间距离d22存在由制造误差和/或测量误差引起的程度的差异，也不妨碍第1导体间距离d21与第2导体间距离d22彼此相等。117.在本发明的一个或多个实施方式中，以基体10内的各内部导体的内部导体间的距离的平均值(即，导体间距离的平均值)小于第1端距离d11和第2端距离d12的方式配置。例如，在图5所示的实施方式中，可以是，第1导体间距离d21和第2导体间距离d22的平均值(即，(d21+d22)/2)小于第1端距离d11。在该情况下，在沿着基准轴线ax1位于基体10的更内侧的区域，能够将各内部导体在基准轴线方向上更密地配置。118.如上所述，可以是，内部导体25a和内部导体25b在与基准轴线方向垂直的t轴方向上配置在基体10的中央。即，可以是，内部导体25a与上表面10a之间的距离，等于内部导体25a与下表面10b之间的距离。此外，可以是，内部导体25b与上表面10a之间的距离，等于内部导体25b与下表面10b之间的距离。119.可以是，内部导体25a、25b、25c各自与上表面10a之间的距离彼此相等。同样，可以是，内部导体25a、25b、25c各自与下表面10b之间的距离彼此相等。120.接下来，参照图6～图11对能够应用本发明的另一个实施方式的阵列型电感器进行说明。121.首先，参照图6和图7对能够应用本发明的另一个实施方式的阵列型电感器101进行说明。图6表示阵列型电感器101的立体图，图7表示利用图6的ii-ii线将阵列型电感器101截断而得到的截面。阵列型电感器101在具有2系统的内部导体25a、25b这一点上，与具有3系统的内部导体25a、25b、25c的阵列型电感器1不同。在下面的说明中，对于阵列型电感器101中与阵列型电感器1相同的方面，省略说明。122.如图6和图7所示，内部导体25a与内部导体25b相邻地配置。内部导体25a与内部导体25b在基准轴线ax1方向上隔开距离d21。在本发明的一个或多个实施方式中，第1端距离d11大于导体间距离d21。通过使第1端距离d11大于导体间距离d21，能够充分地抑制电感器1a的电感的劣化，使电感器1a、1b的电感更均匀。在本发明的一个或多个实施方式中，也可以是，第1端距离d11小于导体间距离d21。通过使第1端距离d11小于导体间距离d21，能够使阵列型电感器101的沿着基准轴线ax1的方向的尺寸减小。123.在阵列型电感器101中，也与阵列型电感器1同样，以第1端距离d11大于第2端距离d12的方式，将第1端内部导体25a和第2端内部导体25b配置在基体10内。通过使第1端距离d11大于第2端距离d12，能够抑制电感器1a的电感的劣化。124.接下来，参照图8～图11对能够应用本发明的另一个实施方式的阵列型电感器201进行说明。图8是阵列型电感器201的立体图，图9是阵列型电感器201的平面图，图10是阵列型电感器201的右侧面图，图11是示意性地表示将阵列型电感器201沿着图8的iii-iii线截断而得到的截面的截面图。阵列型电感器201是阵列型电感器1的变形例。阵列型电感器201在具有4系统的内部导体225a、225b、225c1、225c2这一点上，与具有3系统的内部导体25a、25b、25c的阵列型电感器1不同。此外，内部导体225a、225b、225c1、225c2各自的形状，与内部导体25a、25b、25c各自的形状不同。阵列型电感器201包括外部电极221a～221c2和外部电极222a～222c2。在下面的说明中，对于阵列型电感器201中与阵列型电感器1相同的方面，省略说明。125.外部电极221a～221c2和外部电极222a～222c2分别形成为板状，设置在基体10的下表面10b。外部电极221a～221c2和外部电极222a～222c2的形状和配置，并不限于图示的方式。126.在图示的实施方式中，内部导体225a、225b、225c1、225c2各自，绕在与基准轴线ax1垂直的方向上延伸的线圈轴线卷绕。更具体而言，内部导体225a具有：绕在与基准轴线ax1垂直的方向上延伸的线圈轴线axa卷绕了约0.8圈的第1环绕部226a1；与第1环绕部226a1的一端连接的第1引出导体227a1；经由过孔(via)导体va与第1环绕部226a1的另一端连接的、绕线圈轴线卷绕了约0.7圈的第2环绕部226a2；和与第2环绕部226a2的与过孔导体va连接的一端的相反侧的另一端连接的第2引出导体227a2。这样，内部导体225a绕线圈轴线卷绕了约1.5圈。内部导体225a在第1引出导体227a1与外部电极221a连接，且在第2引出导体227a2与外部电极222a连接。127.内部导体225a是第1端内部导体的例子，内部导体225b是第2端内部导体的例子。此外，阵列型电感器201包括2个内部导体即内部导体225c1、225c2作为中间内部导体组件。128.对内部导体225a的第1环绕部226a1和第2环绕部226a2的形状进一步进行说明。第1环绕部226a1在从t轴的方向看时，从第1引出导体227a1沿着绕线圈轴线axa的周向逆时针地延伸约0.8圈。第1环绕部226a1的第1引出导体227a1的附近的部位具有弯曲的形状，其它部分呈直线状在w轴或l轴的方向上延伸。第2环绕部226a2在从t轴的方向看时，从过孔导体va沿着绕线圈轴线axa的周向逆时针地延伸约0.7圈。第2环绕部226a2中的过孔导体va的附近的部位具有弯曲的形状，其它部位呈直线状延伸。从t轴的方向看内部导体225a时，w轴方向的负侧的端部具有弯曲的形状，而其以外的部分具有大致直线状的形状。这样，在俯视时，内部导体225a具有关于w轴方向不对称的形状。此外，在俯视时，内部导体225a具有关于l轴方向不对称的形状。过孔导体va设置在比内部导体225a的w轴方向上的中心靠w轴方向的负侧的位置。在俯视时，第1引出导体227a1设置在与第1环绕部226a1和第2环绕部226a2两者重叠的位置，而第2引出导体227a2设置在与第2环绕部226a2重叠、但不与第1环绕部226a1重叠的位置。即，第2引出导体227a2配置在从第1环绕部226a1的轨道向径向的外侧偏移的位置。在俯视时由第1环绕部226a1和第2环绕部226a2包围的芯区域，设置在比基体10的w轴方向的中央靠w轴的负侧的位置。内部导体225a的形状并不限于图示的形状，可以进行各种变形。例如，可以使图示的实施方式中的弯曲的部位为直线状的形状，相反，可以使在图示的实施方式中的具有直线状的形状的部位为弯曲形状。129.内部导体225b、225c1、225c2与内部导体225a同样地构成。更具体而言，内部导体225b具有第1环绕部226b1、第2环绕部226b2、第1引出导体227b1、第2引出导体227b2和过孔导体vb。第1环绕部226b1、第2环绕部226b2、第1引出导体227b1、第2引出导体227b2和过孔导体vb，分别与第1环绕部226a1、第2环绕部226a2、第1引出导体227a1、第2引出导体227a2、过孔导体va同样地构成。此外，内部导体225c1具有第1环绕部226c11、第2环绕部226c12、第1引出导体227c11、第2引出导体227c12和过孔导体vc1，内部导体225c2具有第1环绕部226c21、第2环绕部226c22、第1引出导体227c21、第2引出导体227c22和过孔导体vc2。第1环绕部226c11、226c21、第2环绕部226c12、226c22、第1引出导体227c11、227c21、第2引出导体227c12、227c22和过孔导体vc1、vc2，分别与第1环绕部226a1、第2环绕部226a2、第1引出导体227a1、第2引出导体227a2、过孔导体va同样地构成。内部导体225b在第1引出导体227b1与外部电极221b连接，且在第2引出导体227b2外部电极222b与连接。内部导体225c1在第1引出导体227c11与外部电极221c1连接，且在第2引出导体227c12与外部电极222c1连接。内部导体225c2在第1引出导体227c21与外部电极221c2连接，且在第2引出导体227c22与外部电极222c2连接。关于内部导体225a的说明，也适用于内部导体225b、225c1、225c2。130.内部导体225a、225b、225c1、225c2具有彼此相同的形状。此外，内部导体225a、225b、225c1、225c2能够以在t轴方向上对齐的方式设置在基体10内。具体而言，如图11所示，内部导体225a、225b、225c1、225c2以各自的上表面在t轴方向上的位置彼此相同、并且各自的下表面在t轴方向上的位置彼此相同的方式，在t轴方向上对齐。131.在上述的实施方式中，第1环绕部226a1和第2环绕部226a2构成内部导体225a的环绕部。内部导体225a的环绕部，被通过线圈轴线axa且与wt平面平行地延伸的虚拟面vsa划分为第1导体部和第2导体部。具体而言，第1环绕部226a1和第2环绕部226a2中比虚拟面vsa靠第1端面10c侧的部位为第1导体部，比虚拟面vsa靠第2端面10d侧的部位为第2导体部。因此，内部导体225a的环绕部通过将第1导体部和第2导体部交替地连接而构成。同样，内部导体225b的环绕部由第1环绕部226b1和第2环绕部226b2构成，内部导体225c1的环绕部由第1环绕部226c11和第2环绕部226c12构成，内部导体225c2的环绕部由第1环绕部226c21和第2环绕部226c22构成。内部导体225b、225c1、225c2各自的环绕部，被通过线圈轴线axb、axc1、axc2且与wt平面平行地延伸的虚拟面vsb、vsc1、vsc2分别划分为第1导体部和第2导体部。这样，内部导体225b、225c1、225c2各自的环绕部，也通过将第1导体部和第2导体部交替地连接而构成。132.在阵列型电感器201中，也与阵列型电感器1同样，以第1端距离d11大于第2端距离d12的方式，将第1端内部导体225a和第2端内部导体225b配置在基体10内。通过使第1端距离d11大于第2端距离d12，能够抑制电感器201a的电感的劣化。133.本发明的发明人，通过进行模拟，对与内部导体225a～225c2相同形状的内部导体(圈数为1.5圈)以均等的间隔配置在基体内的阵列型电感器(比较例)的各电感器的电感，与如图8～图11所示的那样具有以第1端距离d11大于第2端距离d12的方式配置的内部导体225a～225c2的阵列型电感器201中的各电感器的电感进行了比较。d23是内部导体225c1与内部导体225c2的距离。在模拟器中，作为比较例，设定具有将与内部导体225a～225c2相同形状的4个内部导体以相等间隔(d21＝d22＝d23＝2d11＝2d12)配置在基体内的4个电感器的阵列型电感器，计算各电感器的电感。在比较例的阵列型电感器中，包括与设置在基准轴线方向的一端的内部导体225a对应的内部导体的电感器的电感，比4个电感器的平均值低15.2％。此外，作为本发明的实施例，在模拟器中设定使第1端距离d11为2倍、且以满足d21＝d22＝d23＝2d11＝d12的关系的方式配置有内部导体225a～225c2的阵列型电感器，计算各电感器的电感。包括内部导体225a的电感器的电感，比包括内部导体225a～225c2各自的4个电感器的平均值低4.6％。这样，能够确认：在本发明的实施例中，能够大幅度地抑制在阵列型电感器中配置在排列方向的一端的电感器(具有内部导体225a的电感器)的电感与该阵列型电感器中包括的各电感器的电感的平均值之差(下降幅度)，尤其是能够使该差为5％以下。电感器的容许差，按照电感器的用途而不同，通常为5％以上(例如10％)。因此，根据本发明的实施例，能够使在阵列型电感器中配置在排列方向的一端的电感器的电感与该阵列型电感器中包括的各电感器的电感之差在通常要求的容许差内。在模拟中能够确认，与d21、d22、d23、d11、d12的具体值相应地各电感器的电感发生变化，在满足d11＞d12的关系时能够抑制配置在排列方向的一端的电感器(包括内部导体225a的电感器)的电感的下降。134.在模拟中，使与内部导体225a～225c2相同形状的内部导体在基体内以均等的间隔配置的阵列型电感器(比较例)的各电感器的各内部导体的圈数变化来计算各电感器的电感。此外，使具有以满足d21＝d22＝d23＝2d11＝2d12的关系的方式配置在基体内的4个电感器的阵列型电感器(本发明的实施例)的各电感器的各内部导体的圈数变化来计算各电感器的电感。如上所述，在比较例的各电感器的圈数为1.5圈的情况下，包括与设置在基准轴线方向的一端的内部导体225a对应的内部导体的电感器的电感，比4个电感器的平均值低15.2％，而在本发明的实施例中，包括内部导体225a的电感器的电感，比包括内部导体225a～225c2各自的4个电感器的平均值低4.6％。在比较例的各电感器的圈数为2.5圈、3.5圈的情况下，包括与设置在基准轴线方向的一端的内部导体225a对应的内部导体的电感器的电感，比4个电感器的平均值分别低11.2％、8.2％，而在本发明的实施例中，包括内部导体225a的电感器的电感，比包括内部导体225a～225c2各自的4个电感器的平均值分别低3％、2.3％。这样，在内部导体的圈数为3.5圈以下的情况下，能够确认：在本发明的实施例中，能够显著地抑制配置在排列方向的一端的电感器(包括内部导体225a的电感器)的电感的下降。另一方面，当圈数增加而达到4.5圈以上时，因为绕线圈轴线的周向上的磁通的不均匀度的程度减少，所以即使在基体内以均匀的间隔配置内部导体，位于排列方向的一端的电感器的电感的减少幅度也变小，在比较例的情况下电感的下降也为5％以下，没有像圈数为3.5以下的情况下那样表现出由满足d11＞d12的关系的配置带来的抑制电感减少的效果。因此，可知，本发明虽然能够应用于具有任意的圈数的内部导体的阵列型电感器，但是在应用于具有圈数为3.5以下的内部导体的阵列型电感器的情况下，能够显著地抑制配置在排列方向的一端的电感器(包括内部导体225a的电感器)的电感的下降。135.在本发明的一个或多个实施方式中，以基体10内的各内部导体的内部导体间的距离的平均值(即，导体间距离的平均值)小于第1端距离d11和第2端距离d12的方式配置。在中间内部导体有多个的情况下，内部导体间的距离的平均值为第1导体间距离、第2导体间距离和第3导体间距离的平均值。例如，在图11所示的实施方式中，可以是，第1导体间距离d21、第2导体间距离d22和第3导体间距离d23的平均值(即，(d21+d22+d23)/3)为内部导体间距离的平均值，利用该计算式计算的内部导体间的距离小于第1端距离d11。在该情况下，在沿着基准轴线ax1位于基体10的更内侧的区域，能够将各内部导体在基准轴线方向上更密地配置。在中间内部导体组件具有3个以上的内部导体的情况下，也可以同样地计算内部导体间距离的平均值。136.参照图12～图14对本发明的另外的一个或多个实施方式的阵列型电感器301进行说明。图12是本发明的一个实施方式的阵列型电感器301的立体图，图13和图14均是示意性地表示阵列型电感器301的沿着图12的iv-iv线的截面的截面图。图13是用于对内部导体的配置进行说明的图，图14是用于对基体包括的各区域进行说明的图。在下面的说明中，对于阵列型电感器301中与阵列型电感器1相同的方面，省略说明。137.内部导体25a、25b、25c1、25c2均设置在基体10内。内部导体25a、25b、25c1、25c2均具有彼此相同的形状。在图示的实施方式中，内部导体25a、25b、25c1、25c2均具有彼此相同的长方体形状。通过使内部导体25a、25b、25c1、25c2各自的形状彼此相同，能够容易地使阵列型电感器301的各系统(即，电感器1a、1b、1c1、1c2)的电特性一致。内部导体25a、25b、25c1、25c2能够以在t轴方向上对齐的方式设置在基体10内。具体而言，如图13所示，内部导体25a、25b、25c1、25c2以各自的上表面在t轴方向上的位置彼此相同、并且各自的下表面在t轴方向上的位置彼此相同的方式，在t轴方向上对齐。138.如图所示，可以是，在俯视时(从t轴看时)，内部导体25a、25b、25c1、25c2各自从第1侧面10e向第2侧面10f去而呈直线状延伸。内部导体25a、25b、25c1、25c2，如后所述，能够在图示的形状以外形成为具有环绕部的形状。关于内部导体25a、25b、25c1、25c2能够形成的形状，将在后面进行说明。在图示的实施方式中，内部导体25a、25b、25c1、25c2各自具有长方体形状，因此，当在外部电极21a与外部电极22a之间、外部电极21b与外部电极22b之间、外部电极21c1与外部电极22c1之间、外部电极21c2与外部电极22c2之间施加电压时，电流在内部导体25a、25b、25c1、25c2各自中沿着w轴流动。139.在图示的实施方式中，内部导体25a、25b、25c1、25c2各自的一端从第1侧面10e向基体10的外侧露出，在该一端与外部电极21a、21b、21c1、21c2连接。此外，内部导体25a、25b、25c1、25c2各自的另一端，从第2侧面10f向基体10的外侧露出，在该另一端与外部电极22a、22b、22c1、22c2连接。这样，在将内部导体25a、25b、25c1、25c2与外部电极连接时，不使内部导体25a、25b、25c1、25c2从安装面露出，而经由形成在第1侧面10e、第2侧面10f的外部电极21a、22a、21b、22b，在基体10的外侧与第1面连接，从而能够使相对于阵列型电感器301整体的体积的基体10的体积增大。由此，在阵列型电感器301中，能够使由磁性材料构成的基体10的体积的比例增大，因此，能够使基体10的饱和磁通密度增大。140.如上所述，在图示的实施方式中，在俯视时(从t轴看时)，内部导体25a从外部电极21a向外部电极22a去而呈直线状延伸。即，内部导体25a不具有在俯视时在基体10内彼此相对地配置的部分。在本说明书中，当内部导体25a在基体10内部具有在俯视时彼此相对的部分时，该内部导体25a能够从外部电极21a向外部电极22a去而呈直线状延伸。通过这样以从外部电极21a向外部电极22a去而呈直线状延伸的方式构成内部导体25a，与包括俯视时具有彼此相对的部分的内部导体的以往的电感器相比，能够不改变基体10的体积电阻率而提高绝缘可靠性(耐电压)。也可以是，内部导体25a配置在从外部电极21向外部电极22引的直线上。也可以是，内部导体25a具有在外部电极21a与外部电极22a之间并排地配置的多个导体层。该多个导体层均从外部电极21向外部电极22去而呈直线状延伸，具有彼此相同的形状或相似的形状。内部导体25a中包括的多个导体层各自在基体10内部具有彼此相对地配置的部分。多个导体层各自为彼此相似的形状，因此，在多个导体层中在基体10内彼此相对的部分之间没有电位差。因此，即使是在内部导体25a由上述的多个导体层构成的情况下，对基体10要求的绝缘可靠性(耐电压)，也能够为与内部导体25a由一个导体部构成的情况相同的程度。也可以是，内部导体25a中包括的多个导体层各自在基体10内彼此电连接。也可以是，内部导体25a中包括的多个导体层各自在基体10内没有连结，而是通过外部电极21a和外部电极22a连结。141.接着，主要参照图13对内部导体25a、25b、25c1、25c2的配置进一步进行说明。图13示意性地表示阵列型电感器301的沿着图12的iv-iv线的截面。为了使说明简洁，图13和图14中省略了外部电极21a、21b、21c1、21c2、22a、22b、22c1、22c2。142.基体10沿着基准轴线ax1位于第1端面10c与第2端面10d之间。因此，在沿着基准轴线ax1的基准轴线方向上，第1端面10c位于基体10的一端，第2端面10d位于基体10的另一端。143.内部导体25a在基体10内与第1端面10c相邻。更具体而言，内部导体25a配置于在第1方向x1上与第1端面10c隔开距离d11的位置。内部导体25b在基体10内与第2端面10d相邻。更具体而言，内部导体25b配置于在第2方向x2上与第2端面10d隔开距离d12的位置。内部导体25a与在基准轴线方向上位于基体10的一端(第1端)的第1端面10c相邻，因此，在本说明书中，有时将内部导体25a称为第1端内部导体25a。同样，内部导体25b与在基准轴线方向上位于基体10的另一端(第2端)的第2端面10d相邻，因此，在本说明书中，有时将内部导体25b称为第2端内部导体25b。距离d11表示第1端内部导体25a与第1端面10c之间的距离，因此，在本说明书中有时将距离d11称为第1端距离d11。同样，距离d12表示第2端内部导体25b与第2端面10d之间的距离，因此，在本说明书中有时将距离d12称为第2端距离d12。144.在基准轴线ax1上的第1端内部导体25a与第2端内部导体25b之间，配置有中间内部导体组件25c。中间内部导体组件25c，如上所述，具有与第1端内部导体25a及第2端内部导体25b相同形状的至少一个内部导体。在图13和图14所示的实施方式中，中间内部导体组件25c具有2个内部导体，具体而言具有内部导体25c1、25c2。145.中间内部导体组件25c配置于在第1方向x1上与第1端内部导体25a隔开距离d21、且在第2方向x2上与第2端内部导体25b隔开距离d22的位置。在中间内部导体组件25c具有多个内部导体的情况下，第1端内部导体25a与中间内部导体组件25c之间的距离d21是指，中间内部导体组件25c包括的多个内部导体中与第1端内部导体25a相邻地配置的内部导体与第1端内部导体25a之间的距离。在图示的例子中，中间内部导体组件25c具有2个内部导体25c1、25c2，且其中内部导体25c1与第1端内部导体25a相邻地配置，因此，该内部导体25c1与第1端内部导体25a之间的沿着基准轴线ax1的距离为距离d21。同样，在中间内部导体组件25c具有多个内部导体的情况下，第2端内部导体25b与中间内部导体组件25c之间的距离d22是指，中间内部导体组件25c包括的多个内部导体中与第2端内部导体25b相邻地配置的内部导体与第2端内部导体25b之间的距离。在图示的例子中，中间内部导体组件25c具有2个内部导体25c1、25c2，且其中内部导体25c2与第2端内部导体25b相邻地配置，因此，该内部导体25c2与第2端内部导体25b之间的沿着基准轴线ax1的距离为距离d22。距离d11、d12均表示内部导体与基体的端面的距离，而距离d21、d22表示内部导体间的距离。因此，有时将距离d21、d22称为导体间距离，在对两者进行区分的情况下，有时将距离d21称为第1导体间距离d21，将距离d22称为第2导体间距离d22。146.在中间内部导体组件25c具有多个内部导体的情况下，该多个内部导体中相邻的内部导体彼此，在基准轴线方向上隔开第3导体间距离配置。例如，在图13的例子中，中间内部导体组件25c包括的内部导体25c1和内部导体25c2，彼此隔开第3导体间距离d23配置。在中间内部导体组件25c具有3个以上内部导体的情况下，可以是，该多个内部导体各自与相邻的内部导体隔开第3导体间距离d23配置。即，可以是，构成中间内部导体组件25c的3个以上的内部导体各自，与相邻的内部导体隔开第3导体间距离d23而等间隔地配置。在中间内部导体组件25c具有3个以上内部导体的情况下，可以是，该多个内部导体各自与相邻的内部导体的间隔彼此不同。147.在本发明的一个或多个实施方式中，基体10内的各内部导体，以第1端距离d11大于导体间距离d21、并且第2端距离d12大于导体间距离d22的方式配置。即，d11＞d21、并且d12＞d22的关系成立。可以是，第1端距离d11与第2端距离d12相等。在本发明的一个或多个实施方式中，基体10内的各内部导体以第1导体间距离d21与第2导体间距离d22相等的方式配置。此外，在本发明的一个或多个实施方式中，基体10内的各内部导体以第1导体间距离d21与第2导体间距离d22相等的方式配置。由此，能够使基体10内的磁通的分布更均匀。通过使基体10内的磁通的分布均匀，能够改善阵列型电感器301的直流叠加特性。148.在本发明的一个或多个实施方式中，基体10内的各内部导体，以第3导体间距离d23小于第1导体间距离d21和第2导体间距离d22的方式配置。在该情况下，d11＞d21＞d23和d12＞d22＞d23的关系成立。即，沿着基准轴线ax1配置在基体10的更内侧的内部导体，与配置在更外侧的内部导体相比，与相邻的其它内部导体或基体10的表面(第1端面10c或第2端面10d)之间的距离小。换言之，在沿着基准轴线ax1位于基体10的更内侧的区域，各内部导体在基准轴线方向上更密地配置。149.在本发明的一个或多个实施方式中，以基体10内的各内部导体的内部导体间的距离的平均值小于第1端距离d11和第2端距离d12的方式配置。例如，在图13所示的实施方式中，以第1导体间距离d21、第2导体间距离d22和第3导体间距离d23的平均值(即，(d21+d22+d23)/3)小于第1端距离d11和第2端距离d12的方式配置。在该情况下也是，在沿着基准轴线ax1位于基体10的更内侧的区域，各内部导体在基准轴线方向上更密地配置。150.在本发明的一个或多个实施方式中，基体10内的各内部导体以第3导体间距离d23与第1导体间距离d21及第2导体间距离d22相等的方式配置。在该情况下，d11＞d21＝d23＝d22＜d12的关系成立。即，虽然各内部导体与相邻的内部导体以均匀的间隔配置，但是与该内部导体间的均匀的距离(d21、d22、d23)相比，第1端内部导体25a与第1端面10c之间的距离d11以及第2端内部导体25b与第2端面10d之间的距离较大。即使第1导体间距离d21和第2导体间距离d22存在由制造误差和/或测量误差引起的程度的差异，也不妨碍第1导体间距离d21与第2导体间距离d22彼此相等。151.除了图13以外还参照图15，对基体10中的内部导体的配置进一步进行说明。图15示意性地表示多个内部导体沿一个方向排列的以往的阵列型电感器1001的与图13的截面对应的截面。图15所示的以往的阵列型电感器1001包括：基体1010；和配置在基体1010内的具有彼此相同的长方体形状的内部导体1025a、1025b、1025c1、1025c2。基体1010具有上表面1010a和下表面1010b，还具有：连接该上表面1010a和下表面1010b的第1端面1010c；和与该第1端面1010c相对的第2端面1010d。内部导体1025a、1025b、1025c1、1025c2各自的两端与对应的外部电极连接，但是省略了图示。因此，阵列型电感器1001与阵列型电感器301同样地具有4个电感器。具体而言，阵列型电感器1001具有：具有内部导体1025a的电感器1001a；具有内部导体1025b的电感器1001b；具有内部导体1025c1的电感器1001c1；和具有内部导体1025c2的电感器1001c2。如图15所示，以往的阵列型电感器通过将具有彼此相同的形状的多个电感器封装而构成，因此，其内部导体各自配置在各电感器的中央。例如，内部导体1025a配置在电感器1001a的中央。因此，在以往的阵列型电感器1001中，内部导体1025a与基体1010的第1端面1010c的距离d，为在基体1010内相邻的内部导体间的距离2d(例如，内部导体1025a与内部导体1025c1之间的距离2d)的一半。152.这样在具有彼此相同的形状的多个电感器(电感器1001a～1001c2)被封装化的以往的阵列型电感器1001中，在各电感器1001a～1001c2的中央配置内部导体1025a～1025c2，因此，相邻的内部导体间的距离均为2d，而配置在阵列的一端的内部导体1025a和与基体1010的内部导体1025a相对的第1端面1010c之间的距离，以及配置在该一个方向的另一端的内部导体1025b和与基体1010的内部导体1025b相对的第2端面1010d之间的距离，均为内部导体间的距离2d的一半的d。153.在基体1010具有均匀的磁导率的情况下(即，在基体1010内的任何区域均具有一定的磁导率的情况下)，电感器1001a～1001c2各自的电感，与距各电感器具有的内部导体在一定距离以内的基体1010的体积相应地增加。在以往的阵列型电感器1001中，电感器1001a～1001c2各自构成为彼此相同的形状，因此，位于配置在阵列的两端的内部导体1025a、1025b的周围的基体1010的体积，比阵列的中间的内部导体1025c1、1025c2的周围的磁性体的体积少。因此，具有内部导体1025a的电感器1001a的电感和具有内部导体1025b的电感器1001b的电感，比具有内部导体1025c1的电感器1001c1的电感和具有内部导体1025c2的电感器1001c2的电感小。这样，在以往的阵列型电感器1001中，在各电感器构成为相同形状的基体1010内，内部导体被均匀地配置，因此，配置在阵列的两端的电感器的电感比配置在中间的电感器的电感小，其结果是，各电感器的电感变得不均匀。154.而在本发明的一个或多个实施方式的阵列型电感器301中，如图13所示，位于阵列的两端的内部导体25a和内部导体25b，与均等的配置相比，以在基准轴线方向上偏向基体10的内侧的方式配置。由此，在阵列型电感器301中，能够使第1端内部导体25a与第1端面10c之间的第1端距离d11大于第1端内部导体25a与内部导体25c1之间的第1导体间距离d21。而且，通过使第1端距离d11大于导体间距离d21，能够使配置在第1端内部导体25a的周围的基体10的体积增加，从而能够使具有第1端内部导体25a的电感器301a的电感增大。因此，与内部导体在基体内以均匀的间隔配置的以往的阵列型电感器相比，通过使位于阵列的端部的电感器(电感器301a)的电感和位于该阵列的中间的电感器(电感器301c1)的电感更均匀。同样，通过使第2端距离d12大于第2导体间距离d22，能够使电感器301b的电感和电感器301c2的电感更均匀。这样，通过使第1端距离d11大于第1导体间距离d21，并且使第2端距离d12大于第2导体间距离d22，能够使构成阵列型电感器301的各电感器的电感比以往的阵列型电感器均匀。155.此外，在本发明的一个或多个实施方式的阵列型电感器301中，能够以基准轴线ax1方向上的内部导体间的间隔越处于基体10的内侧越小的方式，配置各内部导体。例如，如图13所示，能够以第3导体间距离d23比第1导体间距离d21和第2导体间距离d22小的方式配置各内部导体。在该情况下，因为能够将各内部导体紧凑地收纳在基体10内，所以能够使阵列型电感器301的尺寸(尤其是沿着基准轴线ax1的方向上的尺寸)紧凑化。156.根据本发明的发明人进行的模拟，在图15所示的基体内具有以均等的间隔配置的内部导体1025a、1025b、1025c1、1025c2的以往的阵列型电感器1001中，电感器1001a的电感与电感器1001c1的电感相比小约8％，同样，电感器1001b的电感与电感器1001c2的电感相比小约8％。而在图13所示的阵列型电感器301中，在将d11/d21和d12/d22分别设定为1.5的情况下，电感器301a的电感与电感器301c1的电感相比小约3.5％，电感器1b的电感与电感器301c2的电感相比小约3.5％。即，在以往的阵列型电感器1001中，位于基准轴线方向的端部的电感器1001a、1001b的电感，分别比位于内侧的电感器1001c1、1001c2的电感小约8％，而在本发明的实施方式的阵列型电感器301中，位于基准轴线ax1方向的端部的电感器301a，301b的电感与位于内侧的电感器301c1、301c2的电感之差为约3.5％，因此能够缩小位于基准轴线ax1方向的端部的电感器与其以外的电感器的电感的差。此外，在将d11/d21和d12/d22分别设定为2的情况下，电感器301a的电感与电感器301c1的电感相比小约2.5％，电感器301b的电感与电感器301c2的电感相比小约2.5％。这样，能够确认，越使d11大于d21，电感器301a的电感与电感器301c1的电感之差变得越小，此外，越使d12大于d22，电感器301b的电感与电感器301c2的电感之差变得越小。157.在本发明的一个或多个实施方式中，第1端距离d11与第1导体间距离d21之比(d11/d21)为1.5以上4以下。第1端距离d11与第1导体间距离d21之比(d11/d21)也可以为3以下，或者也可以为2以下。如上所述，d11/d21越大，能够使电感器301a的电感与电感器301c1的电感之差越小，但是为了增大d11/d21而增大d11时，或导致阵列型电感器301在基准轴线ax1方向上大型化，此外，当减小d21时，会导致电感器301a与电感器301c1容易磁耦合。因此，通过使d11/d21为4以下，能够抑制阵列型电感器301在基准轴线ax1方向上的大型化、以及电感器301a与电感器301c1之间的不希望的磁耦合。158.同样，在本发明的一个或多个实施方式中，第2端距离d12与第2导体间距离d22之比(d12/d22)为1.5以上4以下。第2端距离d12与第2导体间距离d22之比(d12/d22)可以为3以下，也可以为2以下。由此，能够抑制阵列型电感器301在基准轴线ax1方向上的大型化、电感器301a与电感器301c1之间的不希望的磁耦合，并且能够使电感器301b的电感与电感器301c2的电感之差减小。159.如上所述，可以构成为，内部导体25a和内部导体25b在与基准轴线方向垂直的t轴方向上配置在基体10的中央。即，可以构成为，内部导体25a与上表面10a之间的距离等于内部导体25a与下表面10b之间的距离。此外，可以构成为，内部导体25b与上表面10a之间的距离，等于内部导体25a与下表面10b之间的距离。160.可以构成为，内部导体25a、25b、25c1、25c2各自与上表面10a之间的距离彼此相等。同样，可以构成为，内部导体25a、25b、25c1、25c2各自与下表面10b之间的距离彼此相等。161.可以构成为，内部导体25a、25b、25c1、25c2各自在沿着基准轴线ax1的方向上具有关于基准轴线方向上的各内部导体的中心对称的形状。通过使内部导体25a、25b、25c1、25c2在基准轴线方向上具有对称的形状，能够使阵列型电感器301内的磁通分布更均匀，由此，能够改善直流叠加特性。在图12所示的实施方式中，内部导体25a、25b、25c1、25c2各自具有在与基准轴线ax1正交的方向(w轴方向)延伸的长方体形状，因此，内部导体25a、25b、25c1、25c2各自在基准轴线方向上具有对称性。具有对称性的内部导体25a、25b、25c1、25c2的形状，并不限于长方体形状。162.接下来，参照图16～图18对能够应用本发明的另一个实施方式的阵列型电感器进行说明。163.首先，参照图16对能够应用本发明的另一个实施方式的阵列型电感器301α进行说明。图16表示利用与lt平面平行的平面将阵列型电感器301α截断而得到的截面图。阵列型电感器301α与阵列型电感器301的不同点在于，具有内部导体125a、125b、125c1、125c2代替内部导体25a、25b、25c1、25c2。在下面的说明中，对于阵列型电感器301α的与阵列型电感器301相同的方面，省略说明。164.如图16所示，内部导体125a具有在l轴方向上层叠的导体图案125a1、125a2。导体图案125a1、125a2各自的一端与外部电极21a连接，导体图案125a1、125a2各自的另一端与外部电极22a连接。也可以构成为，导体图案125a1的至少一部分的部位在基体10内与导体图案125a2接触。也可以构成为，内部导体125a是将3个以上的导体图案在l轴方向层叠而构成的。165.与内部导体125a同样，内部导体125b具有在l轴方向上层叠的导体图案125b1、125b2，内部导体125c1具有在l轴方向上层叠的导体图案125c11、125c12，内部导体125c2具有在l轴方向上层叠的导体图案125c21、125c22。关于内部导体125a的说明，只要可能，也能够适用于内部导体125b、125c1、125c2。166.在内部导体125a具有在l轴方向上层叠的多个导体图案的情况下，第1端距离d11可以为构成内部导体125a的多个导体图案中最靠近第1端面10c配置的导体图案与第1端面10c之间的距离。在图示的实施方式中，导体图案125a1与第1端面10c之间在基准轴线方向上的距离为第1端距离d11。同样，在内部导体125b具有在l轴方向上层叠的多个导体图案的情况下，第2端距离d12可以为构成内部导体125b的多个导体图案中最靠近第2端面10d配置的导体图案与第2端面10d之间的距离。在图示的实施方式中，导体图案125b2与第2端面10d之间在基准轴线方向上的距离为第2端距离d12。导体间距离d21～d23也可以同样地考虑。例如，在内部导体125a和内部导体125c1分别具有在l轴方向上层叠的多个导体图案的情况下，导体间距离d21可以为，构成内部导体125a的多个导体图案中最靠近内部导体125c1配置的导体图案与构成内部导体125c1的多个导体图案中最靠近内部导体125a配置的导体图案之间的距离。在图示的实施方式中，导体图案125a2与导体图案125c11之间在基准轴线方向上的距离为第1导体间距离d21。虽然阵列型电感器301具有4系统的内部导体图案，但是内部导体的系统数并不限于此。图17表示内部导体图案为3系统的阵列型电感器301β。图18表示内部导体图案为5系统的阵列型电感器301γ。关于阵列型电感器301β、阵列型电感器301γ，除了内部导体图案的系统数，与阵列型电感器301为同样的关系，因此省略说明。167.接着，参照图19和图20，对能够应用本发明的另一个实施方式的阵列型电感器401进行说明。图19是阵列型电感器401的立体图，图20是示意性地表示沿着图19的v-v线截断阵列型电感器401时的截面的截面图。阵列型电感器401是阵列型电感器301、301α、301β、301γ的变形例。阵列型电感器401与阵列型电感器301、301α、301β、301γ的不同点在于，具有内部导体425a、425b、425c代替内部导体25a、25b、25c1。在下面的说明中，对于阵列型电感器401中与阵列型电感器301、301、301α、301β、301γ相同的方面，省略说明。168.在图示的实施方式中，内部导体425a、425b、425c各自绕沿着l轴(即，沿着基准轴线ax1)延伸的线圈轴线卷绕。内部导体425a具有：绕在与基准轴线ax1垂直的方向上延伸的线圈轴线(未图示)卷绕了约0.75圈的第1环绕部426a1；与第1环绕部426a1的一端连接的第1引出导体427a1；经由过孔导体va与第1环绕部426a1的另一端连接的、绕线圈轴线卷绕了约0.75圈的第2环绕部426a2；与第2环绕部426a2的与过孔导体va连接的一端的相反侧的另一端连接的第2引出导体427a2。这样，内部导体425a绕线圈轴线卷绕了约1.5圈。内部导体425a在第1引出导体427a1与外部电极21a连接，且在第2引出导体427a2与外部电极22a连接。169.内部导体425b、425c与内部导体425a同样地构成。更具体而言，内部导体425b具有：绕线圈轴线卷绕了约0.75圈的第1环绕部426b1；与第1环绕部426b1的一端连接的第1引出导体427b1；经由过孔导体vb与第1环绕部426b1的另一端连接的、绕线圈轴线卷绕了约0.75圈的第2环绕部426b2；和与第2环绕部426b2的与过孔导体vb连接的一端的相反侧的另一端连接的第2引出导体427b2。内部导体425b在第1引出导体427b1与外部电极21b连接，在第2引出导体427b2与外部电极22b连接。内部导体425c具有：绕线圈轴线卷绕了约0.75圈的第1环绕部426c1；与第1环绕部426c1的一端连接的第1引出导体427c1；经由过孔导体vc与第1环绕部426c1的另一端连接的、绕线圈轴线卷绕了约0.75圈的第2环绕部426c2；和与第2环绕部426c2的与过孔导体vc连接的一端的相反侧的另一端连接的第2引出导体427c2。内部导体425c在第1引出导体427c1与外部电极21c连接，且在第2引出导体427c2与外部电极22c连接。170.内部导体425a、425b、425c具有彼此相同的形状。此外，内部导体425a、425b、425c能够以在t轴方向上对齐的方式设置在基体10内。具体而言，如图20所示，内部导体425a、425b、425c以各自的上表面在t轴方向上的位置彼此相同、并且各自的下表面在t轴方向上的位置彼此相同的方式，在t轴方向上对齐。171.如图20所示，内部导体425a与第1端面10c之间的第1端距离d11，为第1环绕部426a1与第1端面10c之间的距离。同样，内部导体425b与第2端面10d之间的第2端距离d12，为第2环绕部426b2与第2端面10d之间的距离。172.在以上述方式构成的阵列型电感器401中，内部导体425a和外部电极21a、22a(图12)构成电感器401a，内部导体425b和外部电极21b、22b(图12)构成电感器401b，内部导体425c1和外部电极21c1、22c1(图12)构成电感器401c。阵列型电感器401还可以包括：配置在电感器401b与电感器401c之间的、由与电感器401c同样的内部导体和外部电极21c2、22c2(图12)构成的其它电感器。173.在阵列型电感器401中，也通过与阵列型电感器301同样地使第1端距离d11大于第1导体间距离d21，并且使第2端距离d12大于第2导体间距离d22，能够使构成阵列型电感器401的各电感器的电感比以往的阵列型电感器均匀。174.接着，参照图21和图22，对作为阵列型电感器401的变形例的阵列型电感器401α进行说明。在图21和图22中，内部导体425a、425b、425c各自的线圈轴线沿t轴(即，与基准轴线ax1正交的方向)延伸。通过使图19和图20所示的内部导体425a、425b、425c在w轴的周围沿顺时针方向旋转90°，能够获得图21和图22所示的内部导体425a、425b、425c的配置。175.如图22所示，内部导体425a与第1端面10c之间的第1端距离d11，为第1环绕部426a1和第2环绕部426a2的最靠近第1端面10c的部位与第1端面10c之间的距离。同样，内部导体425b与第2端面10d之间的第2端距离d12，为第1环绕部426b1和第2环绕部426b2的最靠近第2端面10d的部位与第2端面10d之间的距离。176.在阵列型电感器401α中，与阵列型电感器401相比，存在磁通分布变得不均匀的可能性。在本发明的一个或多个实施方式中，通过使内部导体425a、425b、425c各自的圈数比1.5圈多，能够缓和磁通分布的不均匀性。177.在阵列型电感器401α中，也与阵列型电感器301同样，通过使第1端距离d11大于第1导体间距离d21，并且使第2端距离d12大于第2导体间距离d22，能够使构成阵列型电感器401α的各电感器的电感比以往的阵列型电感器均匀。178.接着，参照图23对能够应用本发明的另一个实施方式的阵列型电感器501进行说明。图23是阵列型电感器501的立体图。阵列型电感器501是阵列型电感器301、阵列型电感器301β的变形例。阵列型电感器501与阵列型电感器301β的不同点在于，具有内部导体525a、525b、525c代替内部导体25a、25b、25c1。在下面的说明中，对于阵列型电感器501中与阵列型电感器301、301α、301β、301γ相同的方面，省略说明。179.如图23所示，阵列型电感器501包括外部电极521a、521b、521c、522a、522b、522c。外部电极521a、521b、521c、522a、522b、522c均设置在基体10的下表面10b。外部电极521a、521b、521c、522a、522b、522c的形状并不限于图示的形状。例如，外部电极521a、521b、521c还可以按照与下表面10b以外的第1侧面10e接触的方式设置在基体10，外部电极522a、522b、522c还可以按照与下表面10b以外的第2侧面10f接触的方式设置在基体10。180.在阵列型电感器501中，也通过与阵列型电感器301同样地使第1端距离d11大于第1导体间距离d21，并且使第2端距离d12大于第2导体间距离d22，能够使构成阵列型电感器501的各电感器的电感比以往的阵列型电感器均匀。181.参照图24～图26对本发明的另一个或多个实施方式的阵列型电感器701进行说明。图24是本发明的一个实施方式的阵列型电感器701的立体图，图25是阵列型电感器701的平面图，图26是示意性地表示阵列型电感器701的沿vii-vii线的截面的截面图。在图24和图25中，透过基体图示了内部导体。在图25和图26中，为了说明方便起见，省略了外部电极的图示。182.内部导体25a、25b、25ca1均设置在基体10内。内部导体25a、25b、25ca1各自绕在与基准轴线ax1垂直的方向上延伸的线圈轴线卷绕。基准轴线ax1是沿着l轴延伸的、贯穿第1端面10c和第2端面10d的虚拟的轴线。183.如图25所示，内部导体25a具有：绕沿着t轴方向延伸的线圈轴线axa呈螺旋状卷绕的环绕部26a；为了将环绕部26a与外部电极21a连接而从环绕部26a的一端沿着w轴方向引出的引出导体部27a1；和为了将环绕部26a与外部电极22a连接而从环绕部26a的另一端沿着w轴方向引出的引出导体部27a2。内部导体25a在引出导体部27a1与外部电极21a连接，且在引出导体部27a2与外部电极22a连接。在图示的实施方式中，线圈轴线axa与上表面10a和下表面10b相交，但是没有与第1端面10c、第2端面10d、第1侧面10e和第2侧面10f相交。换言之，第1端面10c、第2端面10d、第1侧面10e和第2侧面10f沿着线圈轴线axa延伸。184.在环绕部26a中，多个第1导体部与数量比该多个第1导体部少的第2导体部交替地连接。在图示的实施方式中，环绕部26a具有2个第1导体部26aa1、26aa2和1个第2导体部26ab。第1导体部26aa1～26aa2是环绕部26a具有的第1导体部的例子，第2导体部26ab是环绕部26a具有的第2导体部的例子。更详细而言，环绕部26a具有：与引出导体部27a1连接的、从与引出导体部27a1的连接点绕线圈轴线axa顺时针地延伸的第1导体部26aa1；从第1导体部26aa1的与引出导体部27a1连接的一端的相反侧的另一端绕线圈轴线axa顺时针地延伸的第2导体部26ab；和从第2导体部26ab的与第1导体部26aa1连接的一端的相反侧的另一端绕线圈轴线axa顺时针地延伸的第1导体部26aa2。这样，在环绕部26a中，第1导体部26aa1、26aa2与第2导体部26ab交替地连接。即使第1导体部和第2导体部的数量增加，第1导体部和第2导体部也交替地连接。在需要确定第1导体部26aa1～26aa2与第2导体部26ab的边界的情况下，能够将通过线圈轴线axa和外部电极21a、22a且与wt平面平行地延伸的虚拟面vsa作为划分第1导体部(例如，第1导体部26aa1～26aa2)与第2导体部(例如，第2导体部26ab)的边界面。能够将第1导体部26aa1和第1导体部26aa2总称为第1导体部26aa。185.环绕部26a具有的第1导体部的数量并不限于2。在一个实施方式中，环绕部26a具有的第1导体部的数量在2～4的范围。在一个实施方式中，环绕部26a具有的第2导体部的数量比第1导体部的数量少1。环绕部26a具有的第2导体部的数量例如在1～3的范围。环绕部26a具有的第1导体部的数量为2、3、4的情况下，环绕部26a的圈数分别为约1.5圈、约2.5圈、约3.5圈。186.如上所述，环绕部26a可以在l轴方向上以虚拟面vsa为边界划分为第1导体部好第2导体部。此外，环绕部26a，如图24所示，在t轴方向上，以过孔导体va为边界，被划分为第1环绕部26a1和第2环绕部26a2。第1环绕部26a1绕线圈轴线axa从引出导体部27a1顺时针地延伸约0.75圈(270°)至过孔导体va。过孔导体va在t轴方向上延伸。第1环绕部26a1与过孔导体va的t轴方向上的负侧的端部连接，第2环绕部26a2与过孔导体va的t轴方向上的正侧的端部连接。第2环绕部26a2在t轴方向上与第1环绕部26a1相比向t轴方向的正侧移动了过孔导体va的长度的位置，从过孔导体va绕线圈轴线axa延伸约0.75圈(270°)到达引出导体部27a2。第1环绕部26a1中比虚拟面vsa更靠第2端面10d侧的部位相当于第1导体部26aa1，第2环绕部26a2中比虚拟面vsa更靠第2端面10d侧的部位相当于第1导体部26aa2。此外，第1环绕部26a1中比虚拟面vsa更靠第1端面10c侧的部位、和第2环绕部26a2中比虚拟面vsa更靠第1端面10c侧的部位，相当于第2导体部26ab。第1环绕部26a1的圈数只要不到1圈，则可以是比0.75圈少的圈数，也可以是比0.75圈多的圈数。同样，第2环绕部26a2的圈数只要不到1圈未満，则可以是比0.75圈少的圈数，也可以是比0.75圈多的圈数。连接第1环绕部26a1和第2环绕部26a2的过孔导体va的位置，能够与第1环绕部26a1和第2环绕部26a2的圈数相应地设定。187.如图25所示，内部导体25a在第2导体部26ab以与第1端面10c相对的方式配置在基体10内。构成环绕部26a的第1导体部的数量比第2导体部的数量多，因此，当在内部导体25a中流动的电流发生变化时，与第2导体部相比，从第1导体部产生更多的磁通。在图示的实施方式中，当在内部导体25a中流动的电流发生了变化时，从第1导体部26aa产生的磁通比从第2导体部26ab产生的磁通多。这样，从内部导体25a产生的磁通，在绕线圈轴线axa的周向上不是均匀地分布。内部导体25a在第2导体部26ab以与第1端面10c相对的方式配置，因此，从内部导体25a产生的磁通，在基体10中，与内部导体25a与第1端面10c之间的区域相比，在内部导体25a与第2端面10d之间的区域更多地分布。188.接着，对内部导体25b进行说明。在图示的实施方式中，内部导体25b在t轴方向上具有与内部导体25a对称的形状。更具体而言，内部导体25b具有：绕与线圈轴线axa平行地延伸的线圈轴线axb以与内部导体25a的环绕部26a相反的方向呈螺旋状卷绕的环绕部26b；为了将环绕部26b与外部电极21b连接而从环绕部26b的一端沿着w轴方向引出的引出导体部27b1；和为了将环绕部26b与外部电极22b连接而从环绕部26b的另一端沿着w轴方向引出的引出导体部27b2。内部导体25b在引出导体部27b1与外部电极21b连接，在引出导体部27b2与外部电极22b连接。189.环绕部26b通过将多个第1导体部和数量比该多个第1导体部少的第2导体部交替地连接而构成。在图示的实施方式中，环绕部26b具有2个第1导体部26ba(26ba1、26ba2)和1个第2导体部26bb。更详细而言，环绕部26b具有：与引出导体部27b1连接的、从与引出导体部27b1的连接点绕线圈轴线axb逆时针地延伸的第1导体部26ba1；从第1导体部26ba1的与引出导体部27b1连接的一端的相反侧的另一端绕线圈轴线axb逆时针地延伸的第2导体部26bb；和从第2导体部26bb的与第1导体部26ba1连接的一端的相反侧的另一端绕线圈轴线axb逆时针地延伸的第1导体部26ba2。这样，环绕部26b通过第1导体部26ba1、26ba2与第2导体部26bb被交替地连接而构成。第1导体部26ba1～26ba2是环绕部26b具有的第1导体部的例子，第2导体部26bb是环绕部26b具有的第2导体部的例子。环绕部26b具有的第1导体部的数量并不限于2。即使第1导体部和第2导体部的数量增加，第1导体部和第2导体部也被交替地连接。在需要确定第1导体部26ba1～26ba2与第2导体部26bb的边界的情况下，能够将通过线圈轴线axb和外部电极21b、22b且与wt平面平行地延伸的虚拟面vsb作为划分第1导体部和第2导体部的边界面。190.如上所述，内部导体25b在沿着基准轴线ax1的方向上与内部导体25a对称地配置。在一个或多个实施方式中，内部导体25b将与虚拟面vsa及虚拟面vsb平行地延伸、且与虚拟面vsa及虚拟面vsb间隔相等距离的面作为对称面，关于该对称面与内部导体25a面对称。191.此外，环绕部26b，如图24所示，在t轴方向上，以过孔导体vb为边界，被划分为第1环绕部26b1和第2环绕部26b2。第1环绕部26b1绕线圈轴线axb从引出导体部27b1至过孔导体vb逆时针地延伸约0.75圈(270°)。过孔导体vb在t轴方向上延伸。第1环绕部26b1与过孔导体vb的t轴方向上的负侧的端部连接，第2环绕部26b2与过孔导体vb的t轴方向上的正侧的端部连接。第2环绕部26b2在t轴方向上与第1环绕部26b1相比向t轴方向的正侧移位了过孔导体vb的长度的位置，从过孔导体vb至引出导体部27b2绕线圈轴线axb逆时针地延伸约0.75圈(270°)。第1环绕部26b1的圈数如果不到1圈，则可以是比0.75圈少的圈数，也可以是比0.75圈多的圈数。同样，第2环绕部26b2的圈数如果不到1圈，则可以是比0.75圈少的圈数，也可以是比0.75圈多的圈数。连接第1环绕部26b1和第2环绕部26b2的过孔导体vb的位置，能够与第1环绕部26b1和第2环绕部26b2的圈数相应地设定。192.内部导体25b以第2导体部26bb与第2端面10d相对的方式配在在基体10内。因为第2导体部26bb以与第2端面10d相对的方式配置，所以从内部导体25b产生的磁通，在基体10中，与内部导体25b与第2端面10d之间的区域相比，在内部导体25b与第1端面10c之间的区域更多地分布。193.接着，对内部导体25ca1进行说明。内部导体25ca1具有与内部导体25b相同的形状，以与内部导体25b相同的姿态配置在基体10内。更具体而言，内部导体25c具有：绕与线圈轴线axb平行地延伸的线圈轴线axc呈螺旋状卷绕的环绕部26ca10(第1环绕部26ca11和第2环绕部26ca12)；为了将环绕部26ca10与外部电极21ca1连接而从环绕部26ca10的一端沿着w轴方向引出的引出导体部27c1；和为了将环绕部26ca10与外部电极22ca1连接而从环绕部26ca10的另一端沿着w轴方向引出的引出导体部27c2。内部导体25ca1在引出导体部27c1与外部电极21ca1连接，在引出导体部27c2与外部电极22ca1连接。如图25所示，内部导体25c的环绕部26ca10，与内部导体25b的环绕部26b同样地具有2个第1导体部26ca1a(26ca1a1、26ca1a2)和1个第2导体部26ca1b。194.接着，主要参照图26，对内部导体25a、25b、25ca1在基体10的配置进行说明。如图26所示，内部导体25a、25b、25ca1沿着基准轴线ax1配置。如上所述，基准轴线ax1是沿着l轴延伸的、贯穿第1端面10c和第2端面10d的虚拟的轴线。在本说明书中，将沿着基准轴线ax1从第1端面10c向第2端面10d去的方向作为第1方向x1，将其相反方向(即，沿着基准轴线ax1从第2端面10d向第1端面10c去的方向)作为第2方向x2，对阵列型电感器701的构成要素的配置进行说明。基体10在沿着基准轴线ax1的方向上位于第1端面10c与第2端面10d之间。因此，在沿着基准轴线ax1的基准轴线方向上，第1端面10c位于基体10的一端，第2端面10d位于基体10的另一端。195.内部导体25a在基体10内与第1端面10c相邻。更具体而言，内部导体25a配置于在第1方向x1上与第1端面10c隔开距离d11的位置。196.内部导体25b在基体10内与第2端面10d相邻。更具体而言，内部导体25b配置于在第2方向x2上与第2端面10d隔开距离d12的位置。197.内部导体25a与在基准轴线方向上位于基体10的一端(第1端)的第1端面10c相邻，因此，在本说明书中，有时将内部导体25a称为第1端内部导体25a。同样，内部导体25b与在基准轴线方向上位于基体10的另一端(第2端)的第2端面10d相邻，因此，在本说明书中，有时将内部导体25b称为第2端内部导体25b。距离d11表示第1端内部导体25a与第1端面10c之间的距离，因此，在本说明书中有时将距离d11称为第1端距离d11。同样，距离d12表示第2端内部导体25b与第2端面10d之间的距离，因此，在本说明书中有时将距离d12称为第2端距离d12。在本发明的一个或多个实施方式中，第1端内部导体25a和第2端内部导体25b以第1端距离d11与第2端距离d12相等的方式配置。即，d11＝d12的关系成立。198.内部导体25ca1配置于在第1方向x1上与内部导体25a隔开距离d21、且在第2方向x2上与第2端内部导体25b隔开距离d22的位置。也可以看是，内部导体25a、25b、25c1各自在基体10内在沿着基准轴线ax1的方向上以均匀的间隔配置。在该情况下，内部导体25a、25b、25c1在沿着基准轴线ax1的方向上，配置在电感器701a、701b、701ca1的中心，d11＝d12＝d21/2＝d22/2的关系成立。199.如上所述，第1端内部导体25a在第2导体部26ab以与第1端面10c相对的方式配置，第2端内部导体25b在第2导体部26bb以与第2端面10d相对的方式配置。当在第1端内部导体25a中流动的电流发生了变化时，从第1导体部26aa产生的磁通比从第2导体部26ab产生的磁通多，此外，当在第2端内部导体25b中流动的电流发生了变化时，从第1导体部26ba产生的磁通比从第2导体部26bb产生的磁通多。这样，第1端内部导体25a和第2端内部导体25b都以产生更多的磁通的第1导体部26aa、26ba不是朝向基体10的外表面而是朝向基体10的内侧的方式配置。当第1端内部导体25a、第2端内部导体25b、内部导体25c1在基体10内以均匀的间隔配置时，第1端距离d11和第2端距离d12比导体间距离d21、d22小，因此，在内部导体25a与基体10的第1端面10c之间的区域和在内部导体25b与基体10的第2端面10d之间的区域，与比基体10的内部导体25a、25b靠内侧的区域相比，磁阻变大。因此，因为第1端内部导体25a以第2导体部26ab与第1端面10c相对的方式配置，所以从第1端内部导体25a产生的磁通容易通过基体10的比第1端内部导体25a靠内侧的、磁阻较小的区域。同样，因为第2端内部导体25b以第2导体部26bb与第2端面10d相对的方式配置，所以从第2端内部导体25b产生的磁通容易通过基体10的比第2端内部导体25b靠内侧的、磁阻较小的区域。由此，能够抑制包括第1端内部导体25a的电感器701a和包括第2端内部导体25b的电感器701b的电感的劣化。200.在以往的阵列型电感器中，相同形状的内部导体在基体内在基准轴线方向上以均匀的间隔配置，因此，位于基准方向的一端的内部导体以产生更多的磁通的部位与基体的外表面相对的方式配置。例如，在图24所示的阵列型电感器701中，当代替内部导体25a将具有与内部导体25b相同的形状的内部导体以与内部导体25b相同的姿态配置时，该内部导体中产生更多的磁通的部位(与内部导体25b的第1导体部26ba相当的部位)以与基体10的第1端面10c相对的方式配置。在采用这样的配置的情况下，从内部导体产生的更多的磁通绕过该内部导体与第1端面10c之间的磁阻比较大的区域而通过更长的磁路，因此，包括该内部导体的电感器(与第1端面10c相邻地配置的电感器)的电感劣化。而在本发明的一个或多个实施方式中，将位于基准轴线ax1方向的一端的内部导体25a，以第2导体部26ab与第1端面10c相对的方式配置，因此，从内部导体25a产生的磁通在基体10在容易通过比第1端内部导体25a靠内侧的、磁阻比较小的区域，因此，能够抑制包括内部导体25a的电感器1a的电感的劣化。此外，通过抑制电感器1a的电感的劣化，能够使电感器701a、701b、701ca1的电感更均匀。201.当基体10中包括的各内部导体的圈数为4.5圈以上时，绕线圈轴线的周向上的磁通的不均匀的程度减少，因此，即使将内部导体在基体内以均匀的间隔配置，位于排列方向的一端的电感器的电感的减少幅度也变小。因此，本发明虽然能够应用于具有任意的圈数的内部导体的阵列型电感器，但是在应用于具有圈数为3.5以下的内部导体的阵列型电感器的情况下，能够显著地抑制配置在排列方向的一端的电感器701a的电感的下降。202.在本发明的一个或多个实施方式中，能够使第1端距离d11和第2端距离d12小于导体间距离d21、d22。由此，能够抑制电感器701a的电感的劣化，并且能够抑制阵列型电感器701沿着基准轴线ax1的方向上的大型化。203.在本发明的一个或多个实施方式中，可以构成为，第1导体间距离d21与第2导体间距离d22相等。通过使第1导体间距离d21与第2导体间距离d22相等，能够使基体10内的磁通的分布均匀，由此能够改善阵列型电感器1的直流叠加特性。即使第1导体间距离d21和第2导体间距离d22存在由制造误差和/或测量误差引起的程度的差异，也不妨碍第1导体间距离d21与第2导体间距离d22彼此相等。204.在本发明的一个或多个实施方式中，以基体10内的各内部导体的内部导体间的距离的平均值(即，导体间距离的平均值)小于第1端距离d11和第2端距离d12的方式配置。例如，在图26所示的实施方式中，可以构成为，第1导体间距离d21和第2导体间距离d22的平均值(即，(d21+d22)/2)小于第1端距离d11和第2端距离d12。在该情况下，在沿着基准轴线ax1位于基体10的更内侧的区域，能够将各内部导体在基准轴线方向上更密地配置。205.如上所述，可以是，内部导体25a和内部导体25b在与基准轴线方向垂直的t轴方向上配置在基体10的中央。即，可以是，内部导体25a与上表面10a之间的距离，等于内部导体25a与下表面10b之间的距离。此外，可以是，内部导体25b与上表面10a之间的距离，等于内部导体25a与下表面10b之间的距离。206.接着，参照图27对阵列型电感器701的变形例进行说明。图27所示的阵列型电感器701与图24所示的阵列型电感器701不同点在于，具有内部导体35a代替内部导体25a。内部导体35a具有与内部导体25b相同的形状，但是以与内部导体25b不同的姿态配置在基体10内。例如，内部导体35a将内部导体25b以绕线圈轴线axb旋转了180°的姿态配置在基体10内。更具体而言，内部导体35a具有：绕与线圈轴线axb平行地延伸的线圈轴线呈螺旋状卷绕的环绕部36a；为了将环绕部36a与外部电极21a连接而从环绕部36a的一端沿着w轴方向引出的引出导体部37a1；和为了将环绕部36a与外部电极22a连接而从环绕部36a的另一端沿着w轴方向引出的引出导体部37a2。环绕部36a在t轴方向上以过孔导体va为边界被划分为第1环绕部36a1和第2环绕部36a2。第1环绕部36a1从引出导体部37a1至过孔导体va绕线圈轴线顺时针地延伸约0.75圈(270°)。第1环绕部36a1与过孔导体va的t轴方向上的正侧的端部连接，第2环绕部36a2与过孔导体va的t轴方向上的负侧的端部连接。第2环绕部36a2在t轴方向上比第1环绕部36a1向t轴方向的负侧移位了过孔导体va的长度的位置，从过孔导体va至引出导体部37a2绕线圈轴线顺时针地延伸约0.75圈(270°)。第1环绕部36a1的圈数如果不到1圈，则可以是比0.75圈少的圈数，也可以是比0.75圈多的圈数。同样，第2环绕部36a2的圈数如果不到1圈，则可以是比0.75圈少的圈数，也可以是比0.75圈多的圈数。连接第1环绕部36a1和第2环绕部36a2的过孔导体va的位置，能够与第1环绕部36a1和第2环绕部36a2的圈数相应地设定。207.环绕部36a，与环绕部26a同样地通过将多个第1导体部和数量比该多个第1导体部少的第2导体部交替地连接而构成。环绕部36a，与内部导体25a同样地以通过线圈轴线和外部电极21a、22a且与wt平面平行地延伸的虚拟面为边界面，划分第1导体部和第2导体部。内部导体35a以第2导体部与第1端面10c相对的方式配置在基体10内。内部导体35a也与内部导体25a同样地在第2导体部以与第1端面10c相对的方式配置，因此从内部导体35a产生的磁通，容易在基体10内通过比内部导体35a靠内侧的、磁阻较小的区域。由此，能够抑制包括内部导体35a的电感器701a的电感的劣化，能够使电感器701a、701b、701ca1的电感更均匀。208.这样，在阵列型电感器701中，在l轴方向的负侧的端部，可以配置在l轴方向上具有与内部导体25b对称的形状的内部导体25a，也可以配置具有与内部导体25b相同的形状的内部导体35a。如上所述，内部导体35a以使内部导体25b绕线圈轴线axb旋转了180°的姿态配置在外部电极21a与外部电极22a之间。内部导体25a的环绕部26a和内部导体35a的环绕部36a，都在绕线圈轴线的周向上延伸与内部导体25b的环绕部26b相同的长度。在图24和图27所示的实施方式中，环绕部26a、26b、36a都在绕各自的线圈轴线的周向上延伸1.5圈的量的长度。也可以是，环绕部26a、26b、36a在绕各自的线圈轴线的周向上延伸与1.5圈不同的圈数(例如、2.5圈、3.5圈)。通过使内部导体25a(35a)、25b、25ca1在周向上的长度彼此相同，能够容易地使阵列型电感器701的各系统的电感器(即，电感器701a、701b、701ca1)的电特性一致。209.在阵列型电感器701中与第1端面10c相对配置的内部导体，也可以具有与内部导体25a、35a不同的形状。也可以是，在阵列型电感器701中与第1端面10c相对配置的内部导体，包括沿着绕线圈轴线的周向延伸与内部导体25b的环绕部26b相同的长度的环绕部，该环绕部具有第1导体部和与第1导体部交替地连接的、数量比第1导体部少的第2导体部，第2导体部以与第1端面10c相对的方式配置。在图24所示的实施方式中，内部导体25a的第1环绕部26a1和第2环绕部26a2卷绕了与内部导体25b的第1环绕部26b1和第2环绕部26b2相同的0.75圈，但是内部导体25a的第1环绕部26a1和第2环绕部26a2也可以卷绕与内部导体25b的第1环绕部26b1和第2环绕部26b2不同的圈数。例如，在内部导体25b的第1环绕部26b1和第2环绕部26b2各卷绕了0.75圈的情况下，也可以是，内部导体25a的第1环绕部26a1卷绕0.6圈，第2环绕部26a2卷绕0.9圈。在该情况下，第1环绕部26a1和第2环绕部26a2的圈数(分别为0.6圈、0.9圈)，与第1环绕部26b1和第2环绕部26b2的圈数(均是0.75圈)不同，但是内部导体25a的环绕部26a的圈数(1.5(＝0.6+0.9)圈)与内部导体25b的环绕部26b的圈数相等。210.接着，参照图28～图34对能够应用本发明的另一个实施方式的阵列型电感器进行说明。在下面说明的实施方式中，还可以使用内部导体35a来代替内部导体25a。如上所述，中间内部导体组件25c可以包括一个或多个中间内部导体。在图24～图27所示的实施方式中，中间内部导体组件25c包括一个中间内部导体(即，内部导体25ca1)。如图28所示，中间内部导体组件25c可以包括m个第1中间内部导体25ca和n个第2中间内部导体25cb。其中，m和n均是0或自然数，满足m≥n的关系。图24和图27表示m＝1、n＝0的例子。211.第1中间内部导体25ca具有与内部导体25b相同的形状，以与内部导体25b相同的姿态配置在基体10内。图24所示的内部导体25ca1是第1中间内部导体25ca的例子。如上所述，内部导体25ca1与内部导体25b同样地包括：绕线圈轴线从引出导体部27c1逆时针地延伸1.5圈的量而到达引出导体部27c2的环绕部26ca10。212.第2中间内部导体25cb具有与内部导体25a相同的形状，以与内部导体25a相同的姿态配置在基体10内。图24所示的阵列型电感器701不包括第2中间内部导体25cb。第2中间内部导体25cb，在沿着基准轴线ax1的方向上配置在内部导体25a与第1中间内部导体25ca之间。在使用内部导体35a代替内部导体25a的情况下，第2中间内部导体25cb具有与内部导体35a相同的形状，以与内部导体35a相同的姿态配置在基体10内。第2中间内部导体25cb在沿着基准轴线ax1的方向上配置在内部导体35a与第1中间内部导体25ca之间。213.第1中间内部导体25ca和第2中间内部导体25cb都在沿着基准轴线ax1的方式上配置在内部导体25a与内部导体25b之间。第1中间内部导体25ca各自(第1中间内部导体25ca1～25cam的各个)，以与其它第1中间内部导体25ca相邻的方式配置。第1中间内部导体25ca中位于基准轴线ax1方向的一端的第1中间内部导体25ca1、第1中间内部导体25cam，以与一个其它第1中间内部导体相邻的方式配置。更具体而言，位于基准轴线ax1方向的一端的第1中间内部导体25ca1与第1中间内部导体25ca2相邻，位于另一端的第1中间内部导体25cam，以与第1中间内部导体25ca(m-1)相邻的方式配置。第1中间内部导体25ca1还与第2端内部导体25b相邻，第1中间内部导体25cam还与第2中间内部导体25cb1相邻。同样，第2中间内部导体25cb各自(第2中间内部导体25cb1～25cbm的各个)，以与其它第2中间内部导体25cb相邻的方式配置。此外，第1中间内部导体25ca和第2中间内部导体25cb各自与相邻的内部导体的导体间距离，也可以是均匀的。通过采用这样的配置，能够在基体10内将第1中间内部导体25ca一并配置在与形状或姿态不同的第2中间内部导体25cb不同的区域，因此与第1中间内部导体25ca和第2中间内部导体25cb被混合地配置(例如，第1中间内部导体25ca和第2中间内部导体25cb在基准轴线ax1方向上被交替地配置)的阵列型电感器相比，能够使磁通的分布均匀，能够抑制磁通在基体10内局部地饱和的情况。其结果是，能够提高阵列型电感器的重叠特性。214.这样，即使在中间内部导体组件25c包括m个第1中间内部导体25ca和n个第2中间内部导体25cb的情况下，也构成为，位于基准轴线ax1方向的一端的内部导体25a在第2导体部26ab(图25和图26)中以与第1端面10c相对的方式配置，因此能够抑制包括内部导体25a的电感器701a的电感的劣化。215.接着，参照图29，对能够应用本发明的另一个实施方式的阵列型电感器801进行说明。图29表示阵列型电感器801的立体图。阵列型电感器801是m＝2、n＝0的情况下的实施方式。阵列型电感器801在沿基体10内的基准轴线ax1的方向上，在内部导体25a与内部导体25b之间包括2个第1中间内部导体，即，内部导体25ca1、25ca2。内部导体25ca1、25ca2均具有与内部导体25b相同的形状，以与内部导体25b相同的姿态配置在基体10内。与图24的内部导体25c同样地，内部导体25ca1、25ca2各自具有环绕部26ca10(第1环绕部26ca11和第2环绕部26ca12)和环绕部26ca20(第1环绕部26ca21和第2环绕部26ca22)。216.在阵列型电感器801中，也与阵列型电感器701同样，位于基准轴线ax1方向的一端的内部导体25a在第2导体部26ab(图25和图26)中以与第1端面10c相对的方式配置，因此能够抑制包括内部导体25a的电感器701a的电感的劣化。217.接着，参照图30，对能够应用本发明的另一个实施方式的阵列型电感器801α进行说明。图30表示阵列型电感器801α的立体图。阵列型电感器801α是m＝1、n＝1的情况下的实施方式。阵列型电感器801α，在沿基体10内的基准轴线ax1的方向上，在内部导体25a与内部导体25b之间包括1个第1中间内部导体即内部导体25ca1、和1个第2中间内部导体即内部导体25cb1。内部导体25ca1，如上所述，具有与内部导体25b相同的形状，以与内部导体25b相同的姿态配置在基体10内。内部导体25cb1具有与内部导体25a相同的形状，以与内部导体25a相同的姿态配置在基体10内。此外，在图30中，附图标记“26cb10”是指内部导体25cb1的环绕部，环绕部26cb10由第1环绕部26cb11和第2环绕部26cb12构成。218.在阵列型电感器801α中，也与阵列型电感器701同样，位于基准轴线ax1方向的一端的内部导体25a在第2导体部26ab(图25和图26)中以与第1端面10c相对的方式配置，因此能够抑制包括内部导体25a的电感器701a的电感的劣化。219.接着，参照图31，对能够应用本发明的另一个实施方式的阵列型电感器801β进行说明。图31表示阵列型电感器801β的立体图。阵列型电感器801β是m＝3、n＝0的情况下的实施方式。其中，在图31中，附图标记“26ca30”是指内部导体25ca3的环绕部，环绕部26ca30由第1环绕部26ca31和第2环绕部26ca32构成。220.在阵列型电感器801β中，也与阵列型电感器701同样，位于基准轴线ax1方向的一端的内部导体25a在第2导体部26ab(图25和图26)中以与第1端面10c相对的方式配置，因此能够抑制包括内部导体25a的电感器701a的电感的劣化。221.接着，参照图32对能够应用本发明的另一个实施方式的阵列型电感器801γ进行说明。图32表示阵列型电感器801γ的立体图。阵列型电感器801γ是m＝2、n＝1的情况下的实施方式。222.在阵列型电感器801γ中，也与阵列型电感器701同样，位于基准轴线ax1方向的一端的内部导体25a在第2导体部26ab(图25和图26)中以与第1端面10c相对的方式配置，因此，能够抑制包括内部导体25a的电感器701a的电感的劣化。223.接着，参照图33和图34对能够应用本发明的另一个实施方式的阵列型电感器901进行说明。图33表示阵列型电感器901的立体图，图34是示意性地表示阵列型电感器901的沿viii-viii线的截面的截面图。阵列型电感器901是m＝0、n＝0的情况下的实施方式。224.在阵列型电感器901中，内部导体25a与内部导体25b相邻地配置。内部导体25a和内部导体25b在基准轴线ax1方向上隔开距离d21。在本发明的一个或多个实施方式中，可以构成为，内部导体25a与内部导体25b之间的导体间距离d21大于第1端距离d11和第2端距离d12。由此，能够抑制阵列型电感器901在沿着基准轴线ax1的方向上的尺寸。225.在阵列型电感器901中，也与阵列型电感器701同样，位于基准轴线ax1方向的一端的内部导体25a在第2导体部26ab(图25和图26)中以与第1端面10c相对的方式配置，因此能够抑制包括内部导体25a的电感器701a的电感的劣化。226.接着，对本发明的一个实施方式的阵列型电感器1(图1)的例示的制造方法进行说明。在下面的说明中，对利用压缩成型工艺制造作为线圈部件的阵列型电感器1的制造方法的一个例子进行说明。首先，分别准备内部导体25a～25c。内部导体25a、25b、25c各自能够通过将由导电性材料形成的带体绕芯棒卷绕而得到。接着，作为基体10的材料，准备金属磁性颗粒。在金属磁性颗粒的表面根据需要设置绝缘膜。该金属磁性颗粒也可以是将平均粒径彼此不同的多种颗粒混合而得到的混合颗粒。接着，将准备的金属磁性颗粒、树脂材料和稀释溶剂混合，制作复合磁性材料。接着，在事先准备的设置有内部导体25a～25c的成型模具内放入上述的复合磁性材料，例如在50℃～150℃的温度范围施加成型压力，进一步从150℃加热至400℃使其固化，由此能够得到包括内部导体25a～25c的基体10。内部导体25a～25c，以在从线圈轴线的方向观看时，内部导体25a的第1导体部与基体10的第1端面10c之间的距离d11大于内部导体25b的第2导体部与基体10的第2端面10d之间的距离d12的方式配置在成型模具内。227.用于得到基体10的加热处理，如上所述可以在2个阶段进行，也可以在1个阶段进行。在1个阶段进行加热处理的情况下，在进行该加热处理期间进行成型和固化。基体10例如也可以在80℃左右的温度范围进行成型。成型压力例如为50mpa～200mpa。为了获得想要的填充率，能够适当地调节成型压力。成型压力例如为100mpa。228.接着，通过在如上述那样得到的基体10的表面涂敷导体膏，形成外部电极21a～21c和外部电极22a～22c。外部电极21a～21c与设置在基体10内的内部导体25a～25c中的一者的端部电连接，外部电极22a～22c与内部导体25a～25c的另一者的端部电连接。通过上述的方式，能够得到阵列型电感器1。229.制造出的阵列型电感器1，可通过回流工序安装在安装基板2a上。在该情况下，配置有阵列型电感器1的安装基板2a，以高速通过例如被加热至峰值温度260℃的回流炉后，外部电极21、22分别与安装基板2a的焊盘部3焊接，从而将阵列型电感器1安装在安装基板2a上，制造出电路板2。230.阵列型电感器1的制造方法，并不限于上述的方法。阵列型电感器1也可以通过片层叠法、印刷层叠法等各种层叠法、薄膜工艺或上述以外的公知的方法来制作。231.例如，本发明的一个实施方式的阵列型电感器301，可以通过下面例示的制造方法来制造。在本发明的一个或多个实施方式中，阵列型电感器301利用层叠磁性体片的片层叠法来制作。在利用片层叠法制作阵列型电感器301的情况下，首先准备磁性体片。磁性体片，例如可以从将由软磁性材料形成的金属磁性颗粒和树脂混合搅拌而得到的浆料，使用刮刀式片成型机等各种片成型机来制作。作为与金属磁性颗粒混合搅拌的树脂，例如可以使用聚乙烯醇缩丁醛(pvb)树脂、环氧树脂等绝缘性优异的树脂。232.磁性体片被切断为规定的形状。接着，通过在被切断为规定形状的磁性体片上，利用丝网印刷等公知的方法涂敷导体膏，能够形成在烧制后分别成为内部导体25a、25b、25c1、25c2的多个未烧制导体图案。该导体膏例如可以通过将ag、cu或它们的合金与树脂混合搅拌而得到。233.如上所述，通过将形成有未烧制导体图案和未烧制过孔的磁性体片与没有形成导体的磁性体片层叠而得到母层叠体。可以与没有形成导体的磁性体片的厚度、要层叠的片数相应地，对内部导体25a与基体10的第1端面10c之间的第1端距离d11、内部导体25b与基体10的第2端面10d之间的第2端距离d12、内部导体25a、25b、25c1、25c2各自与相邻的内部导体之间隔(例如，导体间距离d21、d22、d23)进行调节。234.接着，使用切割机、激光加工机等切断机，使母层叠体单片化而得到单元片层叠体。235.接着，对该单元片层叠体，在600℃～850℃进行20分钟～120分钟的加热处理。通过该加热处理，使单元片层叠体脱脂，对磁性体片和导体膏进行烧制，能够得到在内部包括内部导体25a、25b、25c1、25c2的基体10。在磁性体片包含热固性树脂的情况下，可以通过在更低的温度对单元片层叠体进行加热处理，使该热固性树脂固化。固化后的该树脂，成为将磁性体片中包含的金属磁性颗粒彼此粘接的粘结材料。低温下的加热处理，例如在100℃～200℃的范围的温度进行20分钟～120分钟左右。236.接着，通过在进行了加热处理的单元片层叠体(即，基体10)的表面涂敷导体膏，形成外部电极21a、21b、21c1、21c2、22a、22b、22c1、22c2。通过上述的工序，能够得到阵列型电感器301。237.其它的阵列型电感器(例如，阵列型电感器101、201、401、501、701、801、901以及这些阵列型电感器的变形例)，也能够利用上述的制造方法中的任一种来制造。在上述的制造方法中，能够省略其工序的一部分、增加没有明确地说明的工序、和/或调换工序的顺序，进行了这样的省略、增加、顺序改变后的处理流程，只要不偏离本发明的主旨，就也包含在本发明的范围内。238.在上述的各种实施方式中所说明的各构成要素的尺寸、材料和配置，各自并不限于在各实施方式中明确地说明的内容，该各构成要素可以以具有本发明的范围中可包含的任意的尺寸、材料和配置的方式变形。例如，本发明的一个或多个实施方式中的阵列型电感器可以包括5个以上的电感器。239.也可以在上述的各实施方式中增加在本说明书中没有明确地说明的构成要素，也可以将各实施方式中已说明的构成要素的一部分省略。240.本说明书等中的“第1”、“第2”、“第3”等表述，是为了识别构成要素而添加的，不一定是对数量、顺序或其内容进行限定。另外，用于识别构成要素的编号是按每个语境使用的，在一个语境中使用的编号在另一个语境中不一定表示相同的构成。另外，不妨碍用某个编号识别的构成要素兼具用另一个编号识别的构成要素的功能。当前第1页12当前第1页12