技术特征：
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一导电层，所述第一导电层背离所述半导体衬底的表面上形成有氧化层；对所述第一导电层表面的所述氧化层进行置换反应处理，形成导电的置换层。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：在所述置换层背离所述半导体衬底的一侧形成第二导电层。3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第二导电层与所述置换层的材质相同。4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：在所述第二导电层背离所述第一导电层的一侧形成第三导电层；在所述第三导电层背离所述第二导电层的一侧形成第四导电层。5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述半导体衬底上采用钛采用形成第一导电层，所述氧化层为氧化钛层。6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，采用氮气对所述氧化层进行等离子处理，形成氮化钛层。7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成第一导电层，包括：在反应腔室中设置第一导电材料靶；采用惰性气体对所述第一导电材料靶进行轰击，使所述第一导电材料靶上被溅射出来的原子脱离靶面在所述半导体衬底上淀积成第一导电层。8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，使所述反应腔室中所述半导体衬底背离所述第一导电层的一侧相对形成所述第一导电层一侧处于负压状态，在所述负压状态下对所述第一导电层表面的所述氧化层进行置换反应处理。9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底包括多晶硅，所述第一导电层为金属导电层；所述制造方法还包括：对所述半导体衬底及所述第一导电层进行退火处理，使所述第一导电层形成金属硅化物层。10.一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底；第一导电层，所述第一导电层背离所述半导体衬底的表面形成有导电的置换层。11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第二导电层，设于所述置换层背离所述半导体衬底的表面上，且所述第二导电层与所述置换层的材质相同。12.一种晶体管，包括栅极、源极和漏极，其特征在于，所述栅极包括：半导体衬底；第一导电层，所述第一导电层背离所述半导体衬底的表面形成有导电的置换层。13.根据权利要求12所述的晶体管，其特征在于，所述栅极还包括：第二导电层，所述第二导电层设于所述置换层的表面上，且所述第二导电层与所述置
换层的材质相同。14.根据权利要求12所述的晶体管，其特征在于，所述第一导电层为金属硅化物层。15.一种存储器，其特征在于，包括权利要求13或14所述的晶体管。
技术总结
本公开提供一种半导体结构的制造方法、半导体结构、晶体管与存储器，该制造方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一导电层，所述第一导电层背离所述半导体衬底的表面上形成有氧化层；对所述第一导电层表面的所述氧化层进行置换反应处理，形成导电的置换层。本公开的半导体结构的制造方法，能够降低半导体结构的电阻。半导体结构的电阻。半导体结构的电阻。
技术研发人员：张标
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2022.06.28
技术公布日：2022/10/4