技术特征：
1.一种倒装vcsel芯片结构，其特征在于，包括：衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面上形成有聚焦功能的微透镜结构；第一布拉格反射镜层，设置于所述衬底的第二表面上；量子阱层，设置于所述第一布拉格反射镜层背离所述衬底的一侧；第二布拉格反射镜层，设置于所述量子阱层背离所述第一布拉格反射镜层的一侧；介质膜层，覆盖所述第二布拉格反射镜层、所述量子阱层和所述第一布拉格反射镜层的侧壁以及延伸至所述衬底的第二表面，且所述介质膜层部分覆盖所述第二布拉格反射镜层背离所述量子阱层一侧的表面。2.如权利要求1所述的倒装vcsel芯片结构，其特征在于，所述第一布拉格反射镜层背离所述衬底的一侧表面上设置有高铝氧化层，所述高铝氧化层上贯穿形成有与所述微透镜结构相对应的窗口区。3.如权利要求1所述的倒装vcsel芯片结构，其特征在于，还包括：第一电极，设置于所述第二布拉格反射镜层背离所述量子阱层的表面上，且覆盖暴露出的所述第二布拉格反射镜层的表面；第二电极，设置于所述衬底的第二表面上且自所述衬底的第二表面延伸至所述介质膜层背离所述第二布拉格反射镜层的表面，所述第二电极与所述第一电极之间电隔离，且所述第二电极与所述第一电极位于同一平面上。4.如权利要求1所述的倒装vcsel芯片结构，其特征在于，所述第二布拉格反射镜层的对数大于所述第一布拉格反射镜层的对数。5.如权利要求1所述的倒装vcsel芯片结构，其特征在于，所述微透镜结构与所述衬底一体成型。6.如权利要求1所述的倒装vcsel芯片结构，其特征在于，所述微透镜结构的表面蒸镀有ar增透膜。7.一种倒装vcsel芯片的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；在所述衬底的第二表面形成第一布拉格反射镜层；在所述第一布拉格反射镜层背离所述衬底的表面形成高铝氧化层，所述高铝氧化层上具有可供电流流通的窗口区；在所述高铝氧化层背离所述第一布拉格反射镜层的一侧形成量子阱层；在所述量子阱层背离所述高铝氧化层的一侧形成有第二布拉格反射镜层；形成介质膜层，所述介质膜层覆盖所述第二布拉格反射镜层、所述量子阱层和所述第一布拉格反射镜层的侧壁以及延伸至所述衬底的第二表面，且所述介质膜层部分覆盖所述第二布拉格反射镜层背离所述量子阱层一侧的表面；形成第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述第二布拉格反射镜层背离所述量子阱层的表面上，且覆盖暴露出的所述第二布拉格反射镜层的表面，所述第二电极位于所述衬底的第二表面上且自所述衬底的第二表面延伸至所述介质膜层背离所述第二布拉格反射镜层的表面，第二电极与所述第一电极之间电隔离，且所述第二电极与所述第一电极位于同一平面上；
对所述衬底进行减薄，并在所述衬底的第一表面形成与所述高铝氧化层上的窗口区所对应的微透镜结构，在所述微透镜结构的表面蒸镀ar增透膜。8.如权利要求7所述的倒装vcsel芯片的制作方法，其特征在于，所述的在所述第一布拉格反射镜层背离所述衬底的表面形成有高铝氧化层，所述高铝氧化层上具有可供电流流通的窗口区，包括：在所述第一布拉格反射镜层背离所述衬底的表面形成高铝algaas层，将所述高铝algaas层与所述微透镜结构相对应位置处保持不变以形成所述窗口区，其余部分的所述高铝algaas层通过湿氧氧化形成所述高铝氧化层。9.如权利要求8所述的倒装vcsel芯片的制作方法，其特征在于，所述第二布拉格反射镜层的对数大于所述第一布拉格反射镜层的对数。10.如权利要求8所述的倒装vcsel芯片的制作方法，其特征在于，通过研磨、抛光工艺对所述衬底进行减薄；采用光刻和icp刻蚀工艺制作微透镜结构。
技术总结
本发明公开了一种倒装VCSEL芯片结构及其制作方法，结构包括衬底、第一布拉格反射镜层、量子阱层、第二布拉格反射镜层以及介质膜层。衬底具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面上形成有聚焦功能的微透镜结构；第一布拉格反射镜层设置于衬底的第二表面上；量子阱层设置于第一布拉格反射镜层背离衬底的一侧；第二布拉格反射镜层设置于量子阱层背离第一布拉格反射镜层的一侧；介质膜层覆盖第二布拉格反射镜层、量子阱层和第一布拉格反射镜层的侧壁以及延伸至衬底的第二表面，且介质膜层部分覆盖第二布拉格反射镜层背离量子阱层一侧的表面。本发明的倒装VCSEL芯片结构，其自带具有聚焦功能的微透镜结构，简化了VCSEL芯片的封装工艺。装工艺。装工艺。
技术研发人员：祝进田
受保护的技术使用者：杰创半导体（苏州）有限公司
技术研发日：2022.06.28
技术公布日：2022/9/30