技术特征：
1.基于fin-fet栅结构hemt，包括沿器件垂直方向由下至上层叠生长的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、p-gan层和栅电极，沟道层两侧相对生长有源电极和漏电极，源电极、漏电极均为欧姆接触电极，栅电极为p-gan肖特基接触电极，其特征在于：通过p-gan层部分刻蚀与栅介质淀积，在由栅电极与p-gan层构成的肖特基二极管d
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两端并联一由栅电极电压控制的常开型fin-fet，fin-fet一端通过欧姆接触与源电极连接。2.根据权利要求1所述的基于fin-fet栅结构hemt，其特征在于：所述fin-fet具体为fin-mosfet。3.根据权利要求2所述的基于fin-fet栅结构hemt，其特征在于：所述p-gan层为鳍式结构p-gan层，且仅存于栅电极下方；p-gan层上由下至上分别生长有欧姆接触金属电极、介质层和栅电极，所述欧姆接触金属电极生长于p-gan层鳍表面；介质层覆盖欧姆接触金属电极以及p-gan层鳍的侧壁；栅电极覆盖介质层以及p-gan层表面。4.根据权利要求3所述的基于fin-fet栅结构hemt，其特征在于：所述源电极和栅电极之间的区域、栅电极和漏电极之间的区域、以及栅电极、源电极、漏电极表面均淀积有钝化层。5.根据权利要求3所述的基于fin-fet栅结构hemt，其特征在于：鳍式结构的长度为30nm-200nm，高度为60nm-400nm。6.根据权利要求3所述的基于fin-fet栅结构hemt，其特征在于：所述欧姆接触金属电极为由第一导电材料、第二导电材料制备的合金层，第一导电材料为ti、al、ni、au、pd中的一种或多种的组合；第二导电材料为ti、al、ni、au、pd中的一种或多种的组合。7.根据权利要求3所述的基于fin-fet栅结构hemt，其特征在于：所述介质层为al2o3、sio2、sinx中任意一种。8.根据权利要求1-7任一项所述的基于fin-fet栅结构hemt的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：在衬底上依次生长缓冲层、沟道层、势垒层；在势垒层上生长p-gan层；在p-gan层表面制作欧姆接触金属电极；对p-gan层进行鳍刻蚀，形成鳍式结构p-gan层；在欧姆接触金属电极、鳍侧壁上制作介质层；在介质层上制作栅电极；去除栅电极区域外的p-gan层；在势垒层上制作源电极和漏电极。9.根据权利要求8所述的基于fin-fet栅结构hemt的制作方法，其特征在于：所述方法还包括钝化保护步骤：在势垒层上淀积钝化层，钝化层覆盖在源电极和栅电极之间、栅电极和漏电极之间的区域、以及栅电极、源电极、漏电极表面。10.根据权利要求9所述的基于fin-fet栅结构hemt的制作方法，其特征在于：所述方法还包括电极引线制作步骤：制作电极图形；去除电极区域的钝化层，形成互联开孔；
制作电极引线掩模图形；对制作好掩模的基片进行引线电极金属蒸发，最后在引线电极金属蒸发完成后进行剥离，得到完整的引线电极。
技术总结
本发明公开了基于Fin-FET栅结构HEMT及其制作方法，属于微电子与固体电子学技术领域，包括由下至上生长的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、P-GaN层和栅电极，沟道层两侧生长有源电极和漏电极；通过p-GaN层部分刻蚀与栅介质淀积，在由栅电极与P-GaN层构成的肖特基二极管两端并联一由栅电极电压控制的常开型Fin-FET，并且器件一端通过欧姆接触与源电极连接。通过在p-GaN栅结构中引入Fin-FET，栅电极利用Fin-FET开关进而调控p-GaN层的电位进而改变沟道电位，使得器件的阈值电压不依赖外延层结构，改善了传统P-GaN HEMT阈值电压低的问题。HEMT阈值电压低的问题。HEMT阈值电压低的问题。
技术研发人员：王中健 曹远迎
受保护的技术使用者：成都功成半导体有限公司
技术研发日：2022.07.11
技术公布日：2022/8/8