技术特征：
1.一种nldmos器件，其特征在于，所述nldmos器件包括：衬底；设于所述衬底上的p型体区与n型漂移区；设于所述n型漂移区上的具有特定开口的场氧化层；以及设于所述p型体区与所述场氧化层上的栅极，其中，所述特定开口的一侧超过所述栅极同侧的外沿，位于所述特定开口内的所述场氧化层的厚度在预设范围内。2.根据权利要求1所述的nldmos器件，其特征在于，位于所述特定开口内的所述场氧化层的厚度相同。3.根据权利要求1所述的nldmos器件，其特征在于，所述特定开口的横向长度占所述场氧化层的横向长度的比例为预设比例。4.根据权利要求1所述的nldmos器件，其特征在于，所述nldmos器件还包括：设于所述n型漂移区上的第一p型埋层，其中，所述第一p型埋层的位置与所述特定开口的位置相对应。5.根据权利要求1所述的nldmos器件，其特征在于，所述nldmos器件还包括：设于所述衬底上的第二p型埋层，其中，所述第二p型埋层连接所述p型体区与所述n型漂移区。6.根据权利要求1所述的nldmos器件，其特征在于，所述nldmos器件还包括：设于所述衬底上的第一高压n型阱区，其中，所述p型体区与所述n型漂移区设于所述第一高压n型阱区上；或者设于所述衬底上的第二高压n型阱区、n型隔离层与第三高压n型阱区，其中，所述第二高压n型阱区、所述n型隔离层与所述第三高压n型阱区形成包围所述p型体区与所述n型漂移区的隔离空间。7.根据权利要求 1 所述的 nldmos器件，其特征在于，所述nldmos器件还包括：设于所述n型漂移区上的n型重掺杂区，其中，所述场氧化层的一侧与所述n型重掺杂区相接。8.根据权利要求1所述的nldmos器件，其特征在于，所述衬底为p型衬底。9.一种nldmos器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：形成衬底；在所述衬底上形成p型体区与n型漂移区；在所述n型漂移区上形成具有特定开口的场氧化层；以及在所述p型体区与所述场氧化层上形成栅极，其中，所述特定开口的一侧超过所述栅极同侧的外沿，位于所述特定开口内的所述场氧化层的厚度在预设范围内。10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：通过特定掩膜版在所述n型漂移区上形成第一p型埋层，相应地，所述在所述n型漂移区上形成具有特定开口的场氧化层包括：在所述n型漂移区上形成初始场氧化层；以及通过所述特定掩膜版在所述初始场氧化层上形成所述特定开口，以获取具有所述特定
开口的所述场氧化层，其中，所述第一p型埋层的位置与所述特定开口的位置相对应。11.一种芯片，其特征在于，该芯片包括权利要求1-8中任一项所述的nldmos器件。
技术总结
本发明涉及半导体技术领域，公开了一种NLDMOS器件、NLDMOS器件的制备方法及芯片。所述NLDMOS器件包括：衬底；设于所述衬底上的P型体区与N型漂移区；设于所述N型漂移区上的具有特定开口的场氧化层；以及设于所述P型体区与所述场氧化层上的栅极，其中，所述特定开口的一侧超过所述栅极同侧的外沿，位于所述特定开口内的所述场氧化层的厚度在预设范围内。本发明有效地改善了击穿电压和导通电阻互相矛盾的问题，能够提高NLDMOS器件的击穿电压并且降低NLDMOS器件的导通电阻。低NLDMOS器件的导通电阻。低NLDMOS器件的导通电阻。
技术研发人员：吴波 赵东艳 王于波 陈燕宁 付振 刘芳 邓永锋 王凯 郁文 刘倩倩 余山 王帅鹏
受保护的技术使用者：北京智芯微电子科技有限公司
技术研发日：2022.07.11
技术公布日：2022/8/5