技术特征：
1.一种rc-igbt器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在n型衬底层的正面设置第一沟槽和第二沟槽；在所述第一沟槽内形成第一栅极氧化层和第一多晶硅，在所述第二沟槽内形成第二栅极氧化层和第二多晶硅；在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的n型衬底层上注入p型掺杂离子形成p型阱区；在所述p型阱区上形成多个n型源极区，多个所述n型源极区之间互不接触；在每个所述n型源极区上设置接触孔，并通过所述接触孔在所述p型阱区内注入p型掺杂离子，以形成二极管阳极区；在所述n型衬底层的背面形成缓冲层；在所述缓冲层上形成二极管阴极区以及电荷收集区。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述n型衬底层的正面设置第一沟槽和第二沟槽，包括：在光罩的遮盖下对所述n型衬底层的正面进行刻蚀形成互相平行的第一沟槽和第二沟槽。3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一沟槽内形成第一栅极氧化层和第一多晶硅，在所述第二沟槽内形成第二栅极氧化层和第二多晶硅，包括：对所述第一沟槽和所述第二沟槽进行热氧化处理，以在所述第一沟槽内形成第一栅极氧化层，在所述第二沟槽内形成第二栅极氧化层；填充多晶硅材料，以在所述第一沟槽内形成第一多晶硅，在所述第二沟槽内形成第二多晶硅。4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述p型阱区上形成多个n型源极区，包括：通过在所述p型阱区上的多个区域注入n型掺杂离子，以形成多个依次排列的n型源极区；其中，多个所述n型源极区与所述第一沟槽垂直。5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在每个所述n型源极区上设置接触孔，包括：通过光罩在多个所述n型源极区上形成多个短条状的接触孔；其中，所述接触孔的深度大于所述n型源极区的厚度。6.一种rc-igbt器件，其特征在于，所述rc-igbt器件包括：n型衬底层，所述n型衬底层的正面内还设有第一沟槽和第二沟槽；第一栅极氧化层和第二栅极氧化层，其中，所述第一栅极氧化层设于所述第一沟槽的内壁，所述第二栅极氧化层设于所述第二沟槽的内壁；第一多晶硅和第二多晶硅，其中，所述第一多晶硅设于所述第一栅极氧化层内，所述第二多晶硅设于所述第二栅极氧化层内；p型阱区，设于所述第一沟槽和所述第二沟槽之间，且位于所述n型衬底层上；多个n型源极区，设于所述p型阱区上，多个所述n型源极区之间互不接触；多个二极管阳极区，分别设于多个所述n型源极区下，且位于所述p型阱区内；缓冲层，设于所述n型衬底层的背面；二极管阴极区和电荷收集区，设于所述缓冲层上。
7.如权利要求6所述的rc-igbt器件，其特征在于，所述第一沟槽和所述第二沟槽互相平行。8.如权利要求6所述的rc-igbt器件，其特征在于，多个所述n型源极区依序排列，且多个所述n型源极区与所述第一沟槽垂直。9.如权利要求6所述的rc-igbt器件，其特征在于，所述二极管阳极区的长度大于所述n型源极区的宽度。10.如权利要求9所述的rc-igbt器件，其特征在于，所述二极管阳极区的宽度小于所述n型源极区的长度。
技术总结
本申请属于功率器件技术领域，提供了一种RC-IGBT器件及其制备方法，其中，在N型衬底层的正面设置第一沟槽和第二沟槽，分别用于形成第一多晶硅和第二多晶硅；在第一沟槽和第二沟槽之间的N型衬底层上注入P型掺杂离子形成P型阱区，在P型阱区上形成多个互不接触的N型源极区，通过在多个N型源极区的位置形成多个短条状的接触孔，从而通过接触孔在P型阱区内注入P型掺杂离子，以形成二极管阳极区，达到减小二极管的有效面积的目的，从而减小二极管的反向恢复电流，解决了常规RC-IGBT受限于集成二极管时会面临反向恢复电流较大的问题。管时会面临反向恢复电流较大的问题。管时会面临反向恢复电流较大的问题。
技术研发人员：马千成 刘杰
受保护的技术使用者：深圳芯能半导体技术有限公司
技术研发日：2022.07.12
技术公布日：2022/8/12