基板处理方法以及基板处理装置与流程

1.本发明涉及一种基板处理方法以及基板处理装置。基板例如是半导体晶片、液晶显示器用基板、有机电致发光(electroluminescence，el)用基板、平板显示器(flat panel display，fpd)用基板、光显示器用基板、磁盘用基板、光盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、太阳能电池用基板。


背景技术：

2.日本专利特开2018-56155公报公开了一种对收容在腔室内的基板进行处理的基板处理方法。基板处理方法具有第一工序、第二工序及第三工序。第一工序中，在腔室的内部经减压的状态(decompressed state)下，将异丙醇的蒸气供给至基板。第二工序中，在腔室的内部经减压的状态下，将疏水剂供给至基板。疏水剂使基板的表面疏水化。第三工序中，在腔室的内部经减压的状态下，将异丙醇的蒸气供给至基板。第三工序中，在基板上，疏水剂被置换为异丙醇。


技术实现要素：

3.[发明所要解决的问题]
[0004]
以往的基板处理方法中，有时会有大量的颗粒附着于基板。基板上的颗粒会使基板的洁净度下降。基板上的颗粒会使基板的处理品质下降。
[0005]
本发明是有鉴于此种状况而完成，其目的在于提供一种能够降低基板上的颗粒的基板处理方法以及基板处理装置。
[0006]
[解决问题的技术手段]
[0007]
本发明人等为了解决所述问题进行了专心研究，结果获得如下所述的见解。以往的基板处理方法的第二工序中，疏水剂与基板以及基板上的异丙醇接触。因此，有时会在基板上生成颗粒。而且，疏水剂的未反应成分仍残留在基板上，所述未反应成分有时会成为残留的颗粒。以往的基板处理方法的第三工序中，对基板供给的异丙醇为气相。因而，第三工序中，基板所接受的异丙醇的量。例如，第三工序中，基板所接受的异丙醇的质量少。由于基板所接受的异丙醇的量少，因此基板上的颗粒有时无法被适当去除。其结果，有时会有大量的颗粒残留在基板上。
[0008]
因此，本发明人等研讨了变更第三工序。在经变更的第三工序中，置换向基板供给异丙醇蒸气的做法，而是将基板浸渍于贮存在处理槽的异丙醇液体中。根据经变更的第三工序，基板上的颗粒有可能会被较佳地去除。
[0009]
但是，本发明人等发现，经变更的第三工序存在新的问题。具体而言，在腔室的内部经减压的状态下，难以执行经变更的第三工序。在腔室的内部经减压的状态下，难以准备贮存有异丙醇的处理槽。
[0010]
本发明是基于这些见解，通过进一步专心研讨而获得，采用如下所述的结构。即，本发明是一种基板处理方法，一次处理收容在一个腔室内的多个基板，所述基板处理方法
包括：第一气体处理工序，在所述腔室的内部经减压的状态下，将包含有机溶剂的气体的第一气体供给至所述腔室内的所述基板；疏水处理工序，在所述第一气体处理工序之后，在所述腔室的内部经减压的状态下，对所述腔室内的所述基板供给疏水剂；以及散布工序，在所述疏水处理工序之后，在所述腔室的内部经减压的状态下，向所述腔室内的所述基板散布包含有机溶剂的液体的第一液。
[0011]
基板处理方法是一次处理收容在一个腔室的多个基板。基板处理方法包括第一气体处理工序、疏水处理工序以及散布工序。第一气体处理工序、疏水处理工序与散布工序是依此顺序来执行。在第一气体处理工序、疏水处理工序以及散布工序中，腔室的内部处于经减压的状态。在第一气体处理工序中，将第一气体供给至腔室内的基板。第一气体包含有机溶剂的气体。基板接受第一气体的有机溶剂。第一气体中的有机溶剂的气体在基板的表面结露，在基板的表面变为有机溶剂的液体。在疏水处理工序中，将疏水剂供给至腔室内的基板。基板接受疏水剂。疏水剂使基板的表面疏水化。在疏水处理工序中，疏水剂与基板以及基板上的有机溶剂接触。因此，在基板上，有时会生成颗粒。在散布工序中，将第一液散布至腔室内的基板。在腔室的内部经减压的状态下，将第一液散布至基板也容易。第一液包含有机溶剂的液体。基板接受第一液。由于第一液为液体，因此基板在散布工序中接受的第一液的量相对较大。例如，基板在散布工序中接受的第一液的质量相对较大。因而，在散布工序中，第一液较佳地去除基板上的颗粒。因此，基板上的颗粒的量较佳地降低。其结果，基板的洁净度较佳地提高。基板的处理品质较佳地提高。
[0012]
如上所述，基板处理方法能够较佳地降低基板上的颗粒。
[0013]
所述的基板处理方法中，优选的是，所述散布工序散布所述第一液的液滴以及所述第一液的液雾中的至少任一种。在散布工序中，第一液被效率良好地供给至基板。
[0014]
所述的基板处理方法中，优选的是，所述散布工序是通过喷淋头喷嘴以及双流体喷嘴中的至少任一种来散布所述第一液。在散布工序中，第一液被效率良好地供给至基板。
[0015]
所述的基板处理方法中，优选的是，在所述散布工序中，进而在所述腔室内使所述基板上下移动或摆动。在散布工序中，第一液更均匀地附着于整个基板。
[0016]
所述的基板处理方法中，优选的是，所述散布工序包含第一散布工序与第二散布工序中的至少任一种，所述第一散布工序是散布已被稀释为所述第一液的有机溶剂，所述第二散布工序是散布未被稀释为所述第一液的有机溶剂。第一散布工序中，第一液是被稀释的有机溶剂。因此，在第一散布工序中使用的有机溶剂的量较佳地降低。第二散布工序中，第一液是未被稀释的有机溶剂。因此，第二散布工序中，第一液的表面张力小。因而，在第二散布工序中，第一液不会对基板造成有意的力。其结果，在第二散布工序中，基板较佳地得到保护。
[0017]
所述的基板处理方法中，优选的是还包括：第二气体处理工序，在所述疏水处理工序之后，在所述腔室的内部经减压的状态下，将包含有机溶剂的气体的第二气体供给至所述腔室内的所述基板。在第二气体处理工序中，整个基板被曝露于第二气体。第二气体包含有机溶剂的气体。因此，在第二气体处理工序中，来源于第二气体的有机溶剂快速地附着于整个基板。在第二气体处理工序中，来源于第二气体的有机溶剂均匀地附着于整个基板。因而，在第二气体处理工序中，遍及整个基板的基板洁净度的均匀性提高。
[0018]
所述的基板处理方法中，优选的是，在所述散布工序中供给的所述第一液的量比
在所述第二气体处理工序中供给的所述第二气体的量大。在散布工序中，基板所接受的第一液的量更大。因而，在散布工序中，第一液更适当地去除基板上的颗粒。
[0019]
所述的基板处理方法中，优选的是，执行所述散布工序的时间比执行所述第二气体处理工序的时间长。在散布工序中，基板所接受的第一液的量更大。因而，在散布工序中，基板上的颗粒被更佳地去除。
[0020]
所述的基板处理方法中，优选的是还包括：第一浸渍工序，在所述第一气体处理工序之前，将所述基板浸渍到贮存于处理槽内的第二液中，所述处理槽被设置在所述腔室内，在所述第一气体处理工序、所述疏水处理工序与所述散布工序中，所述基板位于所述处理槽的上方。基板处理方法包括第一浸渍工序。在第一浸渍工序中，处理槽贮存第二液。在第一浸渍工序之后，执行第一气体处理工序、疏水处理工序与散布工序。在第一气体处理工序、疏水处理工序与散布工序中，腔室的内部处于经减压的状态。因此，在第一浸渍工序之后，直至散布工序为止，腔室的内部处于经减压的状态。当腔室的内部处于经减压的状态时，难以将第二液排出至腔室外。因而，当腔室的内部处于经减压的状态时，在处理槽中难以从第二液置换为第一液。因此，在第一浸渍工序之后，直至散布工序为止，难以使用处理槽来将第一液供给至基板。在散布工序中，不使用处理槽而将第一液散布至基板。因此，第一浸渍工序不会限制散布工序的执行。即便在基板处理方法包括第一浸渍工序的情况下，也容易执行散布工序。当然，在基板处理方法包括第一浸渍工序的情况下，散布工序显著有用。
[0021]
进而，在第一气体处理工序、疏水处理工序与散布工序中，基板位于处理槽的上方。因此，在第一气体处理工序中，基板较佳地接受第一处理气体。在疏水处理工序中，基板较佳地接受疏水剂。在散布工序中，基板较佳地接受第一液。
[0022]
所述的基板处理方法中，优选的是还包括：第一加压工序，在所述散布工序之后，将所述腔室的内部从经减压的状态加压至常压状态；以及第一排液工序，在所述第一加压工序之后，将所述腔室的内部保持为常压状态(atmospheric pressure state)，且将所述第二液排出至所述腔室外。第一加压工序是在散布工序之后且第一排液工序之前执行。在第一加压工序中，腔室的内部从经减压的状态加压至常压状态。因此，在第一排液工序中，容易将腔室的内部保持为常压状态。当腔室的内部处于常压状态时，腔室内的气体的压力接近腔室外的气体的压力。因此，在第一排液工序中，容易将腔室内的第二液排出至腔室的外部。
[0023]
所述的基板处理方法中，优选的是，在所述第一排液工序中，将与所述腔室以及所述处理槽中的任一者连通连接的排液管朝腔室外的大气开放，通过所述排液管来将所述第二液排出至所述腔室外。在第一排液工序中，排液管朝腔室外的大气开放。如上所述，在第一排液工序中，腔室的内部处于常压状态。因而，在第一排液工序中，容易通过排液管来将腔室内的第二液排出至腔室外。
[0024]
此处，腔室内的第二液例如包含贮存在处理槽内的第二液。当排液管与处理槽连通连接时，贮存在处理槽内的第二液通过排液管而排出至腔室外。腔室内的第二液例如包含从处理槽放出并积留在腔室内的第二液。当排液管与腔室连通连接时，积留在腔室内的第二液通过排液管而排出至腔室外。
[0025]
所述的基板处理方法中，优选的是，在所述第一加压工序中，将包含有机溶剂与惰
性气体的混合气体供给至所述腔室内的基板。混合气体的惰性气体将腔室的内部从经减压的状态迅速加压至常压状态。混合气体的有机溶剂附着于腔室内的基板而润湿基板。因此，在第一加压工序中，基板不会被干燥。总而言之，在第一加压工序中，不会使腔室内的基板干燥，而腔室的内部从经减压的状态迅速加压至常压状态。
[0026]
所述的基板处理方法中，优选的是，所述混合气体包含所述有机溶剂的气体以及所述有机溶剂的液体中的至少任一种。在混合气体包含有机溶剂的气体的情况下，混合气体中的有机溶剂的气体在基板的表面结露，在基板的表面变为有机溶剂的液体。在混合气体包含有机溶剂的液体的情况下，混合气体中的有机溶剂的液体附着于基板的表面。无论是在混合气体包含有机溶剂的气体的情况下，还是在混合气体包含有机溶剂的液体的情况下，来源于混合气体的有机溶剂均能较佳地润湿基板。因而，混合气体较佳地防止基板被干燥。
[0027]
所述的基板处理方法中，优选的是还包括：第二浸渍工序，在所述第一加压工序之后，使所述基板浸渍到贮存在所述处理槽内的第三液中。在第二浸渍工序中，第三液更佳地去除基板上的颗粒。因而，基板上的颗粒得以更佳地降低。
[0028]
所述的基板处理方法中，优选的是，从所述第一加压工序直至所述基板被浸渍到所述第三液中为止，所述腔室内的气氛包含有机溶剂。从第一加压工序直至基板被浸渍到第三液中为止，腔室内的气氛中所含的有机溶剂润湿基板。因而，从第一加压工序直至第二浸渍工序为止，基板不会被干燥。在散布工序之后且第二浸渍工序之前，基板不会被干燥。因此，在第二浸渍工序中，基板以适当的品质得到处理。
[0029]
所述的基板处理方法中，优选的是，所述第三液为经稀释的有机溶剂以及纯水中的任一种。当第三液为被稀释的有机溶剂时，第三液适当地去除基板上的颗粒。在第三液为纯水时，第三液也适当地去除基板上的颗粒。
[0030]
本发明是一种基板处理装置，包括：腔室，收容多个基板；减压单元，对所述腔室的内部进行减压；第一供给单元，将包含有机溶剂的气体的第一气体供给至所述腔室内的所述基板；第二供给单元，将疏水剂供给至所述腔室内的所述基板；散布单元，将包含有机溶剂的液体的第一液散布至所述腔室内的所述基板；以及控制部，控制所述减压单元、所述第一供给单元、所述第二供给单元及所述散布单元，使它们执行第一气体处理、疏水处理与散布处理，在所述第一气体处理中，在所述腔室的内部通过所述减压单元经减压的状态下，所述第一供给单元将所述第一气体供给至所述基板，在所述疏水处理中，在所述腔室的内部通过所述减压单元经减压的状态下，所述第二供给单元将所述疏水剂供给至所述基板，在所述散布处理中，在所述腔室的内部通过所述减压单元经减压的状态下，所述散布单元将所述第一液散布至所述基板。
[0031]
控制部构成为，执行第一气体处理、疏水处理与散布处理。在第一气体处理、疏水处理以及散布处理中，减压单元将腔室的内部设为经减压的状态。在第一气体处理中，第一供给单元将第一气体供给至腔室内的基板。第一气体包含有机溶剂的气体。基板接受第一气体的有机溶剂。在疏水处理中，第二供给单元将疏水剂供给至腔室内的基板。基板接受疏水剂。疏水剂使基板的表面疏水化。在疏水处理中，疏水剂与基板以及基板上的有机溶剂接触。因此，在基板上，有时会生成颗粒。在散布处理中，散布单元将第一液散布至腔室内的基板。在腔室的内部经减压的状态下，散布单元也容易将第一液散布至基板。第一液包含有机
溶剂的液体。基板接受第一液。基板在散布处理中接受的第一液的量相对较大。例如，基板在散布处理中接受的第一液的质量相对较大。因而，在散布处理中，第一液较佳地去除基板上的颗粒。因此，基板上的颗粒的量较佳地降低。其结果，基板的洁净度较佳地提高。基板的处理品质较佳地提高。
[0032]
如上所述，基板处理装置能够较佳地降低基板上的颗粒。
附图说明
[0033]
为了说明发明，图示了当前认为较佳的若干个实施例，但应理解的是，发明并不限定于图示般的结构以及对策。
[0034]
图1是表示第一实施方式的基板处理装置的内部的正面图。
[0035]
图2是基板处理装置的控制框图。
[0036]
图3是表示第一实施方式的基板处理方法的流程的流程图。
[0037]
图4a至图4e是分别示意性地表示进行第一实施方式的基板处理方法的基板处理装置的图。
[0038]
图5是表示第二实施方式的基板处理装置的内部的正面图。
[0039]
图6是表示第二实施方式的基板处理方法的流程的流程图。
[0040]
图7是表示第二实施方式的基板处理方法的流程的流程图。
[0041]
图8a至图8e是分别示意性地表示进行第二实施方式的基板处理方法的基板处理装置的图。
[0042]
图9a至图9e是分别示意性地表示进行第二实施方式的基板处理方法的基板处理装置的图。
[0043]
图10a至图10e是分别示意性地表示进行第二实施方式的基板处理方法的基板处理装置的图。
[0044]
图11a至图11c是分别示意性地表示进行第二实施方式的基板处理方法的基板处理装置的图。
[0045]
[符号的说明]
[0046]
1：基板处理装置
[0047]
3：腔室
[0048]
5：空间
[0049]
11：处理槽
[0050]
12a：开口
[0051]
12b：排出口
[0052]
13：保持部
[0053]
15：升降机构
[0054]
21、61、71：供给单元
[0055]
22、32、42、52、52a、52b、62、72：喷出部
[0056]
23、33、43、53、53a、53b、63、67、73、77、82：配管
[0057]
24、34、44、54、54a、54b、64、68、74、78：阀
[0058]
25、35、45、55、55a、55b、65、69、75、79：供给源
[0059]
31：供给单元(第二供给单元)
[0060]
41：供给单元(第一供给单元)
[0061]
51：供给单元(散布单元)
[0062]
81：减压单元
[0063]
83：排气泵
[0064]
89：压力传感器
[0065]
91：泄流单元
[0066]
92：泄流阀
[0067]
95：排液单元
[0068]
96：配管(排液管)
[0069]
97：排放阀
[0070]
101：控制部
[0071]
d：经减压的状态
[0072]
g1：第一气体
[0073]
g2：第二气体
[0074]
g3：第三气体
[0075]
h：疏水剂
[0076]
j：常压状态
[0077]
k：混合气体
[0078]
l1：第一液
[0079]
l1a：稀释第一液(被稀释的有机溶剂)
[0080]
l1b：非稀释第一液(未被稀释的有机溶剂)
[0081]
l2：第二液
[0082]
l3：第三液
[0083]
n：惰性气体
[0084]
p1：第一位置
[0085]
p2：第二位置
[0086]
s1～s5、s11～s20、s21～s29：步骤
[0087]
w：基板
[0088]
x、y、z：方向
具体实施方式
[0089]
以下，参照附图来说明本发明的基板处理方法以及基板处理装置。
[0090]
＜1.第一实施方式＞
[0091]
＜1-1.基板处理装置的概要＞
[0092]
图1是表示第一实施方式的基板处理装置1的内部的正面图。基板处理装置1对基板w进行处理。基板处理装置1所进行的处理包含干燥处理。基板处理装置1所进行的处理也可进而包含清洗处理。基板处理装置1被分类为批次式。基板处理装置1一次处理多片基板w。
[0093]
基板w例如为半导体晶片、液晶显示器用基板、有机电致发光(electroluminescence，el)用基板、平板显示器(flat panel display，fpd)用基板、光显示器用基板、磁盘用基板、光盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、太阳能电池用基板。
[0094]
基板w具有薄薄的平板形状。基板w正视具有大致圆形状。
[0095]
基板w具有表面。基板w的表面包含硅氧化膜、多晶硅膜、硅氮化膜以及金属膜中的至少任一种。
[0096]
虽未图示，但基板w具有图案。图案形成在基板w的表面。图案具有凹凸形状。将形成图案的基板w的表面称作图案形成面。
[0097]
基板处理装置1包括腔室3。腔室3收容多个基板w。腔室3一次收容多个基板w。基板w被配置在腔室3的内部。具体而言，腔室3是划分出空间5的容器。空间5相当于腔室3的内部。基板w被配置在空间5内。
[0098]
腔室3是可开闭地构成。当腔室3打开时，空间5开放。当腔室3打开时，腔室3允许基板w在空间5与腔室3的外部之间移动。当腔室3关闭时，空间5被密闭。即，腔室3是可密闭地构成。
[0099]
基板处理装置1包括处理槽11。处理槽11被设置在腔室3内。处理槽11贮存处理液。处理槽11朝上方开放。
[0100]
基板处理装置1包括保持部13。保持部13被设置在腔室3内。保持部13一次保持多个基板w。保持部13将各基板w保持为大致垂直姿势。当保持部13保持基板w时，基板w的图案形成面为大致铅垂。当保持部13保持多个基板w时，多个基板w沿方向x排列成一列。方向x为水平。方向x相对于基板w的图案形成面而大致垂直。
[0101]
图1除了方向x以外，还表示方向y与方向z。方向y为水平。方向y垂直于方向x。方向z为铅垂。方向z垂直于方向x。方向z垂直于方向y。将方向z适当地称作铅垂方向z。
[0102]
基板处理装置1包括升降机构15。升降机构15使保持部13升降。升降机构15例如使保持部13沿铅垂方向z移动。当升降机构15使保持部13升降时，由保持部13所保持的基板w与保持部13一体地升降。
[0103]
升降机构15使基板w移动至第一位置p1与第二位置p2。图1中，以实线来表示处于第一位置p1的基板w。图1中，以虚线来表示处于第二位置p2的基板w。第一位置p1位于腔室3内。第一位置p1位于处理槽11的上方。当基板w位于第一位置p1时，整个基板w不与处理槽11内的处理液接触。第二位置p2位于腔室3内。第二位置p2位于第一位置p1的下方。第二位置p2位于处理槽11内。当基板w位于第二位置p2时，整个基板w被浸渍于处理槽11内的处理液中。
[0104]
基板处理装置1包括供给单元21、供给单元31、供给单元41、供给单元51、供给单元61。供给单元21将惰性气体供给至腔室3。供给单元31将疏水剂供给至腔室3。供给单元41将处理气体供给至腔室3。供给单元51将第一液供给至腔室3。供给单元61将第二液供给至处理槽11。
[0105]
当基板w处于第一位置p1时，供给单元21将惰性气体供给至基板w。当基板w处于第一位置p1时，供给单元31将疏水剂供给至基板w。当基板w处于第一位置p1时，供给单元41将处理气体供给至基板w。当基板w处于第一位置p1时，供给单元51将第一液供给至基板w。
[0106]
供给单元41为本发明中的第一供给单元的示例。供给单元31为本发明中的第二供
给单元的示例。供给单元51为本发明中的散布单元的示例。
[0107]
供给单元21所供给的惰性气体例如为氮气。
[0108]
对供给单元31所供给的疏水剂进行说明。疏水剂使基板w的表面疏水化。疏水剂将基板w的表面改性为疏水性。疏水剂使基板w的表面与水的接触角变大。疏水剂在基板w的表面形成疏水膜。基板w的表面利用疏水剂而涂覆。疏水剂也被称作表面改性剂。疏水剂也被称作防水剂。
[0109]
疏水剂例如包含硅系疏水剂以及金属系疏水剂中的至少任一种。硅系疏水剂是使硅疏水化。硅系疏水剂是使包含硅的化合物疏水化。硅系疏水剂例如为硅烷偶联剂。硅烷偶联剂例如包含六甲基二硅氮烷(hexamethyl disilazane，hmds)、四甲基硅烷(tetramethylsilane，tms)、氟烷基氯硅烷(fluorinated alkyl chlorosilane)、烷基二硅氮烷(alkyl disilazane)以及非氯系疏水剂中的至少一种。非氯系疏水剂例如包含二甲基硅烷基二甲胺(dimethylsilyl dimethylamine)、二甲基硅烷基二乙胺(dimethylsilyl diethylamine)、六甲基二硅氮烷、四甲基二硅氮烷(tetramethyl disilazane)、双(二甲氨基)二甲基硅烷(bis(dimethyl amino)dimethylsiloxane)、n,n-二甲氨基三甲基硅烷、n-(三甲基硅烷基)二甲胺(n-(trimethylsilyl)dimethylamine)以及有机硅烷(organosilane)化合物中的至少一种。金属系疏水剂是使金属疏水化。金属系疏水剂是使包含金属的化合物疏水化。金属系疏水剂例如包含具有疏水基的胺以及有机硅化合物中的至少一种。
[0110]
疏水剂也可进而包含溶剂。例如，溶剂也可对硅系疏水剂以及金属系疏水剂中的至少任一种进行稀释。优选的是，溶剂与有机溶剂具有相溶解性。溶剂例如包含异丙醇(iso propyl alcohol，ipa)、丙二醇单甲醚乙酸酯(propylene glycol monomethyl ether acetate，pgmea)中的至少任一种。
[0111]
疏水剂包含疏水剂的气体以及疏水剂的液体中的至少任一种。供给单元31供给疏水剂的气体以及疏水剂的液体中的至少任一种。例如，疏水剂的气体为疏水剂的蒸气。
[0112]
对供给单元41所供给的处理气体进行说明。处理气体包含有机溶剂的气体。例如，有机溶剂的气体为有机溶剂的蒸气。例如，处理气体中的有机溶剂的浓度高。例如，处理气体实质上仅包含有机溶剂的气体。例如，处理气体实质上不含水(水蒸气)。优选的是，处理气体的有机溶剂具有亲水性。例如，处理气体的有机溶剂为异丙醇(ipa)。
[0113]
处理气体不含疏水剂。
[0114]
对供给单元51所供给的第一液进行说明。第一液包含有机溶剂的液体。例如，第一液实质上仅包含有机溶剂的液体。例如，第一液为有机溶剂的原液。例如，第一液为未被稀释的有机溶剂的液体。例如，第一液实质上不含水。或者，第一液为被稀释的有机溶剂的液体。例如，第一液为通过纯水而稀释的有机溶剂。例如，第一液为纯水与有机溶剂的混合液。例如，第一液的有机溶剂为异丙醇(ipa)。
[0115]
第一液不含疏水剂。
[0116]
对供给单元61所供给的第二液进行说明。例如，第二液为冲洗液。例如，第二液为纯水(去离子水(de ionized water，diw))。
[0117]
例示供给单元21、供给单元31、供给单元41、供给单元51、供给单元61的结构。
[0118]
供给单元21包括喷出部22、配管23以及阀24。喷出部22喷出惰性气体。配管23连接
于喷出部22。配管23进而连接于供给源25。供给源25贮存惰性气体。阀24被设于配管23。当阀24打开时，惰性气体通过配管23而从供给源25流至喷出部22。当阀24打开时，喷出部22喷出惰性气体。当阀24关闭时，惰性气体不通过配管23从供给源25流至喷出部22。当阀24关闭时，喷出部22不喷出惰性气体。
[0119]
同样地，供给单元31、供给单元41、供给单元51、供给单元61分别包括喷出部32、喷出部42、喷出部52、喷出部62、配管33、配管43、配管53、配管63以及阀34、阀44、阀54、阀64。喷出部32喷出疏水剂。喷出部42喷出处理气体。喷出部52喷出第一液。喷出部62喷出第二液。配管33、配管43、配管53、配管63分别连接于喷出部32、喷出部42、喷出部52、喷出部62。配管33、配管43、配管53、配管63分别连接于供给源35、供给源45、供给源55、供给源65。供给源35贮存疏水剂。供给源45贮存处理气体。供给源55贮存第一液。供给源65贮存第二液。阀34、阀44、阀54、阀64分别设于配管33、配管43、配管53、配管63。阀34、阀44、阀54、阀64分别控制喷出部32、喷出部42、喷出部52、喷出部62所进行的喷出。
[0120]
喷出部22、喷出部32、喷出部42、喷出部52、喷出部62被分别设置在腔室3内。喷出部22、喷出部32、喷出部42、喷出部52分别配置在比处理槽11高的位置。喷出部22在方向y上配置在位于第一位置p1的基板w的两侧。喷出部32、喷出部42、喷出部52也与喷出部22同样地配置。喷出部62被配置在处理槽11内。
[0121]
喷出部22包含管状构件。管状构件沿方向x延伸。管状构件具有多个喷出口(未图示)。多个喷出口沿方向x排列。喷出部22从多个喷出口吹出惰性气体。喷出部32、喷出部42具有与喷出部22的结构类似的结构。
[0122]
喷出部52将第一液散布至腔室3内。例如，喷出部52将第一液的液滴以及第一液的液雾中的至少任一种散布至腔室3内。例如，喷出部52呈广角地散布第一液。例如，喷出部52广范围地分配第一液。
[0123]
例如，喷出部52包含多个(例如二十个)喷淋头喷嘴。多个喷淋头喷嘴沿方向x排列成两列。各喷淋头喷嘴具有多个喷出口(未图示)。各喷淋头喷嘴从多个喷出口喷出第一液。各喷淋头喷嘴呈淋浴状地喷出第一液。各喷淋头喷嘴散布第一液的大量液滴。
[0124]
供给源45除了贮存处理气体以外，也可进一步生成处理气体。尽管省略图示，但供给源45例如包括贮槽与加热器。贮槽与配管43连通连接。贮槽贮存有机溶剂的液体。加热器对贮槽内的有机溶剂的液体进行加热。在贮槽内中，有机溶剂的液体气化而成为有机溶剂的蒸气。即，在贮槽内生成处理气体。
[0125]
基板处理装置1包括减压单元81。减压单元81对腔室3的内部进行减压。具体而言，减压单元81将腔室3内的气体排出至腔室3的外部。此处，当减压单元81对腔室3的内部进行减压时，腔室3内的气体的压力既可持续减少，也可不持续减少。当减压单元81对腔室3的内部进行减压时，腔室3内的气体的压力例如也可维持为规定的负压范围内。
[0126]
例示减压单元81的结构。减压单元81包含配管82与排气泵83。配管82以及排气泵83被设在腔室3的外部。配管82与腔室3连通连接。排气泵83被设于配管82。排气泵83例如为真空泵。当减压单元81运转时，排气泵83经由配管82来将腔室3内的气体排出至腔室3的外部。当减压单元81停止运转时，排气泵83不将腔室3内的气体排出至腔室3的外部。
[0127]
图2是基板处理装置1的控制框图。基板处理装置1包括控制部101。控制部101对基板处理装置1的各元件进行控制。具体而言，控制部101控制升降机构15。控制部101控制供
给单元21、供给单元31、供给单元41、供给单元51、供给单元61。控制部101控制阀24、阀34、阀44、阀54、阀64。控制部101控制减压单元81。控制部101控制排气泵83。
[0128]
控制部101是通过执行各种处理的中央运算处理装置(中央处理器(central processing unit，cpu))、作为运算处理的作业区域的随机存取存储器(random access memory，ram)以及固定磁盘等的存储介质等来实现。控制部101具有预先保存在存储介质中的各种信息。控制部101所具有的信息例如是用于对基板处理装置1进行控制的处理信息。处理信息也被称作处理程序库。
[0129]
＜1-2.基板处理装置的动作例＞
[0130]
在与基板处理装置1不同的装置(未图示)中，对基板w进行湿式蚀刻处理。湿式蚀刻处理例如是对基板w供给蚀刻液的处理。随后，基板w被搬送至基板处理装置1。腔室3打开。多个基板w进入腔室3内。保持部13接纳多个基板w。在腔室3收容有基板w的状态下，腔室3关闭。
[0131]
在腔室3关闭的状态下，基板处理装置1对基板w执行基板处理方法。基板处理方法是一次处理收容在腔室3内的多个基板w。以下例示具体的基板处理方法。
[0132]
图3是表示第一实施方式的基板处理方法的流程的流程图。基板处理方法包括第一浸渍工序、第一气体处理工序、疏水处理工序、散布工序与干燥工序。第一浸渍工序、第一气体处理工序、疏水处理工序、散布工序与干燥工序是依此次序来执行。
[0133]
图4a是示意性地表示第一浸渍工序中的基板处理装置1的图。图4b是示意性地表示第一气体处理工序中的基板处理装置1的图。图4c是示意性地表示疏水处理工序中的基板处理装置1的图。图4d是示意性地表示散布工序中的基板处理装置1的图。图4e是示意性地表示干燥工序中的基板处理装置1的图。图4a至图4e分别简洁地表示基板处理装置1。例如，图4a至图4e分别省略保持部13以及升降机构15的图示。以下的说明中，基板处理装置1的各元件通过控制部101的控制来运行。
[0134]
步骤s1：第一浸渍工序
[0135]
参照图4a。处理槽11贮存从供给单元61供给的第二液l2。升降机构15使基板w移动至第二位置p2。基板w被浸渍在处理槽11内的第二液l2中。
[0136]
步骤s2：第一气体处理工序(第一气体处理)
[0137]
参照图4b。供给单元41将处理气体供给至腔室3内。本说明书中，将在第一气体处理工序中对腔室3供给的处理气体适当地称作“第一气体g1”。减压单元81运转。即，减压单元81对腔室3内进行减压。图4b中的“vac”表示减压单元81正在运转中。腔室3的内部处于经减压的状态(decompressed state)d。当腔室3的内部处于经减压的状态d时，腔室3内的气体的压力为负压。在腔室3内形成第一气体g1的气氛。升降机构15使基板w从第二位置p2移动至第一位置p1。基板w从处理槽11内的第二液l2中被提起。在腔室3的内部经减压的状态d下，供给单元41将第一气体g1供给至腔室3内的基板w。基板w被曝露于第一气体g1中。第一气体g1中所含的有机溶剂的气体在基板w的表面结露。即，第一气体g1中所含的有机溶剂的气体在基板w的表面变为有机溶剂的液体。来源于第一气体g1的有机溶剂的液体附着于基板w上。来源于第一气体g1的有机溶剂去除基板w上的第二液l2。由于腔室3的内部处于经减压的状态d，因此在基板w上从第二液l2迅速置换为有机溶剂。来源于第一气体g1的有机溶剂的液体覆盖基板w的表面。
[0138]
步骤s3：疏水处理工序(疏水处理)
[0139]
参照图4c。基板w位于第一位置p1。减压单元81正处于运转中。腔室3的内部保持为经减压的状态d。供给单元41停止第一气体g1的供给。供给单元31将疏水剂h供给至腔室3内的基板w。疏水剂h附着于基板w。在供给单元31供给疏水剂h的气体的情况下，疏水剂h的气体在基板w的表面结露，在基板w的表面变为疏水剂h的液体。在供给单元31供给疏水剂h的液体的情况下，疏水剂h的液体附着于基板w的表面。由于腔室3的内部处于经减压的状态d，因此在基板w上从有机溶剂的液体迅速置换为疏水剂h。疏水剂h覆盖基板w的表面。疏水剂h使基板w疏水化。
[0140]
基板w上的疏水剂h的一部分变为疏水膜。疏水膜形成在基板w的表面。基板w上的疏水剂h的另一部分成为疏水剂h的未反应成分。疏水剂h的未反应成分未发生反应，而就此残留在基板w上。疏水剂h的未反应成分也被称作疏水剂h的残留成分或者疏水剂h的剩余成分。进而，基板w上的疏水剂h的另一部分有时会变为颗粒。颗粒也被称作异物。来源于疏水剂h的颗粒例如是因疏水剂h与有机溶剂接触而生成。来源于疏水剂h的颗粒例如是因疏水剂h与基板w接触而生成。进而，疏水剂h的未反应成分有时会成为来源于疏水剂h的颗粒。
[0141]
步骤s4：散布工序(散布处理)
[0142]
参照图4d。基板w位于第一位置p1。减压单元81正处于运转中。腔室3的内部保持为经减压的状态d。供给单元31停止疏水剂h的供给。供给单元51将第一液l1散布至腔室3内的基板w。供给单元51例如散布第一液l1的液滴以及第一液l1的液雾中的至少任一种。供给单元51例如通过喷淋头喷嘴来散布第一液l1。第一液l1附着于基板w。第一液l1去除基板w上的未反应的疏水剂h。第一液l1也去除基板w上的来源于疏水剂h的颗粒。由于腔室3的内部处于经减压的状态d，因此在基板上从疏水剂h迅速置换为第一液l1。由于腔室3的内部处于经减压的状态d，因此来源于疏水剂h的颗粒也迅速地从基板w去除。第一液l1覆盖基板w的表面。
[0143]
在散布工序中，升降机构15也可使基板w静止在第一位置p1。或者，在散布工序中，升降机构15也可使基板w上下移动。例如，升降机构15也可在第一位置p1附近使基板w上下移动。例如，升降机构15也可使基板w沿铅垂方向z上下移动。或者，升降机构15也可进而包括使基板w摆动的未图示的机构。升降机构15也可通过所述机构来使基板w摆动。在基板w上下移动或摆动的情况下，整个基板w较佳地接受第一液l1。在基板w上下移动或摆动的情况下，第一液l1更均匀地附着于基板w的整个表面。
[0144]
步骤s5：干燥工序
[0145]
基板w位于第一位置p1。减压单元81正处于运转中。腔室3的内部保持为经减压的状态d。供给单元51停止第一液l1的散布。供给单元21将惰性气体n供给至基板w。基板w被曝露于惰性气体n。惰性气体n去除基板w上的第一液l1。通过从基板w去除第一液l1，基板w得以干燥。
[0146]
此处，基板w经疏水化。因此，当第一液l1从基板w被去除时，第一液对基板w造成的力小。由于腔室3的内部处于经减压的状态d，因此第一液l1在短时间便从基板w被去除。因此，当第一液l1从基板w被去除时，第一液对基板w造成的力更小。因此，当第一液l1从基板w被去除时，基板w较佳地得到保护。当第一液l1从基板w被去除时，基板w上的图案较佳地得到保护。例如，当第一液l1从基板w被去除时，可较佳地防止图案的崩坏。
[0147]
尽管省略图示，但在干燥工序之后，腔室3的内部受到加压。例如，供给单元61供给惰性气体n，且减压单元81停止运转。由此，腔室3内的压力上升。腔室3的内部从经减压的状态d成为常压状态(atmospheric pressure state)。
[0148]
对常压状态进行说明。腔室3的内部为常压状态是指：腔室3内的气体的压力为常压。常压并非特定的一个值，而是以两个不同的值来规定的范围。常压比腔室3的内部处于经减压的状态d时的腔室3内的气体的压力高。常压接近腔室3外部的气体的压力。例如，常压与腔室3外部的气体的压力实质上相等。例如，常压包含标准大气压(一大气压，101325pa)。
[0149]
在腔室3成为常压状态之后，腔室3开放。并且，腔室3内的基板w被搬出至腔室3外。
[0150]
＜1-3.第一实施方式的效果＞
[0151]
基板处理方法包括第一气体处理工序、疏水处理工序与散布工序。在第一气体处理工序中，腔室3的内部处于经减压的状态d，且将第一气体g1供给至腔室3内的基板w。第一气体g1包含有机溶剂的气体。疏水处理工序是在第一气体处理工序之后执行。在疏水处理工序中，腔室3的内部处于经减压的状态d，且将疏水剂h供给至腔室3内的基板w。散布工序是在疏水处理之后执行。在散布工序中，腔室3的内部处于经减压的状态d，且将第一液l1散布至腔室3内的基板w。在腔室3的内部经减压的状态d下，也容易将第一液l1散布至基板w。第一液l1包含有机溶剂的液体。由于第一液为液体，因此第一液l1的密度相对较大。例如，第一液l1的密度大于第一气体g1的密度。因此，基板w在散布工序中所接受的第一液l1的量相对较大。例如，基板w在散布工序中所接受的第一液l1的质量相对较大。因而，在散布工序中，基板w上的颗粒被较佳地去除。因此，基板w上的颗粒的量较佳地降低。其结果，基板w的洁净度较佳地提高。基板w的处理品质较佳地提高。
[0152]
在疏水处理工序中，有时会基板w上生成来源于疏水剂h的颗粒。此时，在散布工序中，第一液l1也能较佳地去除基板w上的来源于疏水剂h的颗粒。
[0153]
如上所述，第一实施方式的基板处理方法能够较佳地降低基板w上的颗粒。
[0154]
在散布工序中，散布第一液l1的液滴以及第一液l1的液雾中的至少任一种。因此，在散布工序中，第一液l1被效率良好地供给至基板w。例如，既能抑制第一液l1的消耗量，又能使第一液l1附着于整个基板w。
[0155]
在散布工序中，第一液l1是通过喷淋头喷嘴来散布。因此，在散布工序中，第一液l1被效率良好地供给至基板w。例如，既能抑制第一液l1的消耗量，又能使第一液l1附着于整个基板w。
[0156]
基板处理方法包括第一浸渍工序。第一浸渍工序是在第一气体处理工序之前执行。在第一浸渍工序中，基板w被浸渍在贮存于处理槽11内的第二液l2中。处理槽11被设置在腔室3内。在第一浸渍工序之后，执行第一气体处理工序、疏水处理工序与散布工序。在第一气体处理工序、疏水处理工序与散布工序中，腔室3的内部处于经减压的状态d。因此，在第一浸渍工序之后，直至散布工序为止，腔室3的内部处于经减压的状态d。当腔室3的内部处于经减压的状态d时，难以将第二液l2排出至腔室3外。因而，当腔室3的内部处于经减压的状态d时，难以在处理槽11中从第二液l2置换为第一液l1。因此，在第一浸渍工序之后，直至散布工序为止，难以使用处理槽11来将第一液l1供给至基板w。在散布工序中，不使用处理槽11而将第一液l1散布至基板w。因此，第一浸渍工序不会限制散布工序的执行。即便在
基板处理方法包括第一浸渍工序的情况下，也容易执行散布工序。当然，在基板处理方法包括第一浸渍工序的情况下，散布工序显著有用。
[0157]
在第一气体处理工序、疏水处理工序与散布工序中，基板w位于处理槽11的上方。具体而言，在第一气体处理工序、疏水处理工序与散布工序中，基板w位于第一位置p1。因此，在第一气体处理工序中，基板w较佳地接受第一气体g1。在疏水处理工序中，基板w较佳地接受疏水剂h。在散布工序中，基板w较佳地接受第一液l1。
[0158]
基板处理装置1包括腔室3、供给单元31、供给单元41、供给单元51、减压单元81以及控制部101。腔室3收容多个基板w。供给单元31将疏水剂h供给至腔室3内的基板w。供给单元41将第一气体g1供给至腔室3内的基板w。供给单元51将第一液l1供给至腔室3内的基板w。减压单元81对腔室3的内部进行减压。控制部101控制供给单元31、供给单元41、供给单元51与减压单元81，使它们执行第一气体处理、疏水处理与散布处理。在第一气体处理中，减压单元81对腔室3的内部进行减压，且供给单元41将第一气体g1供给至基板w。在疏水处理中，减压单元81对腔室3的内部进行减压，且供给单元31将疏水剂h供给至基板w。在散布处理中，减压单元81对腔室3的内部进行减压，且供给单元51将第一液l1散布至基板w。即便在减压单元81对腔室3的内部进行了减压时，供给单元51也能够将第一液l1较佳地散布至基板w。在散布处理中，第一液l1较佳地去除基板w上的颗粒。因此，基板w上的颗粒的量较佳地降低。其结果，基板w的洁净度较佳地提高。基板w的处理品质较佳地提高。
[0159]
在疏水处理中，有时会在基板w上生成来源于疏水剂h的颗粒。此时，在散布处理中，第一液l1也能较佳地去除基板w上的来源于疏水剂h的颗粒。
[0160]
如上所述，第一实施方式的基板处理装置1能够较佳地降低基板w上的颗粒。
[0161]
＜2.第二实施方式＞
[0162]
参照附图来说明第二实施方式。另外，对于与第一实施方式相同的结构标注相同的符号，从而省略详细说明。
[0163]
＜2-1.基板处理装置的概要＞
[0164]
图5是表示第二实施方式的基板处理装置1的内部的正面图。供给单元51供给两种第一液l1。以下，将其中一种第一液l1称作“稀释第一液l1a”。将另一种第一液称作“非稀释第一液l1b”。
[0165]
稀释第一液l1a是被稀释的有机溶剂。稀释第一液l1a是通过纯水而稀释的有机溶剂。稀释第一液l1a是纯水与有机溶剂的混合液。稀释第一液l1a的有机溶剂例如为异丙醇(ipa)。
[0166]
非稀释第一液l1b是未被稀释的有机溶剂。非稀释第一液l1b实质上仅包含有机溶剂的液体。非稀释第一液l1b为有机溶剂的原液。非稀释第一液l1b实质上不含水。非稀释第一液l1b的有机溶剂例如为异丙醇(ipa)。
[0167]
例示供给单元51的结构。供给单元51包括喷出部52a、喷出部52b。喷出部52a、喷出部52b分别被配置在腔室3内。喷出部52a、喷出部52b分别配置在比处理槽11高的位置。喷出部52a在方向y上配置在位于第一位置p1的基板w的两侧。喷出部52a具有与第一实施方式中的喷出部52的结构类似的结构。喷出部52a将稀释第一液l1a散布至腔室3内。同样地，喷出部52b在方向y上配置在位于第一位置p1的基板w的两侧。喷出部52b将非稀释第一液l1b散布至腔室3内。喷出部52b具有与第一实施方式中的喷出部52的结构类似的结构。
[0168]
供给单元51包括配管53a与阀54a。配管53a连接于喷出部52a。配管53a进而连接于供给源55a。供给源55a贮存稀释第一液l1a。阀54a被设于配管53a。阀54a控制喷出部52a对稀释第一液l1a的散布。同样地，供给单元51包括配管53b与阀54b。配管53b连接于喷出部52b。配管53b进而连接于供给源55b。供给源55b贮存非稀释第一液l1b。阀54b被设于配管53b。阀54b控制喷出部52b对非稀释第一液l1b的散布。
[0169]
供给单元61除了第二液l2以外，还将第三液l3供给至处理槽11。第三液l3是被稀释的有机溶剂。第三液l3例如是通过纯水而稀释的有机溶剂。第三液l3例如是纯水与有机溶剂的混合液。
[0170]
例示供给单元61的结构。供给单元61包括配管67与阀68。配管67连接于喷出部62。配管67进而连接于供给源69。供给源69贮存第三液l3。阀68被设于配管67。阀68控制喷出部62对第三液l3的喷出。
[0171]
基板处理装置1包括供给单元71。供给单元71将混合气体供给至腔室3。当基板w处于第一位置p1时，供给单元71将混合气体供给至基板w。
[0172]
对混合气体进行说明。混合气体包含有机溶剂与惰性气体。混合气体为有机溶剂与惰性气体的混合物。混合气体包含有机溶剂的气体以及有机溶剂的液体中的至少任一种。即，混合气体的有机溶剂为气相以及液相中的至少任一种。混合气体中的有机溶剂的气体例如为有机溶剂的蒸气。混合气体中的有机溶剂的液体例如为有机溶剂的液滴或有机溶剂的液雾中的至少任一种。混合气体的有机溶剂例如为异丙醇(ipa)。混合气体的惰性气体例如为氮气。
[0173]
例示供给单元71的结构。供给单元71包括喷出部72。喷出部72被设置在腔室3内。喷出部72配置在比处理槽11高的位置。喷出部72在方向y上配置在位于第一位置p1的基板w的两侧。喷出部72将混合气体喷出至腔室3内。喷出部72包含多个(例如二十个)双流体喷嘴。多个双流体喷嘴沿方向x排列成两列。各双流体喷嘴将有机溶剂与惰性气体予以混合而生成混合气体。例如，各双流体喷嘴生成有机溶剂的液滴以及有机溶剂的液雾中的至少任一种。各双流体喷嘴具有一个喷出口(未图示)。各双流体喷嘴从喷出口喷出混合气体。各双流体喷嘴从喷出口吹出有机溶剂与惰性气体这两者。各双流体喷嘴从喷出口同时吹出有机溶剂与惰性气体这两者。各双流体喷嘴并不独立地吹出有机溶剂与惰性气体。各双流体喷嘴将有机溶剂的液滴以及有机溶剂的液雾中的至少任一种与惰性气体一同予以喷射。
[0174]
供给单元71包括配管73、配管77与阀74、阀78。配管73、配管77分别连接于喷出部72。配管73进而连接于供给源75。供给源75贮存有机溶剂。阀74被设于配管73。阀74控制有机溶剂对喷出部72的供给。配管77进而连接于供给源79。供给源79贮存惰性气体。阀78被设于配管77。阀78控制惰性气体对喷出部72的供给。当阀74、阀78同时打开时，喷出部72喷出混合气体。
[0175]
基板处理装置1具有压力传感器89。压力传感器89被设置在腔室3内。压力传感器89检测腔室3内的气体的压力。
[0176]
处理槽11具有开口12a与排出口12b。开口12a被配置在处理槽11的上部。开口12a足够大。当基板w在第一位置p1与第二位置p2之间移动时，基板w通过开口12a。排出口12b被配置在处理槽11的底部。
[0177]
基板处理装置1包括泄流单元(dump unit)91。泄流单元91放出处理槽11内的处理
液。腔室3接受从处理槽11放出的处理液。从处理槽11放出的处理液积留在腔室3的底部。泄流单元91包括泄流阀92。泄流阀92被设置在腔室3的内部。泄流阀92被安装在处理槽11的底部。泄流阀92与排出口12b连通连接。当泄流阀92打开时，泄流单元91允许处理液通过泄流阀92而从处理槽11的内部流落到处理槽11的外部。当泄流阀92关闭时，泄流单元91允许处理槽11贮存处理液。
[0178]
基板处理装置1包括排液单元95。排液单元95将腔室3内的处理液排出至腔室3的外部。排液单元95包括配管96与排放阀(drain valve)97。配管96被设在腔室3的外部。配管96与腔室3连通连接。配管96具有第一端与第二端。配管96的第一端与腔室3连通连接。配管96的第一端连接于腔室3的底部。配管96从腔室3朝下方延伸。配管96的第二端朝腔室3外的大气开放。排放阀97被设于配管96。排放阀97对配管96进行开闭。当排放阀97打开时，配管96向腔室3的外部开放。当排放阀97打开时，腔室3的内部通过配管96而向腔室3的外部开放。当排放阀97打开时，排液单元95允许腔室3内的处理液通过配管96流出至腔室3的外部。当排放阀97关闭时，腔室3的内部与腔室3的外部阻断。当排放阀97关闭时，排液单元95允许腔室3的内部成为经减压的状态d。
[0179]
配管96为本发明中的排液管的示例。
[0180]
尽管省略图示，但控制部101控制阀68。控制部101控制供给单元71。控制部101控制阀74、阀78。控制部101获取压力传感器89的检测结果。控制部101控制泄流单元91与排液单元95。控制部101控制泄流阀92与排放阀97。
[0181]
＜2-2.基板处理装置的动作例＞
[0182]
图6、图7分别是表示第二实施方式的基板处理方法的流程的流程图。基板处理方法包含步骤s11至步骤s29。步骤s11至步骤s17是依此次序来执行。步骤s18至步骤s20是在步骤s17之后且步骤s21之前执行。步骤s21至步骤s29是依此次序来执行。
[0183]
图8a至图8e、图9a至图9e、图10a至图10e、图11a至图11c是分别示意性地表示步骤s11至步骤s21、步骤s23至步骤s29中的基板处理装置1的图。图8a至图8e等分别简洁地表示基板处理装置1。
[0184]
步骤s11：第一供给工序
[0185]
参照图8a。基板w位于第一位置p1。腔室3的内部处于常压状态j。供给单元61将第二液l2供给至处理槽11。泄流阀92被关闭。处理槽11贮存第二液l2。随后，供给单元61停止第二液l2的供给。
[0186]
步骤s12：第一浸渍工序
[0187]
参照图8b。腔室3的内部处于常压状态j。升降机构15使基板w从第一位置p1移动至第二位置p2。基板w被浸渍在处理槽11内的第二液l2中。
[0188]
步骤s13：气氛形成工序
[0189]
参照图8c。基板w位于第二位置p2，且被浸渍在处理槽11内的第二液l2中。供给单元21将惰性气体n供给至腔室3内。减压单元81开始运转。排放阀97被关闭。腔室3的内部从常压状态j成为经减压的状态d。在腔室3内形成惰性气体n的气氛。
[0190]
步骤s14：气氛形成工序
[0191]
参照图8d。基板w位于第二位置p2，且被浸渍在处理槽11内的第二液l2中。减压单元81正处于运转中。腔室3的内部保持为经减压的状态d。供给单元21停止惰性气体n的供
给。供给单元41将第一气体g1供给至腔室3内。在腔室3内形成第一气体g1的气氛。
[0192]
步骤s15：第一气体处理工序(第一气体处理)
[0193]
参照图8e。减压单元81正处于运转中。腔室3的内部保持为经减压的状态d。供给单元41将第一气体g1供给至腔室3内。升降机构15使基板w从第二位置p2移动至第一位置p1。基板w从处理槽11内的第二液l2被提起。基板w被曝露于第一气体g1。第一气体g1中所含的有机溶剂的气体在基板w的表面变为有机溶剂的液体。来源于第一气体g1的有机溶剂去除基板w上的第二液l2。来源于第一气体g1的有机溶剂的液体覆盖基板w的表面。
[0194]
步骤s16：泄流工序
[0195]
参照图9a。基板w位于第一位置p1。供给单元41将第一气体g1供给至腔室3内的基板w。减压单元81正处于运转中。腔室3的内部保持为经减压的状态d。泄流阀92打开。泄流单元91从处理槽11放出第二液l2。排放阀97被关闭。第二液l2积留在腔室3的底部。
[0196]
步骤s17：疏水处理工序(疏水处理)
[0197]
参照图9b。基板w位于第一位置p1。减压单元81正处于运转中。腔室3的内部保持为经减压的状态d。供给单元41停止第一气体g1的供给。供给单元31将疏水剂h供给至腔室3内的基板w。疏水剂h附着于基板w。在基板w上，从来源于第一气体g1的有机溶剂置换为疏水剂h。疏水剂h覆盖基板w的表面。疏水剂h使基板w疏水化。基板w上的疏水剂h的一部分变为疏水膜。基板w上的疏水剂h的另一部分成为疏水剂h的未反应成分。进而，基板w上的疏水剂h的另一部分有时会变为颗粒。
[0198]
随后，供给单元31停止疏水剂h的供给。
[0199]
步骤s18：第二气体处理工序
[0200]
参照图9c。基板w位于第一位置p1。减压单元81正处于运转中。腔室3的内部保持为经减压的状态d。供给单元41将处理气体供给至腔室3内的基板w。本说明书中，将在第二气体处理工序中供给至腔室3的处理气体适当地称作“第二气体g2”。第二气体g2中所含的有机溶剂的气体在基板w的表面变为有机溶剂的液体。来源于第二气体g2的有机溶剂去除基板w上的未反应的疏水剂h。来源于第二气体g2的有机溶剂也去除基板w上的来源于疏水剂h的颗粒。来源于第二气体g2的有机溶剂的液体覆盖基板w的表面。随后，供给单元41停止第二气体g2的供给。
[0201]
步骤s19：第一散布工序(散布处理)
[0202]
参照图9d。基板w位于第一位置p1。减压单元81正处于运转中。腔室3的内部保持为经减压的状态d。供给单元51将稀释第一液l1a散布至腔室3内的基板w。稀释第一液l1a附着于基板w。稀释第一液l1a去除基板w上的未反应的疏水剂h。稀释第一液l1a也去除基板w上的来源于疏水剂h的颗粒。稀释第一液l1a覆盖基板w的表面。
[0203]
在第一散布工序中，升降机构15也可使基板w静止在第一位置p1。或者，在第一散布工序中，升降机构15也可使基板w上下移动。例如，升降机构15也可在第一位置p1附近使基板w上下移动。例如，升降机构15也可使基板w沿铅垂方向z上下移动。或者，升降机构15也可进而包括使基板w摆动的未图示的机构。升降机构15也可通过所述机构来使基板w摆动。在基板w上下移动或摆动的情况下，整个基板w较佳地接受稀释第一液l1a。在基板w上下移动或摆动的情况下，稀释第一液l1a更均匀地附着于基板w的整个表面。
[0204]
随后，供给单元51停止稀释第一液l1a的散布。
[0205]
步骤s20：第二散布工序(散布处理)
[0206]
参照图9e。基板w位于第一位置p1。减压单元81正处于运转中。腔室3的内部保持为经减压的状态d。供给单元51将非稀释第一液l1b散布至腔室3内的基板w。非稀释第一液l1b附着于基板w。非稀释第一液l1b去除基板w上的未反应的疏水剂h。非稀释第一液l1b也去除基板w上的来源于疏水剂h的颗粒。非稀释第一液l1b覆盖基板w的表面。
[0207]
在第二散布工序中，升降机构15也可使基板w静止在第一位置p1。或者，在第二散布工序中，升降机构15也可使基板w上下移动。例如，升降机构15也可在第一位置p1附近使基板w上下移动。例如，升降机构15也可使基板w沿铅垂方向z上下移动。或者，升降机构15也可进而包括使基板w摆动的未图示的机构。升降机构15也可通过所述机构来使基板w摆动。在基板w上下移动或摆动的情况下，整个基板w较佳地接受非稀释第一液l1b。在基板w上下移动或摆动的情况下，非稀释第一液l1b更均匀地附着于基板w的整个表面。
[0208]
随后，供给单元51停止非稀释第一液l1b的散布。
[0209]
此处，第二气体处理工序、第一散布工序与第二散布工序也可依照任意的顺序来执行。例如，也可在第二气体处理工序之前执行第一散布工序。例如，也可在第二气体处理工序之后执行第一散布工序。例如，第一散布工序也可与第二气体处理工序同时执行。同样地，例如也可在第一散布工序之前及之后中的至少任一时机执行第二散布工序。例如，第二散布工序也可与第一散布工序同时执行。例如，也可在第二散布工序之前及之后中的至少任一时机执行第二气体处理工序。例如，第二气体处理工序也可与第二散布工序同时执行。
[0210]
此处，将第一散布工序与第二散布工序总称为散布工序。将在第一散布工序中供给单元51所供给的稀释第一液l1a的量称作量m1a。将在第二散布工序中供给单元51所供给的非稀释第一液l1b的量称作量m1b。将量m1a与量m1b的合计称作量m1。量m1相当于在散布工序中供给单元51所供给的第一液l1的量。将在第二气体处理工序中供给单元41所供给的第二气体g2的量称作量m2。量m1大于量m2。量m1例如为量m2的两倍以上。量m1a例如大于量m2。量m1a例如为量m2的两倍以上。量m1b例如大于量m2。量m1b例如为量m2的两倍以上。
[0211]
量m1、量m1a、量m1b、量m2例如分别为质量。量m1、量m1a、量m1b、量m2例如分别为体积。在量m1、量m1a、量m1b、量m2分别为体积的情况下，量m2设为换算成液体的值。例如，量m2是第二气体g2冷凝而获得的液体的体积。例如，量m2是为了生成第二气体g2而使用的液体的体积。
[0212]
将执行第一散布工序的时间称作时间t1a。将执行第二散布工序的时间称作时间t1b。将时间t1a与时间t1b的合计称作时间t1。时间t1相当于执行散布工序的时间。将执行第二气体处理工序的时间称作时间t2。时间t1比时间t2长。时间t1a例如比时间t2长。时间t1b例如比时间t2长。
[0213]
将每单位时间的量m1称作流量r1。将每单位时间的量m1a称作流量r1a。将每单位时间的量m1b称作流量r1b。将每单位时间的量m2称作流量r2。流量r1例如是将量m1除以时间t1所得的值。流量r1a例如是将量m1a除以时间t1a所得的值。流量r1b例如是将量m1b除以时间t1b所得的值。流量r2例如是将量m2除以时间t2所得的值。流量r1大于流量r2。流量r1例如为流量r2的两倍以上。流量r1a例如大于流量r2。流量r1a例如为流量r2的两倍以上。流量r1b例如大于流量r2。流量r1b例如为流量r2的两倍以上。
[0214]
步骤s21：第一加压工序
[0215]
参照图10a。基板w位于第一位置p1。减压单元81停止运转。供给单元71将混合气体k供给至腔室3内的基板w。由此，将腔室3的内部从经减压的状态d加压至常压状态j。具体而言，混合气体k的惰性气体将腔室3的内部从经减压的状态d迅速加压至常压状态j。换言之，混合气体k的惰性气体使腔室3内的气体的压力迅速上升。这是因为惰性气体难以冷凝。
[0216]
混合气体k的有机溶剂润湿基板w。例如，当混合气体k包含有机溶剂的气体时，混合气体k中所含的有机溶剂的气体在基板w的表面结露，在基板w的表面变为有机溶剂的液体。例如，当混合气体k包含有机溶剂的液体时，混合气体k中所含的有机溶剂的液体附着于基板w的表面。因此，在第一加压工序中，基板w不会被干燥。不会使基板w干燥而腔室3的内部成为常压状态j。
[0217]
在第一加压工序中，升降机构15也可使基板w静止在第一位置p1。或者，在第一加压工序中，升降机构15也可使基板w上下移动。例如，升降机构15也可在第一位置p1附近使基板w上下移动。例如，升降机构15也可使基板w沿铅垂方向z上下移动。或者，升降机构15也可进而包括使基板w摆动的未图示的机构。升降机构15也可通过所述机构来使基板w摆动。在基板w上下移动或摆动的情况下，整个基板w较佳地接受混合气体k。在基板w上下移动或摆动的情况下，混合气体k的有机溶剂更均匀地附着于基板w的整个表面。
[0218]
步骤s22：判定工序
[0219]
控制部101基于压力传感器89的检测结果来判定腔室3的内部是否已成为常压状态j。例如，控制部101基于压力传感器89的检测结果来获取腔室3内的气体的压力的测量值。控制部101对测量值与基准值进行比较。基准值是在基板处理方法的执行前预先设定。基准值被包含在控制部101所具有的处理信息中。当测量值小于基准值时，控制部101不判定为腔室3的内部已成为常压状态j。当测量值为基准值以上时，控制部101判定为腔室3的内部已成为常压状态j。若控制部101不判定为腔室3的内部已成为常压状态j，则返回步骤s21，继续第一加压工序。若控制部101判定为腔室3的内部已成为常压状态j，则结束第一加压工序，前进至步骤s23。
[0220]
步骤s23：第一排液工序
[0221]
参照图10b。基板w位于第一位置p1。供给单元71将混合气体k供给至腔室3内的基板w。减压单元81处于停止中。腔室3的内部保持为常压状态j。腔室3内的气氛包含来源于混合气体k的有机溶剂。排液单元95将腔室3内的第二液l2排出至腔室3外。具体而言，排放阀97将配管96向腔室3外的大气开放。积留在腔室3内的第二液l2通过配管96而被排出至腔室3外。第二液l2通过配管96而从腔室3的内部流至腔室3的外部。
[0222]
步骤s24：第二供给工序
[0223]
参照图10c。基板w位于第一位置p1。供给单元71将混合气体k供给至腔室3内的基板w。减压单元81处于停止中。腔室3的内部保持为常压状态j。腔室3内的气氛包含来源于混合气体k的有机溶剂。泄流阀92关闭。供给单元61将第三液l3供给至处理槽11。处理槽11贮存第三液l3。
[0224]
步骤s25：第二浸渍工序
[0225]
参照图10d。供给单元71将混合气体k供给至腔室3内的基板w。减压单元81处于停止中。腔室3的内部保持为常压状态j。腔室3内的气氛包含来源于混合气体k的有机溶剂。升降机构15使基板w从第一位置p1移动至第二位置p2。基板w被浸渍在处理槽11内的第三液l3
中。第三液l3对基板w进行清洗。例如，第三液l3去除基板w上的未反应的疏水剂h。例如，第三液l3也去除基板w上的来源于疏水剂h的颗粒。
[0226]
排液单元95将腔室3内的第三液l3排出至腔室3外。排液单元95将从处理槽11溢出(over flow)的第三液l3排出至腔室3外。具体而言，供给单元61持续向处理槽11供给第三液l3。泄流阀92关闭。第三液l3从处理槽11的开口12a溢出。当第三液l3从处理槽11溢出时，从基板w被去除的疏水剂也从处理槽11溢出。当第三液l3从处理槽11溢出时，从基板w被去除的来源于疏水剂h的颗粒也从处理槽11溢出。从处理槽11溢出的第三液l3积留在腔室3的底部。排放阀97打开。配管96向腔室3外的大气开放。积留在腔室3底部的第三液l3通过配管96而流至腔室3外。
[0227]
步骤s26：气氛形成工序
[0228]
参照图10e。基板w位于第二位置p2，且被浸渍在处理槽11内的第三液l3中。供给单元61停止第三液l3的供给。排放阀97关闭。供给单元71停止混合气体k的供给。供给单元41将处理气体供给至腔室3内。本说明书中，将在第二浸渍工序之后供给至腔室3的处理气体适当地称作“第三气体g3”。减压单元81开始运转。腔室3的内部从常压状态j成为经减压的状态d。在腔室3内形成第三气体g3的气氛。
[0229]
步骤s27：第三气体处理工序
[0230]
参照图11a。减压单元81正处于运转中。腔室3的内部保持为经减压的状态d。供给单元41将第三气体g3供给至腔室3内。升降机构15使基板w从第二位置p2移动至第一位置p1。基板w从处理槽11内的第三液l3中被提起。供给单元41将第三气体g3供给至基板w。第三气体g3中所含的有机溶剂的气体在基板w的表面变为有机溶剂的液体。来源于第三气体g3的有机溶剂去除基板w上的第三液l3。来源于第三气体g3的有机溶剂的液体覆盖基板w的表面。
[0231]
步骤s28：干燥工序
[0232]
参照图11b。基板w位于第一位置p1。减压单元81正处于运转中。腔室3的内部保持为经减压的状态d。供给单元41停止第三气体g3的供给。供给单元21将惰性气体n供给至基板w。惰性气体n去除基板w上的有机溶剂。基板w被干燥。
[0233]
步骤s29：第二加压工序
[0234]
参照图11c。基板w位于第一位置p1。供给单元21供给惰性气体n。减压单元81停止运转。腔室3的内部从经减压的状态d被加压至常压状态j。
[0235]
＜2-3.第二实施方式的效果＞
[0236]
通过第二实施方式，起到与第一实施方式同样的效果。例如，通过第二实施方式的基板处理方法，也能够较佳地降低基板w上的颗粒。进而，根据第二实施方式，起到以下的效果。
[0237]
散布工序包含第一散布工序与第二散布工序。在第一散布工序中，第一液l1为稀释第一液l1a。在第一散布工序中，散布稀释第一液l1a来作为第一液l1。因此，在第一散布工序中所使用的有机溶剂的量较佳地降低。在第二散布工序中，第一液l1为非稀释第一液l1b。在第二散布工序中，散布非稀释第一液l1b来作为第一液l1。非稀释第一液l1b实质上不含水。因此，非稀释第一液l1b的表面张力小。因而，在第二散布工序中，非稀释第一液l1b不会对基板w造成有意的力。其结果，在第二散布工序中，基板w较佳地得到保护。在第二散
布工序中，形成在基板w表面的图案较佳地得到保护。
[0238]
基板处理方法包含第二气体处理工序。第二气体处理工序是在疏水处理工序之后执行。在第二气体处理工序中，腔室3的内部处于经减压的状态d，且将第二气体g2供给至腔室3内的基板w。第二气体g2包含有机溶剂的气体。在第二气体处理工序中，整个基板w被曝露于第二气体g2。因此，在第二气体处理工序中，来源于第二气体g2的有机溶剂迅速附着于整个基板w。在第二气体处理工序中，来源于第二气体g2的有机溶剂均匀地附着于整个基板w。因而，在第二气体处理工序中，遍及整个基板w的基板w的洁净度的均匀性提高。
[0239]
在散布工序中供给的第一液l1的量m1比在第二气体处理工序中供给的第二气体g2的量m2大。因而，在散布工序中，第一液l1更适当地去除基板w上的颗粒。
[0240]
执行散布工序的时间t1比执行第二气体处理工序的时间t2长。因而，在散布工序中，基板w上的颗粒被更佳地去除。
[0241]
散布工序中的第一液l1的流量r1比第二气体处理工序中的第二气体g2的流量r2大。因而，在散布工序中，第一液l1更适当地去除基板w上的颗粒。
[0242]
基板处理方法包括第一加压工序与第一排液工序。第一加压工序是在散布工序之后执行。在第一加压工序中，腔室3的内部从经减压的状态d被加压至常压状态j。第一排液工序是在第一加压工序之后执行。在第一排液工序中，腔室3的内部保持为常压状态j，且第二液l2被排出至腔室3外。当腔室3的内部处于常压状态j时，腔室3内的气体的压力接近腔室3外的气体的压力。因此，在第一排液工序中，容易将腔室3内的第二液l2排出至腔室3的外部。
[0243]
在第一排液工序中，配管96向腔室3外的大气开放。配管96与腔室3连通连接。如上所述，在第一排液工序中，腔室3的内部处于常压状态j。因此，在第一排液工序中，通过第二液l2的自重，第二液l2通过配管96而从腔室3的内部流至腔室3的外部。在第一排液工序中，第二液l2通过配管96而从腔室3的内部自然地流至腔室3的外部。在第一排液工序中，不需要将第二液l2从腔室3的内部强制送至腔室3的外部。因而，在第一排液工序中，容易通过配管96来将腔室3内的第二液l2排出至腔室3外。
[0244]
在第一加压工序中，将混合气体k供给至腔室3内的基板w。混合气体k包含有机溶剂与惰性气体。因此，在第一加压工序中，基板w不会被干燥。在第一加压工序中，不会使腔室3内的基板w干燥，而腔室3的内部从经减压的状态d被迅速加压至常压状态j。
[0245]
混合气体包含有机溶剂的气体以及有机溶剂的液体中的至少任一种。因此，来源于混合气体k的有机溶剂较佳地润湿基板w。因而，混合气体k较佳地防止基板被干燥。
[0246]
基板处理方法包括第二浸渍工序。第二浸渍工序是在第一排液工序之后执行。在第二浸渍工序中，将基板w浸渍在贮存于处理槽11内的第三液l3中。因此，在第二浸渍工序中，基板w接受大量的第三液l3。在第二浸渍工序中，第三液l3更佳地去除基板w上的颗粒。因而，基板w上的颗粒更佳地降低。其结果，基板w的洁净度更佳地提高。基板w的处理品质更佳地提高。
[0247]
从第一加压工序直至基板w被浸渍于第三液l3中为止，腔室3内的气氛包含有机溶剂。因此，从第一加压工序直至基板w被浸渍于第三液l3中为止，腔室3内的气氛中所含的有机溶剂润湿基板w。因而，从第一加压工序直至第二浸渍工序为止，基板w不会被干燥。在散布工序之后且第二浸渍工序之前，基板w不会被干燥。因此，在第二浸渍工序中，基板w以适
当的品质得到处理。
[0248]
第三液l3为被稀释的有机溶剂。因此，第三液l3适当地去除基板w上的颗粒。
[0249]
本发明并不限于第一实施方式、第二实施方式，可像下述那样变形实施。
[0250]
(1)第一实施方式、第二实施方式中，喷出部52包含喷淋头喷嘴。但并不限于此。例如，喷出部52也可包含双流体喷嘴。例如，喷出部52也可包含喷淋头喷嘴以及双流体喷嘴中的至少任一种。喷出部52的双流体喷嘴例如具有与喷出部72的双流体喷嘴的结构大致相同的结构。喷出部52的双流体喷嘴例如将第一液l1的液滴以及第一液l1的液雾中的至少任一种与惰性气体一同予以喷射。因而，喷出部52的双流体喷嘴较佳地散布第一液l1。
[0251]
(2)第二实施方式中，散布工序包含第一散布工序与第二散布工序。但并不限于此。例如，散布工序也可省略第一散布工序与第二散布工序中的任一个。例如，散布工序也可包含第一散布工序与第二散布工序中的至少任一个。
[0252]
(3)第二实施方式中，排液单元95的配管96与腔室3连通连接。但并不限于此。例如，配管96也可与处理槽11连通连接。具体而言，配管96的第一端也可连接于处理槽11。本变形实施方式中，当配管96向腔室3外的大气开放时，处理槽11内的处理液通过配管96而排出至腔室3外。
[0253]
(4)第二实施方式中，第三液l3为被稀释的有机溶剂。但并不限于此。第三液l3例如也可为纯水(diw)。当第三液l3为纯水时，第三液l3也适当地去除基板w上的颗粒。
[0254]
(5)第一实施方式、第二实施方式中，表示了供给单元21、供给单元31、供给单元41、供给单元51、供给单元61、供给单元71的结构。但并不限于此。也可适当变更供给单元21、供给单元31、供给单元41、供给单元51、供给单元61、供给单元71的结构。
[0255]
第一实施方式、第二实施方式中，惰性气体n、疏水剂h、第一气体g1、第一液l1以及混合气体k是从互不相同的喷出部22、喷出部32、喷出部42、喷出部52、喷出部72喷出。但并不限于此。惰性气体n、疏水剂h、第一气体g1、第一液l1以及混合气体k中的至少两种也可从相同的喷出部喷出。
[0256]
第二实施方式中，稀释第一液l1a以及非稀释第一液l1b是从互不相同的喷出部52a、喷出部52b喷出。但并不限于此。稀释第一液l1a以及非稀释第一液l1b也可从相同的喷出部喷出。
[0257]
供给单元61将所生成的第三液l3供给至处理槽11。但并不限于此。供给单元61也可在处理槽11内生成第三液l3。例如，供给单元61也可将未被稀释的有机溶剂与纯水独立地供给至处理槽11。
[0258]
喷出部72(双流体喷嘴)生成混合气体k。但并不限于此。喷出部72也可不生成混合气体k。例如，喷出部72也可与贮存混合气体k的供给源连通连接。例如，贮存混合气体k的供给源也可进而生成混合气体k。例如，贮存混合气体k的供给源也可通过将有机溶剂的蒸气与惰性气体予以混合而生成混合气体k。
[0259]
(6)第一实施方式、第二实施方式中，例示了基板处理方法的流程。但并不限于此。也可适当变更基板处理方法的流程。
[0260]
例如，第一实施方式、第二实施方式的基板处理方法包括第一浸渍工序。但并不限于此。也可省略第一浸渍工序。
[0261]
例如，第二实施方式中，从第一加压工序直至第二浸渍工序为止，供给单元71将混
合气体k供给至腔室3。但并不限于此。例如，也可在从第一加压工序直至基板w被浸渍于处理槽11内的第三液l3中为止，供给单元71将混合气体k供给至腔室3内。并且，在基板w被浸渍于处理槽11内的第三液l3中之后，供给单元71也可停止混合气体k的供给。根据本变形实施方式，从第一加压工序直至基板w被浸渍于处理槽11内的第三液l3中为止，腔室3内的气氛较佳地包含混合气体k的有机溶剂。因此，根据本变形实施方式，从第一加压工序直至第二浸渍工序为止，腔室3内的气氛也较佳地包含混合气体k的有机溶剂。
[0262]
或者，在第一加压工序之后，供给单元71也可停止混合气体k的供给。例如，在第一排液工序、第二供给工序与第二浸渍工序中，供给单元71也可停止混合气体k的供给。在第一加压工序中，在腔室3内形成混合气体k的气氛。在第一排液工序、第二供给工序与第二浸渍工序中，腔室3的内部未受到减压。在第一排液工序、第二供给工序与第二浸渍工序中，腔室3内的气体未排出至腔室3的外部。因此，在第一加压工序之后，直至第二浸渍工序为止，混合气体k的气氛仍残留在腔室3内。因而，根据本变形实施方式，从第一加压工序直至第二浸渍工序为止，腔室3内的气氛也较佳地包含混合气体k的有机溶剂。
[0263]
(7)对于第一实施方式至第三实施方式以及所述(1)至(6)中说明的各变形实施方式，也可进一步将各结构置换为其他变形实施方式的结构或者组合至其他变形实施方式的结构等，从而进行适当变更。
[0264]
本发明可不脱离其思想或本质而以其他的具体实施例来实施，因此，作为表示发明范围的内容，应参照附加的权利要求而非以上的说明。