半导体制造装置及半导体装置的制造方法与流程

本发明的实施方式涉及半导体制造装置及半导体装置的制造方法。

背景技术：

1、在将包含金属元素的层通过反应性离子蚀刻进行蚀刻的情况下，包含金属元素的副产物会附着在腔室的内表面。附着于腔室的内表面的副产物例如会成为颗粒产生的原因。因此，变得需要将附着于腔室的内表面的副产物通过腔室的清洁来除去。

技术实现思路

1、本发明的一实施方式提供能够除去包含金属元素的副产物的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。

2、实施方式的半导体制造装置具备：包含顶板和侧壁的腔室；设置于上述腔室中且保持基板的保持器；对上述保持器或上述顶板施加高频功率的第1高频电源；对上述保持器施加高频功率的第2高频电源；对上述顶板施加高频功率的第3高频电源；对上述腔室供给气体的气体供给管；和从上述腔室排出气体的气体排出管。

技术特征：

1.一种半导体制造装置，其具备：

2.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其进一步具备将所述顶板冷却的冷却装置。

3.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中，所述第1高频电源的振荡频率比所述第2高频电源的振荡频率高，所述第1高频电源的振荡频率比所述第3高频电源的振荡频率高。

4.根据权利要求3所述的半导体制造装置，其中，所述第3高频电源的振荡频率比所述第2高频电源的振荡频率低。

5.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其进一步具备将所述腔室的侧壁加热的加热器。

6.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中，所述气体供给管能够将包含二酮或烃的气体和包含氧的气体供给到所述腔室内。

7.一种半导体装置的制造方法，其中，向具备腔室和保持器的反应性离子蚀刻装置的所述腔室中搬入具有包含铟(in)的第1层的基板，该腔室包含顶板和侧壁，该保持器设置于所述腔室中并保持基板，

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述第1高频功率的施加的开始与所述第1高频功率的施加的停止之间，对所述顶板施加第2高频功率。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第2高频功率的振荡频率比所述第1高频功率的振荡频率低。

10.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，在停止所述第2气体的供给之后，将所述顶板冷却。

11.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述第2气体的供给开始与所述第2气体的供给停止之间，将所述侧壁加热。

12.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，所述二酮为β二酮。

13.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，在停止所述第1气体的供给之后，开始所述第2气体的供给，在开始所述第2气体的供给之后，停止所述第1高频功率的施加及所述第2高频功率的施加。

14.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，通过所述氧等离子体，将附着于所述顶板上的包含铟(in)的副产物氧化。

15.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，通过所述第2气体，生成包含铟(in)的金属络合物。

16.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，通过对所述顶板施加所述第2高频功率，将所述顶板加热。

17.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，在停止所述第2气体的供给之后，

技术总结
本发明的一实施方式提供能够除去包含金属元素的副产物的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体制造装置具备：包含顶板和侧壁的腔室；设置于腔室中并保持基板的保持器；对保持器或顶板施加高频功率的第1高频电源；对保持器施加高频功率的第2高频电源；对顶板施加高频功率的第3高频电源；对腔室供给气体的气体供给管；和从腔室排出气体的气体排出管。

技术研发人员：笠原佑介
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15