技术特征：
1.一种电子装置，其包括：第一辐射元件，其配置成辐射第一电磁波；及第二辐射元件，其配置成辐射第二电磁波，其中所述第一电磁波的第一辐射图案配置成待调整的，且所述第二电磁波的第二辐射图案配置成固定的。2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一辐射元件和所述第二辐射元件中的至少一者包含天线阵列。3.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第二电磁波配置成辐射具有比所述第一电磁波更大的功率的所述第二电磁波。4.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一辐射元件配置成将所述第一电磁波辐射到第一装置；所述第二辐射元件配置成将所述第二电磁波辐射到第二装置；且所述第一装置与所述电子装置之间的距离小于所述第二装置与所述电子装置之间的距离。5.根据权利要求4所述的电子装置，其中所述第一辐射元件配置成从所述第一装置接收第三电磁波；所述第二辐射元件配置成从所述第二装置接收第四电磁波，且所述第一辐射元件配置成在接收方向上比所述第二辐射元件更可调整。6.根据权利要求5所述的电子装置，其进一步包括：电子装置，其配置成将由所述第二辐射元件接收的所述第四电磁波转换为待由所述第一辐射元件辐射的所述第一电磁波，且将由所述第一辐射元件接收的所述第三电磁波转换为待由所述第二辐射元件辐射的所述第二电磁波。7.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一电磁波和所述第二电磁波配置成以不同频率或带宽操作。8.根据权利要求1所述的电子装置，其进一步包括：第一载体，其具有邻近于所述第一辐射元件的第一表面和邻近于所述第二辐射元件的第二表面，其中所述第一辐射元件距所述第一表面比距所述第二表面更近。9.根据权利要求8所述的电子装置，其中所述第一载体的所述第一表面与所述第一载体的所述第二表面相对。10.根据权利要求9所述的电子装置，其进一步包括：第一导电结构，其安置于所述第一载体的所述第二表面上方且界定波导空腔和暴露所述波导空腔的部分的槽，其中所述槽配置成辐射所述第二电磁波。11.根据权利要求10所述的电子装置，其进一步包括：装置安装区，其在与所述第一载体的所述第二表面大体上垂直的方向上不与所述第一导电结构重叠，其中所述装置安装区在大体上垂直于所述第一载体的所述第二表面的方向上至少部分地与所述第一辐射元件重叠。12.根据权利要求8所述的电子装置，其进一步包括：第二载体，其安置于所述第一载体与所述第二辐射元件之间，其中所述第二载体与所述第一载体之间的空间配置成容纳待与所述第一辐射元件和所述第二辐射元件电连接的
电子组件。13.一种电子装置，其包括：第一天线元件，其配置成接收第一电磁波；处理单元，其配置成将所述第一电磁波转换为第二电磁波；及第二天线元件，其配置成辐射所述第二电磁波。14.根据权利要求13所述的电子装置，其进一步包括：载体，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，其中所述第一天线元件邻近于所述第一表面且所述第二天线元件邻近于所述第二表面。15.根据权利要求13所述的电子装置，其中所述第二天线元件包含波导，且所述第一电磁波配置成在所述波导中处理、谐振且辐射为所述第二电磁波。16.根据权利要求13所述的电子装置，其中所述第一天线元件配置成与第一装置通信；所述第二天线元件配置成与第二装置通信；及所述第一装置与所述电子装置之间的距离小于所述第二装置与所述电子装置之间的距离。17.一种电子装置，其包括：支撑元件，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；多个第一天线元件，其由所述支撑元件的所述第一表面支撑且具有第一扫描角度覆盖度；及第二天线元件，其由所述支撑元件的所述第二表面支撑且具有第二扫描角度覆盖度，其中所述第一扫描角度覆盖度宽于所述第二扫描角度覆盖度。18.根据权利要求17所述的电子装置，其中所述第一扫描角度覆盖度不与所述第二扫描角度覆盖度重叠。19.根据权利要求17所述的电子装置，其进一步包括以阵列布置的多个第二天线元件。20.根据权利要求17所述的电子装置，其中所述多个第一天线元件配置成将第一电磁波辐射到具有第一迁移率的第一装置，且所述第二天线元件配置成将第二电磁波辐射到具有第二迁移率的第二装置，且其中所述第一迁移率不同于所述第二迁移率。
技术总结
本公开涉及一种电子装置，其包含配置成辐射第一电磁波的第一辐射元件和配置成辐射第二电磁波的第二辐射元件。所述第一电磁波的第一辐射图案配置成待调整的，且所述第二电磁波的第二辐射图案配置成固定的。的第二辐射图案配置成固定的。的第二辐射图案配置成固定的。
技术研发人员：吕世文
受保护的技术使用者：日月光半导体制造股份有限公司
技术研发日：2022.08.19
技术公布日：2023/2/20