磁性电子元件的巨量转移方法及装置与流程

本发明涉及一种转移电子元件的方法及装置，尤其涉及一种巨量转移磁性电子元件的方法及装置。

背景技术：

1、随着电子产品的功能不断提升，许多电路载板或显示面板的元件黏装会涉及将一晶圆上的巨量的电子元件转移到电路载板或显示面板上。

2、一般的电子元件转移方法主要包括：对一晶圆的背面研磨；在该背面贴上一蓝膜；对该晶圆的正面上的多个电子元件进行激光切割以及利用一分离扩片机对该蓝膜进行一扩片操作以扩大该些电子元件的间距；以及利用一机器手臂或人工将该些电子元件一一夹到一电路载板或一显示面板的对应连接垫上。

3、然而，当一晶圆上的电子元件的数目随晶片工艺的进步大幅增加时，现有电子元件转移方法的转移效率就会明显不足。

技术实现思路

1、为解决上述的问题，本领域亟需一新颖的电子元件的巨量转移方案。

2、本发明的一目的在于提供一种磁性电子元件的巨量转移方法，其可在不需扩片机的情况下，直接利用一顶出件将一蓝膜上的多个磁性电子元件顶出，并利用一磁吸力及一负压吸力的组合使该些磁性电子元件先被吸附到一磁性转移件中，然后再被转移至一电子产品的一基板上，从而大幅缩短电子元件的巨量转移时间并提高该电子产品的合格率。

3、本发明的另一目的在于提供一种磁性电子元件的巨量转移装置，其可通过上述的方法大幅缩短电子元件的巨量转移时间并提高一电子产品的合格率。

4、为达成上述目的，一种磁性电子元件的巨量转移方法乃被提出，其是用于处理一蓝膜的一表面上的多个磁性电子元件，该方法是由一控制电路执行一程序实现，且其包括以下步骤：

5、驱使一磁性承载件的一作用侧贴近该蓝膜的该表面并驱使一顶出件的多个突出结构压迫该蓝膜的另一表面，以使多个所述磁性电子元件脱离该蓝膜而掉入该磁性承载件的该作用侧的多个凹槽中，其中，各该凹槽的内部均对一所述磁性电子元件施加一第一磁吸力及一第一负压吸力；以及

6、驱使一磁性转移件的一作用侧贴近该磁性承载件的该作用侧以进行一转移操作，其包括：使该磁性转移件的该作用侧的多个突出部对应地面对该磁性承载件的该些凹槽上的该些磁性电子元件，以对各该磁性电子元件均施加一第二磁吸力及一第二负压吸力，并使该磁性承载件停止产生各该凹槽的所述第一负压吸力，其中，该第二磁吸力及该第二负压吸力的和大于该第一磁吸力。

7、在一实施例中，所述的磁性电子元件的巨量转移方法进一步包括：驱使该磁性转移件移动至一基板上方以将该些磁性电子元件置放在该基板上。

8、在一实施例中，各该凹槽的内部均具有一第一气孔以与一第一抽气装置连通，从而提供所述第一负压吸力。

9、在一实施例中，各该突出部的顶面均具有一第二气孔以与一第二抽气装置连通，从而提供所述第二负压吸力。

10、在可能的实施例中，所述磁性电子元件可为以一铁钴镍合金为基材制造出的电子元件或贴附有一铁钴镍合金层的电子元件。

11、在可能的实施例中，所述磁性电子元件可为铜柱、led晶粒或包含铜柱与led晶粒。

12、在一实施例中，该磁性承载件的该些凹槽均各具有一漏斗结构以利于一所述磁性电子元件进入其中。

13、在一实施例中，所述的磁性电子元件的巨量转移方法进一步包括利用一震动装置致动该磁性承载件以促使脱离该蓝膜的多个所述磁性电子元件掉入该磁性承载件的该些凹槽中。

14、为达成上述目的，本发明进一步公开一种磁性电子元件的巨量转移装置，其具有一控制电路、一顶出件、一磁性承载件及一磁性转移件以执行一磁性电子元件的巨量转移程序以处理一蓝膜的一表面上的多个磁性电子元件，该程序包括：

15、该控制电路驱使该磁性承载件的一作用侧贴近该蓝膜的该表面并驱使该顶出件的多个突出结构压迫该蓝膜的另一表面，以使多个所述磁性电子元件脱离该蓝膜而掉入该磁性承载件的该作用侧的多个凹槽中，其中，各该凹槽的内部均对一所述磁性电子元件施加一第一磁吸力及一第一负压吸力；以及

16、该控制电路驱使该磁性转移件的一作用侧贴近该磁性承载件的该作用侧以进行一转移操作，其包括：使该磁性转移件的该作用侧的多个突出部对应地面对该磁性承载件的该些凹槽上的该些磁性电子元件，以对各该磁性电子元件均施加一第二磁吸力及一第二负压吸力，并使该磁性承载件停止产生各该凹槽的所述第一负压吸力，其中，该第二磁吸力及该第二负压吸力的和大于该第一磁吸力。

17、在一实施例中，该磁性电子元件的巨量转移程序进一步包括：驱使该磁性转移件移动至一基板上方以将该些磁性电子元件置放在该基板上。

18、在一实施例中，各该凹槽的内部均具有一第一气孔以与一第一抽气装置连通，从而提供所述第一负压吸力。

19、在一实施例中，各该突出部的顶面均具有一第二气孔以与一第二抽气装置连通，从而提供所述第二负压吸力。

20、在可能的实施例中，所述磁性电子元件可为以一铁钴镍合金为基材制造出的电子元件或贴附有一铁钴镍合金层的电子元件。

21、在可能的实施例中，所述磁性电子元件可为铜柱、led晶粒或包含铜柱与led晶粒。

22、在一实施例中，该磁性承载件的该些凹槽均各具有一漏斗结构以利于一所述磁性电子元件进入其中。

23、在一实施例中，所述的磁性电子元件的巨量转移装置进一步具有一震动装置，该震动装置是用于致动该磁性承载件以促使脱离该蓝膜的多个所述磁性电子元件掉入该磁性承载件的该些凹槽中。

技术特征：

1.一种磁性电子元件的巨量转移方法，用于处理一蓝膜的一表面上的多个磁性电子元件，该方法是由一控制电路执行一程序实现，且其包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的磁性电子元件的巨量转移方法，其进一步包括：

3.如权利要求1所述的磁性电子元件的巨量转移方法，其中，各该凹槽的内部均具有一第一气孔以与一第一抽气装置连通，从而提供所述第一负压吸力。

4.如权利要求3所述的磁性电子元件的巨量转移方法，其中，各该突出部的顶面均具有一第二气孔以与一第二抽气装置连通，从而提供所述第二负压吸力。

5.如权利要求1所述的磁性电子元件的巨量转移方法，其中，所述磁性电子元件是以一铁钴镍合金为基材制造出的电子元件或贴附有一铁钴镍合金层的电子元件。

6.如权利要求5所述的磁性电子元件的巨量转移方法，其中，所述磁性电子元件包含由铜柱和led晶粒所组成群组所选择的至少一种元件。

7.如权利要求1所述的磁性电子元件的巨量转移方法，其中，该磁性承载件的该些凹槽均各具有一漏斗结构以利于一所述磁性电子元件进入其中。

8.如权利要求1所述的磁性电子元件的巨量转移方法，其进一步包括利用一震动装置致动该磁性承载件以促使脱离该蓝膜的多个所述磁性电子元件掉入该磁性承载件的该些凹槽中。

9.一种磁性电子元件的巨量转移装置，其具有一控制电路、一顶出件、一磁性承载件及一磁性转移件以执行一磁性电子元件的巨量转移程序以处理一蓝膜的一表面上的多个磁性电子元件，该程序包括：

10.如权利要求9所述的磁性电子元件的巨量转移装置，其中，该磁性电子元件的巨量转移程序进一步包括：

11.如权利要求9所述的磁性电子元件的巨量转移装置，其中，各该凹槽的内部均具有一第一气孔以与一第一抽气装置连通，从而提供所述第一负压吸力。

12.如权利要求11所述的磁性电子元件的巨量转移装置，其中，各该突出部的顶面均具有一第二气孔以与一第二抽气装置连通，从而提供所述第二负压吸力。

13.如权利要求9所述的磁性电子元件的巨量转移装置，其中，所述磁性电子元件是以一铁钴镍合金为基材制造出的电子元件或贴附有一铁钴镍合金层的电子元件。

14.如权利要求13所述的磁性电子元件的巨量转移装置，其中，所述磁性电子元件包含由铜柱和led晶粒所组成群组所选择的至少一种元件。

15.如权利要求9所述的磁性电子元件的巨量转移装置，其中，该磁性承载件的该些凹槽均各具有一漏斗结构以利于一所述磁性电子元件进入其中。

16.如权利要求9所述的磁性电子元件的巨量转移装置，其进一步具有一震动装置，该震动装置是用于致动该磁性承载件以促使脱离该蓝膜的多个所述磁性电子元件掉入该磁性承载件的该些凹槽中。

技术总结
本发明公开了一种磁性电子元件的巨量转移方法，用于处理一蓝膜的一表面上的多个磁性电子元件，该方法包括：驱使一磁性承载件贴近该蓝膜的该表面并驱使一顶出件的多个突出结构压迫该蓝膜的另一表面，以使多个所述磁性电子元件脱离该蓝膜而掉入该磁性承载件的多个凹槽中，其中，各该凹槽的内部均对一所述磁性电子元件施加一第一磁吸力及一第一负压吸力；以及驱使一磁性转移件贴近该磁性承载件以进行一转移操作，其包括：使该磁性转移件的多个突出部对应地面对该磁性承载件的该些凹槽上的该些磁性电子元件，以对各该磁性电子元件均施加一第二磁吸力及一第二负压吸力，并使该磁性承载件停止产生各该凹槽的所述第一负压吸力。

技术研发人员：吴智孟
受保护的技术使用者：创新服务股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/11