支承单元和用于处理基板的装置的制作方法

本发明涉及支承单元和用于处理基板的装置，更具体地，涉及能够控制被支承基板的温度的支承单元和包括该支承单元的基板处理装置。

背景技术：

1、等离子体由非常高的温度、强电场或射频(radio frequency，rf)电磁场产生，并且等离子体是指由离子、电子和基团等构成的离子化气体状态。在半导体设备制造工艺中，使用等离子体执行了各种工艺。例如，半导体设备制造工艺可以包括：通过使用等离子体去除基板上的薄膜的蚀刻工艺，或者通过使用等离子体在基板上沉积膜的沉积工艺。

2、因此，通过使用等离子体对基板(诸如晶圆等)进行处理的等离子体基板处理装置需要允许精确地执行基板处理的精度、允许尽管处理多个基板但在基板之间处理程度恒定的重复再现性、以及允许在单个基板的整个区域中处理程度均匀的均匀性。

3、同时，随着半导体设备制造技术的发展，作为处理对象的基板的直径有增大的趋势，并且形成在基板上的图案的临界尺寸(critical dimension，cd)有逐渐减小的趋势。基板的大型化和图案的微小化使得确保基板的处理均匀性变得困难。

技术实现思路

1、本发明致力于提供一种能够有效处理基板的支承单元和用于处理基板的装置。

2、进一步地，本发明致力于提供一种能够改善基板处理均匀性的支承单元和基板处理装置。

3、进一步地，本发明致力于提供一种配置为使两个或更多加热元件持续操作的支承单元和用于处理基板的装置。

4、进一步地，已经致力于提供一种能够根据基板的面积独立地加热基板、而无需复杂的连接结构的支承单元和基板处理装置。

5、本发明的效果不限于上述效果，对于本领域的普通技术人员来说，以上未提及的其他效果将从以下公开中变得显而易见。

6、本发明的示例性实施方案提供了一种支承基板的支承单元。支承单元可以包括：板；加热元件，该加热元件设置至板并控制基板的温度，其中加热元件被布置成控制基板的不同区域的温度；以及电源模块，该电源模块向加热元件供应功率，电源模块可以配置为向加热元件中的至少两个加热元件持续供应功率。

7、根据示例性实施方案，电源模块可以包括产生功率的电源、连接到加热元件的电源段(power supply stage)的电源线、以及连接到加热元件的功率返回段的功率返回线。

8、根据示例性实施方案，可以设置有多条电源线和功率返回线，各加热元件可以连接到电源线的任一个和功率返回线的任一个，并且加热元件可以不共用同一条电源线和功率返回线。

9、根据示例性实施方案，电源模块可以包括安装在电源线中的供应开关和安装在功率返回线中的返回开关。

10、根据示例性实施方案，可以设置多个供应开关和返回开关，供应开关可以分别安装在电源线中，并且返回开关可以分别安装在功率返回线路中。

11、根据示例性实施方案，电源模块可以包括：第一输入单元，该第一输入单元接收来自控制器的、用于控制供应开关的控制信号；以及第二输入单元，该第二输入单元接收来自控制器的、用于控制返回开关的控制信号。

12、根据示例性实施方案，电源模块可以包括：确定单元，该确定单元接收由第二输入单元接收到的控制信号，并且当所接收到的信号包括至少两个开启信号(on signal)时、再次输出开启信号。

13、根据示例性实施方案，电源模块可以包括：门单元，该门单元接收由确定单元输出的信号和输入到第一输入单元的信号。

14、根据示例性实施方案，门单元可以包括分别与供应开关相对应的“与”门，并且该“与”门可以接收输入到第一输入单元的信号和由确定单元输出的输出信号。

15、根据示例性实施方案，整流器可以安装在加热元件的后段。

16、进一步地，本发明的另一示例性实施方案提供了一种用于处理基板的装置。用于处理基板的装置可以包括：腔室，该腔室提供处理空间，在该处理空间中处理基板；以及支承单元，该支承单元用于支承和加热处理空间中的基板，并且支承单元可以包括：板；加热元件，该加热元件设置至板并加热基板，其中加热元件布置为控制基板的不同区域的温度；以及电源模块，该电源模块向加热元件供应功率，电源模块可以配置为向所述加热元件中的至少两个加热元件持续供应功率。

17、根据示例性实施方案，电源模块可以包括产生施用至加热元件的功率的电源、连接到加热元件的电源段的电源线、以及连接到加热元件的功率返回段的功率返回线。

18、根据示例性实施方案，各加热元件可以连接到电源线的任一个和功率返回线的任一个，并且加热元件可以不共用同一电源线和功率返回线。

19、根据示例性实施方案，电源模块可以包括分别安装在电源线中的供应开关和分别安装在功率返回线中的返回开关。

20、根据示例性实施方案，该装置还可以包括：控制器，该控制器控制电源模块，并且电源模块可以包括：第一输入单元，该第一输入单元接收来自控制器的、用于控制供应开关的控制信号；以及第二输入单元，该第二输入单元接收来自控制器的、用于返回开关的控制信号。

21、根据示例性实施方案，控制器可以将相同的控制信号传送到第一输入单元和第二输入单元。

22、根据示例性实施方案，电源模块可以包括：确定单元，该确定单元接收由第二输入单元接收的控制信号，并在接收到的信号包括至少两个开启信号时、再次输出开启信号；以及门单元，该门单元接收由确定单元输出的信号和由第一输入单元输入的信号。

23、根据示例性实施方案，门单元可以包括分别与供应开关相对应的“与”门，并且该“与”门可以接收输入到第一输入单元的信号和由确定单元输出的输出信号。

24、进一步地，本发明的又一示例性实施方案提供了一种用于处理基板的装置。用于处理基板的装置可以包括：腔室，该腔室提供有处理空间，在该处理空间中处理基板；支承单元，该支承单元在处理空间中支承基板；等离子体源，该等离子体源产生用于在处理空间中处理基板的等离子体；以及控制器，并且该支承单元可以包括：板；加热元件，该加热元件设置至板并加热基板，其中加热元件布置为控制基板的不同区域的温度，以及电源模块，该电源模块向加热元件供应功率，并且电源模块可以配置为向加热元件中的至少两个加热元件持续供应功率。

25、根据示例性实施方案，电源模块可以包括：电源，该电源产生施用至加热元件的功率；电源线，该电源线连接到加热元件的电源段；功率返回线，该功率返回线连接到加热元件的功率返回段；供应开关，该供应开关分别安装在电源线中；返回开关，该返回开关分别安装在功率返回线中；第一输入单元，该第一输入单元接收来自控制器的、用于控制供应开关的控制信号；第二输入单元，该第二输入单元接收来自控制器的、用于控制返回开关的控制信号；确定单元，该确定单元接收由第二输入单元接收到的控制信号，并在接收到的信号包括至少两个开启信号时、再次输出开启信号；以及门单元，该门单元接收由确定单元输出的信号以及由第一输入单元输入的信号，各加热元件可以连接到电源线的任一个和功率返回线的任一个，并且加热元件可以不共用同一电源线和功率返回线。

26、根据本发明的示例性实施方案，可以有效地处理基板。

27、进一步地，根据本发明的示例性实施方案，可以改善用于基板的处理均匀性。

28、进一步地，本发明的目的是提供一种支承单元和一种用于处理基板的装置，该支承单元和装置被配置为用于两个或更多个加热元件以持续操作。

29、进一步地，根据本发明的示例性实施方案，即使没有设置复杂的连接结构，也可以根据基板的面积独立地加热基板。

30、本发明的效果不限于上述效果，并且本领域技术人员将从本说明书和附图中清楚地理解未提及的效果。