基板处理装置和基板处理方法与流程

1.本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法。


背景技术：

2.专利文献1所记载的清洗干燥单元具有用于贮存冲洗液(例如纯水)的清洗槽、位于清洗槽的上部的干燥槽、保持基板的基板保持器具以及使基板保持器具进行升降的升降机构。基板保持器具将多张基板以立起姿势且沿水平方向排列的状态保持。升降机构使基板保持器具在清洗槽的槽内与干燥槽之间进行升降。将多张基板浸在贮存于清洗槽的槽内的冲洗液中，之后从冲洗液的液面提起并通过干燥槽进行干燥。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本专利第6144236号公报


技术实现要素：

6.发明要解决的问题
7.本公开提供一种能够与处理张数无关地抑制在基板附着微粒的技术。
8.用于解决问题的方案
9.本公开的一个方式的基板处理装置具有：处理槽，其用于贮存处理液，基板浸在该处理液中；干燥槽，其配置于所述处理槽的上方，用于使所述基板干燥；气体供给部，其向所述干燥槽供给包含非活性气体和有机溶剂的蒸气的混合气体；以及控制部，其控制所述气体供给部，其中，所述控制部将所述有机溶剂在向所述干燥槽供给的所述混合气体中所占的蒸气浓度维持为固定，并根据所述基板的状态来变更所述非活性气体的供给流量和所述有机溶剂的供给流量。
10.发明的效果
11.根据本公开，能够与处理张数无关地抑制在基板附着微粒。
附图说明
12.图1是示出基板处理装置的一例的图。
13.图2是示出基板处理装置的一例的图。
14.图3是示出基板保持器具的一例的截面图。
15.图4是示出表的一例的图。
16.图5是示出表的一例的图。
17.图6是示出表的一例的图。
18.图7是示出表的一例的图。
19.图8是示出表的一例的图。
20.图9是示出基板处理方法的一例的流程图。
21.图10是说明基板处理方法的一例的图。
22.图11是说明基板处理方法的一例的图。
23.图12是说明基板处理方法的一例的图。
24.图13是说明基板处理方法的一例的图。
25.图14是说明基板处理方法的另一例的图。
26.图15是说明微粒附着于基板的理由的图。
27.图16是说明微粒附着于基板的理由的图。
28.图17是示出附着于基板的微粒的数量的测定结果的图。
具体实施方式
29.下面，参照附图对本公开的非限定性的例示的实施方式进行说明。在附图中，对相同或对应的构件或部件标注相同或对应的附图标记，并且省略重复的说明。
30.[基板处理装置]
[0031]
参照图1～图8对基板处理装置1的一例进行说明。基板处理装置1对基板w供给处理液l，之后将基板w进行干燥。基板处理装置1具备处理容器10、基板保持器具20、气体供给部30、气体排出部40以及控制部90。
[0032]
处理容器10具有用于贮存处理液l的处理槽11，基板w浸在该处理液l中。处理液l例如是diw等纯水。处理槽11例如具有用于贮存处理液l的内槽111、用于回收从内槽111溢出的处理液l的外槽112、以及包围外槽112的上端的密封槽113。在内槽111的内部设置有向内槽111的内部供给处理液l的喷嘴51。在内槽111的底壁设置有用于将贮存于内槽111的内部的处理液l排出的排出端口52。
[0033]
处理容器10具有用于使基板w干燥的干燥槽12。干燥槽12配置于处理槽11的上方。干燥槽12例如包括筒状的侧壁121。筒状的侧壁121在上方开放，在上端具有基板w的搬入搬出口122。干燥槽12还具有对搬入搬出口122进行开闭的盖123。盖123为向上凸的圆顶状，通过开闭机构53使盖123进行升降。
[0034]
处理容器10在处理槽11与干燥槽12之间具有壳体13。在外壳13的内部以能够移动的方式配置有挡板14。挡板14在如图1所示的那样将处理槽11与干燥槽12连通的连通位置同如图2所示的那样将处理槽11与干燥槽12隔断的隔断位置之间移动。
[0035]
基板处理装置1还具备使挡板14在连通位置与隔断位置之间移动的开闭机构54。开闭机构54使挡板14沿水平方向移动。开闭机构54也可以使挡板14还沿铅垂方向移动。挡板14水平地配置，在其上表面保持框状的密封构件15。
[0036]
例如如图3所示，基板保持器具20将在水平方向上隔开间隔地排列的多张基板w的各基板w以铅垂地竖立的方式保持。基板保持器具20也能够仅保持一张基板w。基板保持器具20例如具有沿水平方向延伸的多个(例如4个)臂21。多个臂21分别包括在延伸方向上等间距地形成的槽211。基板w的周缘被插入槽211中。多个臂21通过多个点来保持各基板w的周缘。
[0037]
基板保持器具20具有对多个臂21进行悬臂支承的铅垂的背板22、以及从背板22向正上方延伸的升降杆23(参照图1和图2)。升降杆23穿过盖123的贯通孔，在该贯通孔设置有密封机构。在升降杆23的上端连接有升降机构55。升降机构55使基板保持器具20进行升降。
[0038]
气体供给部30向处理容器10的内部供给气体。供给的气体例如是非活性气体g1、或者非活性气体g1与有机溶剂的蒸气g2的混合气体。非活性气体例如为氮气(n2)。有机溶剂例如为ipa(异丙醇)。从能够促进基板w的干燥的观点出发，也可以预先对要供给的气体进行加热。
[0039]
气体供给部30包括喷嘴31。喷嘴31设置于处理容器10的内部，用于向处理容器10的内部供给气体。在喷嘴31连接有供给线路32。供给线路32具有共用线路321和多个单独线路322～323。
[0040]
共用线路321将多个单独线路322～323的合流点与喷嘴31连接。也可以在共用线路321的中途设置有对所供给的气体进行加热的加热器33。
[0041]
单独线路322用于对喷嘴31供给非活性气体g1。单独线路323用于对喷嘴31供给有机溶剂的蒸气g2。在各单独线路322、323的中途设置有开闭阀34和流量控制器35。
[0042]
气体排出部40使气体从处理容器10的内部向外部排出。气体排出部40例如包括从干燥槽12延伸出的排出线路41。在排出线路41的中途设置有开闭阀42和流量控制器43。
[0043]
控制部90控制基板处理装置1的各部。控制部90例如是计算机，具备cpu(central processing unit：中央处理单元)91和存储器等存储介质92。在存储介质92中保存有控制在基板处理装置1中执行的各种处理的程序。控制部90通过使cpu 91执行存储介质92中存储的程序来控制基板处理装置1的动作。
[0044]
cpu 91根据作为处理对象的基板w的张数来校正非活性气体的供给流量和有机溶剂的供给流量。
[0045]
存储介质92存储cpu 91在计算非活性气体的供给流量和有机溶剂的供给流量时使用的各种信息。
[0046]
各种信息可以包括表t1，所述表t1是将有机溶剂在向干燥槽12供给的混合气体中所占的蒸气浓度(下面称为“有机溶剂的蒸气浓度”。)与基板w的张数为基准张数的情况下的非活性气体的基准供给流量及有机溶剂的基准供给流量建立对应而成的表。基准张数例如可以是基板保持器具20能够保持的最大的基板w的张数。例如如图4所示，在表t1中，在基准张数为100张、有机溶剂的蒸气浓度为d1[vol％]的情况下，非活性气体的基准供给流量和有机溶剂的基准供给流量分别为x1[l/min]和y1[ml/sec]。
[0047]
各种信息可以包括表t2，所述表t2是将有机溶剂的蒸气浓度、基板w的张数、非活性气体的供给流量比例建立对应而成的表。在有机溶剂的蒸气浓度相对于基准浓度不被变更的情况下，表t2也可以不包括有机溶剂的浓度。非活性气体的供给比例是以百分率来表示相对于基准供给流量的比例的值。例如，如图5所示，在表t2中，在有机溶剂的蒸气浓度为d1[vol％]、基板w的张数为1张～10张的情况下，非活性气体的供给流量比例为44％。
[0048]
各种信息可以包括表t3，所述表t3是将有机溶剂的蒸气浓度、基板w的张数、有机溶剂的供给流量比例建立对应而成的表。在有机溶剂的蒸气浓度相对于基准浓度不被变更的情况下，表t3也可以不包括有机溶剂的浓度。有机溶剂的供给流量比例是以百分率来表示相对于基准供给流量的比例的值。例如，如图6所示，在表t3中，在有机溶剂的蒸气浓度为d1[vol％]、基板w的张数为1张～10张的情况下，有机溶剂的供给流量比例为44％。此外，表t2和表t3仅存在任意一方即可。由于有机溶剂的蒸气浓度被控制为固定，因此如果决定了非活性气体的供给流量比例和有机溶剂的供给流量比例中的某一方，则另一方也自动地被
决定。
[0049]
各种信息可以包括表t4，所述表t4是将有机溶剂的蒸气浓度、基板w的张数、非活性气体的供给流量建立对应而成的表。非活性气体的供给流量例如与有机溶剂的蒸气浓度无关而为固定，仅根据基板w的张数被变更。有机溶剂的蒸气的供给流量根据有机溶剂的蒸气浓度和非活性气体的供给流量自动地决定。当通过制程等对有机溶剂的蒸气浓度进行设定变更时，基于设定变更后的蒸气浓度来校正有机溶剂的蒸气的供给流量。此外，在有机溶剂的蒸气浓度相对于基准浓度不被变更的情况下，表t4也可以不包括有机溶剂的浓度。例如如图7所示，在表t4中，在有机溶剂的蒸气浓度为d1[vol％]、基板w的张数为1张～10张的情况下，非活性气体的供给流量为p1[l/min]。
[0050]
各种信息可以包括表t5，所述表t5是将基板w的张数、有机溶剂的蒸气浓度、有机溶剂的供给流量建立对应而成的表。例如如图8所示，在表t5中，在基板w的张数为1张～10张、有机溶剂的蒸气浓度为d1、d2、d3[vol％]的情况下，有机溶剂的供给流量分别为q11、q21、q31[ml/sec]。在表t5中，d1、d2、d3的大小关系为d1《d2《d3，q11、q21、q31的大小关系为q11《q21《q31。q12～q20、q22～q30、q31～q40的大小关系也与q11、q21、q31的大小关系相同。
[0051]
[基板处理方法]
[0052]
参照图9～图14来对在实施方式的基板处理装置1中实施的基板处理方法的一例进行说明。通过控制部90控制基板处理装置1的各部来实施基板处理方法。
[0053]
在步骤s11中，控制部90根据作为处理对象的基板w的张数来计算非活性气体的供给流量和有机溶剂的供给流量。
[0054]
例如，控制部90获取有机溶剂的蒸气浓度和作为处理对象的基板w的张数。有机溶剂的蒸气浓度例如是在制程中设定的值。作为处理对象的基板w的张数例如是通过在向处理容器10的内部搬入基板w之前对收纳在载置于加载端口的foup(front opening unified pod：前开式晶圆传送盒)等搬送容器中的基板w的张数进行测量所获取到的值。另外，控制部90基于获取到的有机溶剂的蒸气浓度、获取到的作为处理对象的基板w的张数、存储介质92中存储的表t1、以及存储介质92中存储的表t2，来计算非活性气体的供给流量。另外，控制部90基于获取到的有机溶剂的蒸气浓度、获取到的作为处理对象的基板w的张数、存储介质92中存储的表t1、以及存储介质92中存储的表t3，来计算有机溶剂的供给流量。作为一例，考虑有机溶剂的蒸气浓度为d1、基板w的张数为1张～10张的情况。在该情况下，通过将参照表t1得到的非活性气体的供给流量x1乘以参照表t2得到的非活性气体的供给流量比例44％后除以100，来得到非活性气体的供给流量。即，通过(x1
×
44)/100来计算非活性气体的供给流量。另外，通过将参照表t1得到的有机溶剂的供给流量y1乘以参照表t3得到的有机溶剂的供给流量比例44％后除以100，来得到有机溶剂的供给流量。即，通过(y1
×
44)/100来计算有机溶剂的供给流量。
[0055]
另外，例如控制部90在计算非活性气体的供给流量和有机溶剂的供给流量时，也可以参照存储介质92中存储的表t4来代替参照表t1、表t2以及表t3。在该情况下，控制部90基于获取到的有机溶剂的蒸气浓度、获取到的作为处理对象的基板w的张数、以及存储介质92中存储的表t4，来计算非活性气体的供给流量和有机溶剂的供给流量。作为一例，考虑有机溶剂的蒸气浓度为d1、基板w的张数为1张～10张的情况。在该情况下，基于参照表t4得到
的非活性气体的供给流量p1和有机溶剂的蒸气浓度d1，通过公知的运算得到有机溶剂的供给流量。另外，也可以通过同样的运算，按基板w的张数和有机溶剂的蒸气浓度来计算有机溶剂的供给流量，生成将基板w的张数、有机溶剂的蒸气浓度、有机溶剂的供给流量建立对应而成的表t5，并将表t5存储于存储介质92。
[0056]
在步骤s12中，控制部90控制基板处理装置1的动作，以在基板处理装置1中对作为处理对象的基板w执行干燥处理。
[0057]
首先，如图10的(a)所示，在搬入基板w之前的处理容器10中，盖123移动到封闭位置。此时，从喷嘴31向干燥槽12的内部供给被加热后的非活性气体g1，并且从排出线路41向外部排出干燥槽12的内部的气体，来调整干燥槽12的内部的温度。另外，从喷嘴51向处理槽11的内部供给处理液l。
[0058]
接着，如图10的(b)所示，开闭机构53使盖123从封闭位置向开放位置移动。接着，基板保持器具20(参照图1和图2。在图10～图14中省略图示。)在处理容器10的上方从搬送装置(未图示)接受多张基板w。此外，如上所述，基板保持器具20也能够仅保持一张基板w。接着，升降机构55(参照图1和图2。在图10～图14中省略图示。)使基板保持器具20下降。在升降机构55使基板保持器具20下降的期间，挡板14以不与基板保持器具20及基板w发生干扰的方式位于连通位置。升降机构55通过使基板保持器具20下降，来将多张基板w浸在处理液l中。由此，同时对多张基板w进行处理。此时，从喷嘴31向干燥槽12的内部供给小流量(例如20l/min)的非活性气体g1，并且从排出线路41向外部排出干燥槽12的内部的气体。另外，从喷嘴51向处理槽11的内部供给处理液l。
[0059]
接着，如图10的(c)所示，开闭机构53使盖123从开放位置向封闭位置移动，通过盖123将搬入搬出口122封闭。此时，从喷嘴31向干燥槽12的内部供给大流量(例如356l/min)的非活性气体g1，并且从排出线路41向外部排出干燥槽12的内部的气体。另外，从喷嘴51向处理槽11的内部供给处理液l。
[0060]
接着，如图11的(a)所示，升降机构55使基板保持器具20上升，由此将多张基板w从贮存于处理槽11的内部的处理液l中提起，并使基板保持器具20停止于干燥槽12的内部空间。此时，从喷嘴31向干燥槽12的内部供给小流量(例如30l/min)的非活性气体g1，并且从排出线路41向外部排出干燥槽12的内部的气体，使附着于基板w的液滴挥发来使基板w干燥。另外，从喷嘴51向处理槽11的内部供给处理液l。
[0061]
接着，如图11的(b)所示，从喷嘴31向干燥槽12的内部供给非活性气体g1与有机溶剂的蒸气g2的混合气体g3，并且从排出线路41向外部排出干燥槽12的内部的气体。有机溶剂的蒸气g2与各基板w的表面及背面接触，在各基板w的表面上和背面上冷凝(结露)，通过冷凝后的有机溶剂来置换各基板w的表面上和背面上的处理液l。由此，能够促进基板w的干燥。此时，以在步骤s11中计算出的非活性气体的供给流量和有机溶剂的供给流量向干燥槽12的内部供给非活性气体与有机溶剂的蒸气的混合气体。另外，从喷嘴51向处理槽11的内部供给处理液l。
[0062]
接着，如图11的(c)所示，开闭机构54使挡板14从连通位置移动到隔断位置。此时，继续向干燥槽12的内部供给混合气体g3、向干燥槽12的外部排出气体、以及向处理槽11的内部供给处理液l。
[0063]
接着，如图12的(a)所示，在挡板14移动到隔断位置的状态下，以规定的时间继续
向干燥槽12的内部供给混合气体g3、向干燥槽12的外部排出气体、以及向处理槽11的内部供给处理液l。规定的时间例如通过制程来确定。
[0064]
接着，如图12的(b)所示，从喷嘴31向干燥槽12的内部以第一流量(例如270l/min)供给非活性气体，并且从排出线路41向外部排出干燥槽12的内部的气体。另外，停止从喷嘴51向处理槽11的内部供给处理液l。由此，能够削减处理液l的使用量。
[0065]
接着，如图12的(c)所示，从喷嘴31向干燥槽12的内部以比第一流量大的第二流量(例如445l/min)供给非活性气体，并且从排出线路41向外部排出干燥槽12的内部的气体。另外，继续停止从喷嘴51向处理槽11的内部供给处理液l。由此，能够削减处理液l的使用量。
[0066]
接着，如图13所示，开闭机构53使盖123从封闭位置移动到开放位置，来使搬入搬出口122开放。另外，升降机构55使基板保持器具20上升，由此将多张基板w搬出到处理容器10的外部。之后，基板保持器具20在处理容器10的上方将基板w传递到搬送装置(未图示)。此时，从喷嘴31向干燥槽12的内部供给小流量(例如20l/min)的非活性气体g1，并且从排出线路41向外部排出干燥槽12的内部的气体。另外，继续停止从喷嘴51向处理槽11的内部供给处理液l。由此，能够削减处理液l的使用量。
[0067]
通过以上过程，实施方式的基板处理方法结束。
[0068]
此外，在上述的实施方式中，对在从贮存于处理槽11的内部的处理液l提起多张基板w时从喷嘴31向干燥槽12的内部供给非活性气体g1的情况进行了说明，但并不限定于此。例如，如图14的(a)和图14的(b)所示，也可以在从在使多张基板w浸在处理液l中之后且开始提起之前到提起结束为止的期间，从喷嘴31向干燥槽12的内部供给混合气体g3。由此，能够在处理液l的液面形成有机溶剂的膜。其结果是，在提起过程中各基板w通过有机溶剂的膜，由此各基板w的表面上和背面上的处理液l被置换为有机溶剂，因此能够促进各基板w的干燥。
[0069]
另外，在上述的实施方式中，对从喷嘴31向干燥槽12的内部以固定的流量供给非活性气体g1与有机溶剂的蒸气g2的混合气体的情况进行了说明，但并不限定于此。例如，也可以将有机溶剂的蒸气浓度维持为固定，并且使从喷嘴31向干燥槽12的内部供给的非活性气体g1与有机溶剂的蒸气g2的混合气体g3的流量在中途变化。作为一例，也可以将有机溶剂的蒸气浓度维持为固定，并且在最初以与上述实施方式中的混合气体的流量相同的流量供给混合气体g3，接着以比上述实施方式中的混合气体的流量大的流量供给混合气体g3。作为另一例，也可以将有机溶剂的蒸气浓度维持为固定，并且在最初以比上述实施方式中的混合气体的流量大的流量供给混合气体g3，接着以与上述实施方式中的混合气体的流量相同的流量供给混合气体g3。像这样，通过追加以比上述实施方式中的混合气体的流量大的流量供给混合气体g3，有机溶剂的蒸气g2容易到达各基板w的下端，因此能够促进利用机溶剂对残留于基板w的下端的处理液l的液滴进行的置换。
[0070]
参照图15，对在一边将非活性气体的供给流量和有机溶剂的供给流量控制为第一张数(例如50张～80张)用的值一边对比第一张数少的第二张数(例如3张)的基板w进行干了燥处理的情况下在基板w附着微粒的理由进行说明。在该情况下，在干燥槽12的内部，有机溶剂的蒸气的量过剩。由此，有机溶剂的蒸气不仅在基板w的表面上和背面上冷凝，还在干燥槽12的内部的壁面、基板保持器具20的表面等冷凝。因此，当继供给混合气体之后向干
燥槽12的内部供给非活性气体时，非活性气体使在干燥槽12的内部的壁面、基板保持器具20的表面等冷凝后的有机溶剂os雾状地悬浮。其结果是，如图15中的虚线箭头所示，雾状地悬浮的有机溶剂os再次附着于基板w而成为微粒。
[0071]
参照图16对在一边将非活性气体的供给流量和有机溶剂的供给流量控制为第一张数(例如50张～80张)用的值一边对比第一张数多的第三张数(例如100张)的基板w进行干燥处理的情况下微粒附着于基板w的理由进行说明。在该情况下，如图16中的实线的箭头所示，有机溶剂的蒸气容易流向保持于基板保持器具20的一端及另一端的基板w与干燥槽12的内部的壁面之间的宽广的空间。由此，在保持于基板保持器具20的一端及另一端的基板w中，与靠其它基板w侧的面相比，更多的有机溶剂的蒸气在靠干燥槽12的内部的壁面侧的面上冷凝。因此，在有机溶剂的蒸气在靠其它基板w侧的面上冷凝之前，基板w的温度由于在靠干燥槽12的内部的壁面侧的面上冷凝后的有机溶剂os的冷凝热而上升。因此，靠其它基板w侧的面上的有机溶剂的蒸气的冷凝不充分。其结果是，在保持于基板保持器具20的一端及另一端的基板w中的靠其它基板w侧的面的下端残留有处理液l的液滴，在液滴蒸发时，液滴中的残留物成为微粒。
[0072]
与此相对地，在实施方式的基板处理装置1中，控制部90将有机溶剂在向干燥槽12供给的混合气体中所占的蒸气浓度维持为固定，并根据基板w的张数来变更非活性气体的供给流量和有机溶剂的供给流量。
[0073]
例如，在基板w的张数为第二张数的情况下，控制部90将有机溶剂的蒸气浓度维持为固定，并且使非活性气体的供给流量和有机溶剂的供给流量比基板w的张数为第一张数的情况下的所述供给流量小。由此，能够防止在干燥槽12的内部有机溶剂的蒸气的量过剩。因此，能够减少在干燥槽12的内部的壁面、基板保持器具20的表面等冷凝的有机溶剂的蒸气的量。其结果是，能够抑制在基板w附着微粒。
[0074]
例如，在基板w的张数为第三张数的情况下，控制部90将有机溶剂的蒸气浓度维持为固定，并且使非活性气体的供给流量和有机溶剂的供给流量比基板w的张数为第一张数的情况下的所述供给流量大。由此，容易向相邻的基板w之间供给有机溶剂的蒸气。因此，在保持于基板保持器具20的一端及另一端的基板w中的靠其它基板w侧的面与靠干燥槽12的内部的壁面侧的面之间冷凝的有机溶剂的蒸气量之差变小，有机溶剂的蒸气在两个面充分地冷凝。其结果是，能够抑制在基板w附着微粒。
[0075]
[实施例]
[0076]
在实施方式的基板处理装置1中，对在变更了基板w的张数、非活性气体的供给流量以及有机溶剂的供给流量的以下所示的4个条件a～d下进行干燥处理，接着测定附着于基板w的微粒的数量的实施例进行说明。在实施例中，使用ipa作为有机溶剂，使用氮气作为非活性气体。在实施例中，为了确认再现性，将在各条件a～d下依次进行干燥处理和微粒数的测定的评价各实施3次。
[0077]
条件a和条件b是将非活性气体的供给流量和有机溶剂的供给流量固定了的条件，换言之，是不根据基板w的张数来变更非活性气体的供给流量和有机溶剂的供给流量的条件。具体地说，在条件a中，将基板w的张数设定为3张，将非活性气体的供给流量设定为79％，将有机溶剂的供给流量设定为79％。在条件b中，将基板w的张数设定为100张，将非活性气体的供给流量设定为79％，将有机溶剂的供给流量设定为79％。
[0078]
条件c和条件d是根据基板w的张数变更了非活性气体的供给流量和有机溶剂的供给流量的条件。具体地说，在条件c中，将基板w的张数设定为3张，将非活性气体的供给流量设定为44％，将有机溶剂的供给流量设定为44％。在条件d中，将基板w的张数设定为100张，将非活性气体的供给流量设定为100％，将有机溶剂的供给流量设定为100％。
[0079]
此外，在条件a～d中，向干燥槽12供给的有机溶剂的蒸气浓度固定。
[0080]
图17是示出测定附着于基板w的微粒的数量所得到的结果的图，示出针对每个条件测定附着于一张基板w的40nm以上的微粒的数量所得到的结果。在图17中，“一端”、“中央”以及“另一端”分别表示位于基板保持器具20的一端、中央以及另一端的基板w的结果。另外，“第一次”、“第二次”以及“第三次”分别表示实施了3次评价中的第一次、第二次和第三次评价的结果。
[0081]
如图17所示，可知：在条件c和条件d下，不论基板w的位置如何，微粒的数量都少。具体地说，在条件c下，在实施了3次的评价中，微粒的数量为0个～10个。在条件d下，在实施了3次的评价中，微粒的数量为1个～12个。
[0082]
与此相对地，可知：在条件a和条件b下，与条件c和条件d相比，微粒的数量更多。具体地说，在条件a下，在实施了3次的评价中，微粒的数量为9个～70个。在条件b下，在实施了3次的评价中，微粒的数量为1个～46个。另外，在条件b下，在位于基板保持器具20的一端及另一端的基板w中，与位于基板保持器具20的中央的基板w相比，微粒的数量更多。
[0083]
根据这些结果，表示出：在基板w的张数少的情况下，通过将有机溶剂的蒸气浓度维持为固定并减小非活性气体的供给流量和有机溶剂的供给流量，能够抑制在基板w附着微粒。另一方面，在基板w的张数多的情况下，通过将有机溶剂的蒸气浓度维持为固定并增大非活性气体的供给流量和有机溶剂的供给流量，能够抑制在基板w附着微粒。即，表示出：通过将有机溶剂的蒸气浓度维持为固定并根据基板w的张数来变更非活性气体的供给流量和有机溶剂的供给流量，能够抑制在基板w附着微粒。
[0084]
应当认为，本次公开的实施方式在所有方面均为例示，而非限制性的。上述的实施方式在不脱离所附的权利要求书及其主旨的情况下可以以各种方式进行省略、置换、变更。
[0085]
在上述的实施方式中，对将有机溶剂的蒸气浓度维持为固定并根据基板w的张数来变更非活性气体的供给流量和有机溶剂的供给流量的情况进行了说明，但本公开并不限定于此。也就是说，基板w的状态并不限定于基板w的张数。也可以将有机溶剂的蒸气浓度维持为固定并根据保持于基板保持器具20的多张基板w的排列间距来变更非活性气体的供给流量和有机溶剂的供给流量。在该情况下，基板w的排列间距越窄，则使非活性气体的供给流量和有机溶剂的供给流量越大，由此能够抑制在基板w附着微粒。另外，例如也可以将有机溶剂的蒸气浓度维持为固定并根据基板w的张数和基板w的排列间距这两方来变更非活性气体的供给流量和有机溶剂的供给流量。
[0086]
附图标记说明
[0087]
1：基板处理装置；11：处理槽；12：干燥槽；30：气体供给部；90：控制部；w：基板。