具有增强的器件隔离的半导体封装和引线框架的制作方法

1.本技术涉及半导体封装，并且更具体地涉及用于模制的半导体封装的引线框架设计。


背景技术：

2.可以使用模制的半导体封装对诸如mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)或igbt(绝缘栅双极晶体管)的高电压半导体器件进行封装，该模制的半导体封装包括从由电绝缘模制化合物构成的包封体伸出的多条金属引线。期望使半导体封装尽可能的小，以便减小成本并且增加部件密度。然而，减小封装尺寸的期望与设计要求和实际限制相矛盾。例如，必须将半导体封装设计为满足电隔离要求，就半导体管芯适应大的电压电位的功率应用而言这尤其是有挑战性的。此外，设计规则的集合限制了在某些维度上对半导体封装进行缩放的能力。这样的设计规则的一个示例要求半导体管芯的边缘和管芯焊盘的边缘之间的最小间隔距离。这确保了半导体管芯将被可靠地置于管芯焊盘上，并且与半导体封装的其他元件充分地电隔离。因此，在对半导体封装进行缩放的期望与对确保封装的半导体器件的可靠的组装和操作的需求之间存在冲突。


技术实现要素：

3.本领域技术人员在阅读以下详细描述并且查看附图之后将认识到额外的特征和优点。
4.公开了一种半导体封装。根据实施例，该半导体封装包括：第一半导体管芯；第一组的引线，该引线均包括内端；以及由电绝缘材料构成的包封体，该包封体包封半导体管芯和来自第一组的引线的内端，其中，间隙设置在来自第一组的引线中的两条紧邻的引线的外侧壁之间，其中，第一半导体管芯安装在第一组的引线上，使得第一半导体管芯的下表面面向来自第一组的引线中的每条引线并且与之重叠，并且其中，第一半导体管芯的下表面延伸跨越位于来自第一组的引线中的两条紧邻的引线的外侧壁之间的间隙。
5.单独地或组合地，第一组的引线包括第一引线和第二引线，其中，来自第一引线的外侧壁中的第一内部外侧壁面向来自第二引线的外侧壁中的第一内部外侧壁，并且其中，间隙在来自第一引线的外侧壁中的第一内部外侧壁与来自第二引线的外侧壁中的第一内部外侧壁之间延伸。
6.单独地或组合地，来自第一引线的外侧壁中的第一内部外侧壁与第一引线的内端相交，其中，来自第二引线的外侧壁中的第一内部外侧壁与第二引线的内端相交，并且其中，来自第一引线的外侧壁中的第一内部外侧壁基本上平行于来自第二引线的外侧壁中的第一内部外侧壁延展。
7.单独地或组合地，来自第一引线的外侧壁中的第一内部外侧壁与来自第二引线的外侧壁中的第一内部外侧壁之间的间隔距离是至少一毫米。
8.单独地或组合地，第一半导体管芯包括设置在第一半导体管芯的下表面上的第一
端子，并且其中，第一端子面向第一引线和第二引线中的一者或两者并且与第一引线和第二引线中的一者或两者电连接。
9.单独地或组合地，第一端子面向第一引线并且与第一引线电连接，并且其中，第二引线是不起电作用的。
10.单独地或组合地，半导体封装还包括被按行布置在来自第一组的第一引线和第二引线之间的第二组的引线，第一半导体管芯还包括设置在第一半导体管芯的与第一半导体管芯的下表面相对的上表面上的第二组的端子，并且第二组的端子电连接至第二组的引线。
11.单独地或组合地，第一半导体管芯的下表面的总面积的至少百分之50未被支撑。
12.单独地或组合地，第一半导体管芯的下表面的总面积的至少百分之70未被支撑。
13.单独地或组合地，第一半导体管芯安装在第一组的引线上，使得第一组的引线的延伸至第一组的引线的内端的部分与第一半导体管芯的下表面不重叠。
14.单独地或组合地，半导体封装还包括布置在半导体封装的与第一组的引线相对的一侧上的第三组的引线，其中，第二间隙设置在来自第三组的引线中的两条紧邻的引线的外侧壁之间，并且其中，第一半导体管芯的下表面延伸跨越位于来自第三组的引线中的两条紧邻的引线的外侧壁之间的第二间隙。
15.单独地或组合地，半导体封装还包括：第二半导体管芯；以及布置在半导体封装的与第一组的引线相对的一侧上的第三组的引线，其中，第二间隙设置在来自第三组的引线中的两条紧邻的引线的外侧壁之间，并且其中，第二半导体管芯的下表面延伸跨越位于来自第三组的引线中的两条紧邻的引线的外侧壁之间的第二间隙。
16.根据另一实施例，半导体封装包括：第一组的引线，该引线均包括内端以及彼此相对的外侧壁；第二组的引线，该引线均包括内端以及彼此相对的外侧壁；包括第一负载端子和第二负载端子以及控制端子的功率晶体管管芯；包括输出端子的驱动器管芯；以及由电绝缘材料构成的包封体，该包封体包封半导体管芯和来自第一组和第二组的引线的内端，其中，功率晶体管管芯安装在第一组的引线上，使得该功率晶体管管芯的下表面面向来自第一组的引线中的每条引线并且与之重叠，其中，驱动器管芯安装在第二组的引线上，使得该驱动器管芯的下表面面向来自第二组的引线中的每条引线并且与之重叠。
17.公开了一种形成半导体封装的方法。根据实施例，该方法包括：提供第一组的引线，该引线均包括内端以及彼此相对的外侧壁；提供第一半导体管芯；将第一半导体管芯安装在第一组的引线上，使得第一半导体管芯的下表面面向来自第一组的引线中的每条引线并且与之重叠；以及形成由电绝缘材料构成的包封体，该包封体包封该半导体管芯和来自第一组的引线的内端，其中，间隙设置在来自第一组的引线中的两条紧邻的引线的外侧壁之间，并且其中，第一半导体管芯的下表面的第一面积部分(areal portion)在来自第一组的引线之间的间隙之上延伸。
18.单独地或组合地，提供第一组的引线包括提供单元引线框架结构，并且其中，该单元引线框架结构没有管芯焊盘。
19.单独地或组合地，单元引线框架结构还包括第二组的引线，该引线均包括内端以及彼此相对的外侧壁，并且其中，单元引线框架结构的中心开口将来自第一组的引线的内端与来自第二组的引线的内端分隔开。
20.单独地或组合地，方法还包括在引线的上表面与第一半导体管芯的下表面之间提供粘合剂，其中，粘合剂在形成包封体之前保持第一半导体管芯的位置。
附图说明
21.附图中的元件未必相对于彼此成比例。相似的附图标记表示对应的相似部分。各种图示的实施例的特征可以组合，除非它们相互排斥。在附图中描绘了实施例，并且在下文的描述中对其进行了详述。
22.图1a和图1b示出了根据实施例的半导体封装。图1a示出了半导体封装的平面图，并且图1b示出了半导体封装的侧视图。
23.图2示出了根据实施例的用于制造半导体封装的引线框架。
24.图3a、图3b和图3c示出了根据实施例的半导体封装的内部构造。图3a示出了从半导体管芯的上表面上方所见的半导体封装的平面图，图3b示出了半导体封装的侧视图，并且图3c示出了从半导体管芯的下表面下方所见的半导体封装的局部平面图。
25.图4a、图4b和图4c示出了根据实施例的半导体封装的内部构造。图4a示出了从半导体管芯的上表面上方所见的半导体封装的平面图，图4b示出了半导体封装的侧视图，并且图4c示出了从半导体管芯的下表面下方所见的半导体封装的局部平面图。
具体实施方式
26.本文公开了半导体封装设计的实施例，该半导体封装设计在保持一个或多个半导体管芯的高电隔离的同时实现了封装占用面积的缩小。该半导体封装的引线框架没有管芯焊盘。也就是说，在半导体封装的具有管芯附接表面的中心区域中没有大的金属结构，该管芯附接表面容纳一个或多个半导体管芯在其上的完全安装。相反地，引线框架包括被配置为容纳半导体管芯在这些引线上的直接安装的细长的引线结构。这些引线延伸超过在封装的同一侧上的其他引线，以便提供直接在这些引线之间延伸的间隙。与利用管芯焊盘的引线框架不同，这些引线仅支撑半导体管芯的总面积的一小部分，而剩余的表面区域则横向地悬垂超过这些引线。因为无需满足芯片到管芯焊盘的净空要求，通过省略管芯焊盘，有可能使得空间减小。此外，这一概念可以用于在半导体封装中容纳两个半导体管芯，其中，通过消除在两个管芯焊盘之间提供隔离区域的需求，省略两个管芯焊盘允许减小封装尺寸。
27.参考图1a和图1b，半导体封装100包括包封体102。包封体102包括电绝缘材料，诸如模制化合物、环氧树脂、树脂、陶瓷等。包封体102包括上表面104和与上表面104相对的下表面106。包封体102还包括在上表面104和下表面106之间延伸的外缘侧110。半导体封装100还包括从包封体102的外缘侧伸出的多条引线112。引线112提供了到被包封体102包封的一个或多个半导体管芯的外部可及的电接触点。如图所示，半导体封装100具有所谓的表面安装器件(smd)构造，其中，封装引线112向下弯折并且包括与包封体102的下表面基本上共平面的接触表面。更一般地，本文描述的概念适用于各种各样的半导体封装100类型，例如，通孔封装类型、无引线封装类型(dfn、qfn等)。
28.半导体封装100可以被配置为分立功率器件。分立功率器件是指被配置为在两个负载端子之间阻挡高电压和/或传导高电流的单个封装器件。一般而言，分立功率器件可以被额定为阻挡至少100v并且更一般地在250v、500v、600v、1200v或2000v的量级的电压，和/
或可以被额定为传导10a、50a、100a、500a或更大的电流。例如，半导体封装100可以被配置为分立晶体管封装，例如，分立mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)管芯、分立igbt(绝缘栅双极晶体管)管芯、分立hemt(高电子迁移率晶体管)管芯、分立jfet(结型场效应晶体管)管芯等。除了开关器件之外，半导体封装100还可以包括集成于其中的额外的元件。例如，半导体封装100可以包括被配置为控制开关器件的开关操作的驱动器管芯，和/或可以包括被配置为反向传导二极管的二极管管芯。半导体封装100还可以被配置为功率转换电路，例如，半桥电路，其具有形成该半桥电路的高侧开关和低侧开关的多个晶体管管芯。
29.参考图2，描绘了根据实施例的用于制造半导体封装100的引线框架200的示例。引线框架200是由导电金属(例如，铜、镍、铝、钯、金以及它们的合金或组合)形成的金属结构。引线框架200可以由具有基本上均匀的厚度的金属片(例如，包括上文列举的金属中的任何一者或多者的片)提供，并且可以通过对该平面金属片执行金属加工技术(诸如压印、冲压、蚀刻、弯折等)来形成本文描绘和描述的引线框架200的各个特征。引线框架200可以包括由低电阻金属(例如，铜、铝)构成的核心，以及一个或多个涂层，例如，增粘剂、抗氧化涂层等。引线框架200包括多条引线112。引线112中的每条引线包括内端114和外侧壁118，内端114面向引线框架200的中心区域116，并且外侧壁118彼此相对，从内端114延伸远离，并且向引线框架200的阻隔条(dambar)结构120延伸。引线框架200额外包括围绕引线框架200的特征的并且附接至引线112的外围环122。可以在引线框架条中将图2中所示的基本几何结构重复多次，这允许并行制造出多个半导体封装100。
30.引线框架200包括引线112的第一组124。来自第一组124的引线112被配置为使得间隙126设置在来自第一组124的引线112中的紧邻的引线的外侧壁118之间。来自第一组124的引线112可以比连接至同一阻隔条结构120的所有其他引线112更长，使得来自第一组124的引线112的外侧壁118可以限定间隙126的边界。也就是说，来自第一组124的引线112的外侧壁118直接面向彼此并且限定间隙126。该间隙126为将被安装的半导体管芯提供了面积，而不接触位于半导体封装100的与引线112的第一组124相同的一侧上的引线112中的其他引线。例如，根据实施例，间隙126的总面积是至少1mm2(平方毫米)，并且可以是在1mm
2-5mm2的范围内。
31.如图所示，引线112的第一组124包括引线112中的第一条和引线112中的第二条。引线112中的第一条和第二条限定了间隙126，间隙126在来自引线112中的第一条的外侧壁118中的第一个与来自引线112中的第二条的外侧壁118中的第一个之间延伸。根据实施例，来自引线112的第一条的外侧壁118中的第一个与来自引线112中的第二条的外侧壁118中的第一个之间的间隔距离是至少1mm(毫米)，并且可以是在1mm-5mm的范围内。来自引线112中的第一条的外侧壁118中的第一个可以与来自引线112中的第二条的外侧壁118中的第一个相平行。此外，这些外侧壁118可以与相应的引线的内端114相交，以便限定矩形的间隙126。替代地，来自第一组124的引线112的外侧壁118可以具有与图示不同的几何形状。例如，来自第一组124的引线112可以具有局部加宽的几何形状、锥型的几何形状等，这样使得间隙126未必是矩形的。
32.引线框架200包括引线112的第二组128。引线112的第二组128被按行布置在第一组124的引线112中的第一条和第二条之间，并且与来自第一组124的引线112连接至同一阻隔条结构120。引线112的第二组128可以包括位于这些引线112的内端114的局部加宽的区
域，以便促进接合导线在其上的附接。
33.来自第一组124的引线112和/或来自第二组128的引线112的数量和构造可以不同于具体描绘的实施例。例如，引线112的第二组128可以包括与图示不同的引线112的数量，例如，两条的引线112、四条的引线112等。额外地或替代地，引线112的第一组124可以包括额外的引线112，例如，三条、四条、五条，其中，间隙126中的一个位于来自第一组124的引线112的紧邻对之间。在这种情况下，可以在来自第一组124的引线112的每个紧邻对之间提供引线112中的额外的引线或者引线112的额外组。额外地或替代地，可以在来自第一组124的引线112的最外侧引线的外部提供引线112中的额外的引线。
34.引线框架200额外地包括引线112的第三组130和引线112的第四组132。引线112的第三组130和第四组132设置在引线框架200的与引线112的第一组124和第二组128相对的一侧上，并且连接至与引线112的第一组124和第二组128不同的阻隔条结构120。来自第三组130的引线112以与引线112的第一组124相似的方式被配置为使得第二间隙126设置在来自第三组130的引线112中的紧邻的引线的外侧壁118之间。如图所示，引线112的第三组130可以包括引线112中的第一条和第二条，其被布置为以与来自第一组124的第一引线112和第二引线112限定第一间隙126的方式相类似的方式限定第二间隙126。此外，来自第四组132的引线112以与来自第二组128的引线112相对于第一组124的布置方式相类似的方式被按行布置在第三组130的引线112中的第一条和第二条之间。在所描绘的实施例中，引线框架200具有对称的构造，其中，位于半导体封装100的一侧上的引线112中的每者(即，引线112的第一组124和第二组128)与位于半导体封装100的相对侧上的引线112中的每者(即，引线112的第三组130和第四组132)的几何形状成镜像。替代地，引线框架200可以具有非对称的构造，其中，引线112的第三组130(如果存在的话)和/或引线112的第四组132(如果存在的话)可以分别具有与引线112的第一组124和第二组128不同的构造。这些构造包括前文描述的来自第一组124和第二组128的引线112的构造中的任何构造。
35.从图2可以认识到，用于制造半导体封装100的引线框架200没有管芯焊盘结构。相反地，引线框架200仅包括引线结构，即，按行布置并且与引线框架200的阻隔条部分120相连接的细长的结构。这允许通过消除占据相当大量的面积的结构(即，一个或多个管芯焊盘)来减小封装占用面积。就具有设置在器件的相对的两半上的两个管芯焊盘的引线框架200而言，缩小这一结构的能力可能受限于在管芯焊盘的面向彼此的内缘侧之间必须存在的最小间隔距离。本文公开的引线框架构造充分地减小了连接至两个不同的管芯并且直接面向彼此的两个导电结构之间的重叠长度。因此，能够改进半导体封装内的两个管芯之间的电隔离。
36.参考图3a至图3c，半导体封装100包括安装在引线112的第一组124上的第一半导体管芯134。第一半导体管芯134被安装成使得第一半导体管芯134的下表面136面向来自第一组124的引线112中的每条引线并且与之重叠。因此，来自第一组124的引线112物理上支撑第一半导体管芯134。
37.根据实施例，引线112的第一组124的延伸到来自第一组124的引线112的内端114的部分与第一半导体管芯134的下表面136不重叠。也就是说，第一半导体管芯134被安装成使得来自第一组124的引线112延伸跨越第一半导体管芯134的相对朝向的外缘侧。替代地，来自第一组124的引线112的内端114可以直接设置在第一半导体管芯134底下。例如，在第
一半导体管芯134是垂直器件的情况下，第一半导体管芯134可以包括设置在第一半导体管芯134的下表面136上的第一端子(未示出)，该第一端子电连接至来自第一组124的第一引线112和第二引线112中的至少一条。替代地，例如，在第一半导体管芯134是横向器件的情况下，来自第一组124的第一引线112和第二引线112可以独自充当支撑结构。根据实施例，来自第一组124的引线112中的第二条(图3a中的引线112中的最左侧的一条)是不起电作用的。也就是说，在第一半导体管芯134和这一引线112之间没有提供电连接。在这种情况下，可以在引线修整工艺(下文将对其进一步详细描述)期间对来自第一组124的引线112中的第二条的部分进行修整，使得这一引线112不从包封体102伸出。替代地，可以使用引线112中的第二条提供与引线112中的第一条的冗余电连接性。
38.根据实施例，第一半导体管芯134包括设置在第一半导体管芯134的与第一半导体管芯134的下表面136相对的上表面140上的第一组的端子138。位于第一半导体管芯134的上表面140上的端子138中的至少一些端子电连接至来自第二组128的引线112。如图所示，由接合导线提供这些电连接。替代地，可以使用其他类型的电互连特征(例如，夹具、带等)来实现这些电连接。
39.如图所示，半导体封装100可以还包括第二半导体管芯135。第二半导体管芯135安装在引线112的第三组130上，使得第二半导体管芯135的下表面136面向来自第三组130的引线112中的每条引线并且与之重叠。例如，在第二半导体管芯135是垂直器件的情况下，第二半导体管芯135可以包括设置在第二半导体管芯135的下表面136上的第一端子(未示出)，该第一端子电连接至来自第三组130的引线112中的第一条和第二条中的至少一条。替代地，例如，在第二半导体管芯135是横向器件的情况下，来自第三组130的第一引线112和第二引线112可以独自充当支撑结构。第二半导体管芯135可以包括设置在第二半导体管芯135的与第二半导体管芯135的下表面136相对的上表面140上的第二组的端子138。来自第二半导体管芯135的第二组的端子138中的至少一些端子可以电连接至来自第四组132的引线112。此外，来自第二半导体管芯135的端子138中的至少一些端子可以电连接至来自第一半导体管芯134的端子138。如图所示，由接合导线提供这些电连接。替代地，可以使用其他类型的电互连特征(例如，夹具、带等)来实现这些电连接。
40.一般而言，第一半导体管芯134和第二半导体管芯135可以具有多种多样的器件构造。例如，第一半导体管芯134和第二半导体管芯135可以被配置为分立器件，例如，mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)、igbt(绝缘栅双极晶体管)、hemt(高电子迁移率晶体管)、二极管等。替代地或者组合地，第一半导体管芯134和第二半导体管芯135可以被配置为集成电路器件，例如，驱动器、控制器等。第一半导体管芯134和第二半导体管芯135可以包括iv族半导体材料，例如，硅、硅锗、碳化硅等，和/或可以包括iii-v族半导体材料，例如，氮化镓、砷化镓等。第一半导体管芯134和第二半导体管芯135中的一者或两者可以被配置为垂直器件，垂直器件是指被配置为电流在半导体管芯的主表面和相对朝向的后表面之间流动的器件。替代地，第一半导体管芯134和第二半导体管芯135中的一者或两者可以被配置为横向器件，横向器件是指被配置为电流平行于半导体管芯的主表面流动的器件。
41.根据实施例，第一半导体管芯134和第二半导体管芯135中的至少一者被配置为分立功率晶体管。分立功率晶体管是开关器件，其被额定为容纳至少100v(伏特)并且更普遍地在600v、1200v或更高的量级的电压，和/或被额定为容纳至少1a(安培)并且更普遍地在
10a、50a、100a或更高的量级的电流。例如，分立功率晶体管的示例性器件类型包括mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)、igbt(绝缘栅双极晶体管)和hemt(高电子迁移率晶体管)。
42.根据实施例，第一半导体管芯134被配置为功率晶体管管芯，并且第二半导体管芯135被配置为驱动器管芯。功率晶体管管芯包括第一负载端子和第二负载端子以及控制端子。例如，可以由位于第一半导体管芯134的上表面140上的端子138提供第一负载端子和第二负载端子中的一个以及控制端子，并且可以在第一半导体管芯134的下表面136上提供第一负载端子和第二负载端子中的另一个。驱动器管芯包括输出端子，可以由位于第二半导体管芯135的上表面140上的端子138提供该输出端子。驱动器管芯被配置为通过驱动器管芯的输出端子与功率晶体管管芯的控制端子之间的连接来控制功率晶体管管芯的开关操作。
43.参考图3c，提供了第一半导体管芯134的下表面136的视图，即，从与图3a的视图相反的视角。可以看出，第一半导体管芯134的总面积的相当大的百分比不被任何结构支撑。该不被支撑的面积包括第一半导体管芯134的下表面136的在位于来自第一组124的引线112之间的间隙126之上延伸的第一面积部分142。第一面积部分142可以是第一半导体管芯134的下表面136的总面积的至少百分之50，并且可以是该总面积的至少百分之60、该总面积的至少百分之70或更多。此外，如图所示，第一半导体管芯134的下表面136的位于间隙126的外部的额外部分可以不被支撑，使得在各个实施例中总的不被支撑的面积可以是在第一半导体管芯134的下表面136的总面积的至少百分之50和至少百分之95之间。第二半导体管芯135的下表面136可以以与第二半导体管芯135的下表面136的相同的不被支撑的面积部分相似的方式类似地延伸跨越引线112的第三组130。
44.形成半导体封装100可以包括以下工艺步骤。可以在载体上提供参考图2示出和描述的引线框架200。随后，可以将第一半导体管芯134安装在引线112的第一组124上，并且可以将第二半导体管芯135安装在引线112的第三组130上。在电连接被提供在第一半导体管芯134的第一端子和引线112的第一组124之间和/或在第二半导体管芯135的第一端子和引线112的第三组130之间的情况下，安装可以包括焊接或烧结工艺。在没有提供电连接的情况下，可以在第一半导体管芯134的下表面136和引线112的第一组124之间和/或在第二半导体管芯135的下表面136和引线112的第三组130之间提供非导电粘合剂(例如，胶或胶带)。在形成包封体102之前的后续组装步骤期间，焊接材料和/或非导电粘合剂保持第一半导体管芯134和第二半导体管芯135的位置，使得第一半导体管芯134和第二半导体管芯135被固定到位，并且不横向滑动或者从引线112滑脱。在固定半导体管芯之后，例如，通过执行导线接合工艺、夹具附接等，可以完成第一半导体管芯134和第二半导体管芯135的上表面端子138之间的电连接。随后，可以通过诸如注入模制、转移模制、压缩模制等的模制工艺形成包封体102。随后，可以执行引线修整工艺，从而使引线112中的每条引线从外围环122和阻隔条结构120脱离。最后，可以将引线112的外侧部分弯折，例如，以具有所描绘的表面安装器件构造。
45.参考图4a至图4c，描绘了根据实施例的具有安装在来自引线112的第一组124和第三组130的引线112上的第一半导体管芯134的半导体封装100。在这一实施例中，第一半导体管芯134的下表面136延伸跨越位于来自第一组124的引线112中的第一条和第二条之间
的间隙126，并且额外地延伸跨越位于来自第三组130的引线112中的第一条和第二条之间的第二间隙126。此外，第一半导体管芯134延伸跨越引线框架200的中心区域116，中心区域116位于来自第一组124的引线112的内端114和来自第三组130的引线112的内端114之间。一般而言，总的不被支撑的面积可以是第一半导体管芯134的下表面136的总面积的至少百分之50，并且在各个实施例中可以是在第一半导体管芯134的下表面136的总面积的百分之60和95之间。通过在第一半导体管芯134的所有四个外侧顶角提供支撑，可以将与引线112相重叠的量最小化，并且可以有利地使来自第一组124的引线112的内端114和来自第三组130的引线112的内端114之间的间隔距离更大。从图4b还可以看出，引线112的第一组124和第三组130可以具有朝下设置的构造，其中，这些引线112的延伸至相应的内端114的部分垂直地位于这些引线112的中心部分下方。这可以有助于在组装期间和包封之前保持半导体管芯134的位置。
46.诸如“之下”、“下方”、“下部”、“之上”、“上部”等空间相对术语用于方便描述，以解释一个元件相对于第二元件的定位。这些术语旨在涵盖器件的不同取向以及与图中所描绘的取向不同的取向。此外，诸如“第一”、“第二”等术语也用于描述各种元件、区域、部分等，并且也不旨在进行限制。在整个说明书中，相似的术语指代相似的元件。
47.如本文所用的，术语“具有”、“含有”、“包括”、“包含”等是开放式术语，其表示存在所陈述的元件或特征，但不排除额外的元件或特征。冠词“一”和“所述”旨在包括复数以及单数，除非上下文清楚地做出另外的指示。
48.考虑到上述变化和应用的范围，应当理解本发明不受前述描述的限制，也不受附图的限制。相反地，本发明仅受以下权利要求及其合法等同物限制。