屏蔽装置及真空灭弧室的制作方法

本发明涉及真空灭弧室，尤其涉及一种屏蔽装置及真空灭弧室。

背景技术：

1、真空灭弧室是真空开关的核心部件，主要用于要承载、关合、开断正常工作电流和短路故障电流，还需在分闸状态时保持良好的绝缘能力。具体地，真空灭弧室的绝缘外壳内设有屏蔽筒，屏蔽筒内设有动电极和静电极，屏蔽筒用于在燃弧的过程中对绝缘外壳进行保护，减少电弧对绝缘外壳的烧蚀，并且阻止金属蒸汽在绝缘外壳内壁沉积；还用于在动静电极开合的过程中，对真空灭弧室内部电场进行均压的作用，用于灭弧室耐受电压的提升。

2、绝缘外壳为两端开口的结构，屏蔽筒的两端各设一个盖板，两个盖板各通过一个封接环连接于绝缘外壳，以封闭绝缘外壳两端的开口。目前，封接环和屏蔽筒沿屏蔽筒的轴向间隔设置，即沿屏蔽筒的轴向，封接环和与其邻近的屏蔽筒端部之间设有轴向间隔。

3、在动静电极开合的瞬间产生的电弧极易通过封接环和屏蔽筒之间的缝隙喷溅或吸附在绝缘外壳内壁，以致灭弧室弧后绝缘性能差。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提出一种屏蔽装置及真空灭弧室，能够在有效避免电弧通过封接环和屏蔽筒之间的缝隙喷溅或吸附在绝缘外壳内壁，提高灭弧室弧后绝缘性能。

2、为达此目的，一方面，本发明提供了一种屏蔽装置，包括屏蔽筒，及套设于所述屏蔽筒外的绝缘外壳；所述屏蔽装置还包括分别位于所述屏蔽筒轴向两端的两个均压封接环，每个所述均压封接环的一端连接于所述绝缘外壳，另一端位于所述绝缘外壳内且沿所述屏蔽筒的轴向另一所述均压封接环所在端延伸；

3、所述屏蔽筒的轴向一端位于该端的所述均压封接环的内部，或位于该端的所述均压封接环和所述绝缘外壳之间；

4、所述屏蔽筒的轴向另一端位于该端的所述均压封接环的内部，或位于该端的所述均压封接环和所述绝缘外壳之间。

5、作为上述屏蔽装置的一种优选技术方案，两个所述均压封接环关于预设平面对称，所述预设平面为垂直于所述屏蔽筒轴向的平面。

6、作为上述屏蔽装置的一种优选技术方案，所述屏蔽筒包括中部屏蔽，及分别连接于所述中部屏蔽轴向两端的两个端部屏蔽；两个所述端部屏蔽关于所述预设平面对称设置。

7、作为上述屏蔽装置的一种优选技术方案，所述均压封接环和与其位于所述屏蔽筒同一端的所述端部屏蔽之间的最小间隔为a，a的取值范围为2mm～15mm。

8、作为上述屏蔽装置的一种优选技术方案，所述绝缘外壳包括沿所述绝缘外壳的轴向依次相连的静端外壳、连接环和动端外壳，所述连接环连接于所述屏蔽筒正对所述动端外壳的部分；

9、所述静端外壳和所述动端外壳关于所述预设平面对称设置。

10、作为上述屏蔽装置的一种优选技术方案，沿所述屏蔽筒的径向，所述屏蔽筒和所述静端外壳之间的最小径向间距为i1，i1的取值范围为2mm～15mm；

11、和/或，沿所述屏蔽筒的径向，所述屏蔽筒和所述动端外壳之间的最小径向间距为i2，i2的取值范围为2mm～15mm。

12、作为上述屏蔽装置的一种优选技术方案，所述绝缘外壳为轴向两端开口的中空结构，所述屏蔽装置还包括分别用于封堵两个所述开口的两个盖板，两个所述盖板与两个所述均压封接环一一对应设置；所述盖板通过对应的所述均压封接环连接于所述绝缘外壳；

13、沿所述屏蔽筒的轴向，所述屏蔽筒的轴向一端与该端的所述盖板之间的最小轴向间距为d，d的取值范围为2mm～15mm；和/或，沿所述屏蔽筒的轴向，所述屏蔽筒的轴向另一端与该端的所述盖板之间的最小轴向间距为h，h的取值范围为2mm～15mm。

14、另一方面，本发明还提供了一种真空灭弧室，包括上述任一方案所述的屏蔽装置，及均设于所述屏蔽筒内的动电极和静电极，所述动电极和所述静电极沿所述屏蔽筒的轴向间隔设置，所述动电极能够沿所述屏蔽筒的轴向移动；

15、沿所述屏蔽筒的径向，所述静电极和所述屏蔽筒之间的最小径向间距为j，j的取值范围为2mm～15mm；和/或，沿所述屏蔽筒的径向，所述动电极和所述屏蔽筒之间的最小径向间距为k，k的取值范围为2mm～15mm。

16、作为上述真空灭弧室的一种优选技术方案，所述屏蔽装置的两个盖板分别为静端盖板和动端盖板，所述真空灭弧室还包括与所述屏蔽筒同轴设置的：

17、静导电杆，所述静导电杆穿过所述静端盖板后伸入所述屏蔽筒内且与所述静端盖板相连，所述静电极安装于所述静导电杆；

18、动导电杆，所述动导电杆滑动贯穿所述动端盖板后伸入所述屏蔽筒内，所述动电极安装于所述动导电杆；

19、其中，沿所述屏蔽筒的径向，所述静导电杆与所述屏蔽筒之间的最小径向间距为c，c的取值范围为2mm～15mm；和/或，沿所述屏蔽筒的径向，所述动导电杆与所述屏蔽筒之间的最小径向间距为g，g的取值范围为2mm～15mm。

20、作为上述真空灭弧室的一种优选技术方案，沿所述屏蔽筒的轴向，所述动电极和所述静电极之间的最小轴向间隔为l，l的取值范围为2mm～15mm。

21、本发明有益效果：本发明提供的屏蔽装置及真空灭弧室，通过屏蔽筒和均压封接环将动电极、静电极与绝缘外壳的内壁完全隔开，使动电极和静电极开合瞬间产生的电弧没有喷射到绝缘外壳内壁的通道，保护绝缘外壳的内壁不受污染，保证绝缘外壳内壁的洁净，不仅能够保证真空灭弧室的弧后绝缘不会下降；还能够使真空灭弧室屏蔽电弧的能力更强，提高真空灭弧室的静态绝缘性，可以利用真空灭弧室的静态绝缘性能进行充分的电流老炼，彻底去除动电极、静电极表层的杂质及氧化层，保证真空灭弧室的绝缘性能不会下降，减少出现非持续击穿放电现象的概率，从而使老炼过的真空灭弧室能够满足c2级切容性电流要求。

技术特征：

1.屏蔽装置，包括屏蔽筒(2)，及套设于所述屏蔽筒(2)外的绝缘外壳(1)；其特征在于，所述屏蔽装置还包括分别位于所述屏蔽筒(2)轴向两端的两个均压封接环，每个所述均压封接环的一端连接于所述绝缘外壳(1)，另一端位于所述绝缘外壳(1)内且沿所述屏蔽筒(2)的轴向另一所述均压封接环所在端延伸；

2.根据权利要求1所述的屏蔽装置，其特征在于，两个所述均压封接环关于预设平面对称，所述预设平面为垂直于所述屏蔽筒(2)轴向的平面。

3.根据权利要求2所述的屏蔽装置，其特征在于，所述屏蔽筒(2)包括中部屏蔽(21)，及分别连接于所述中部屏蔽(21)轴向两端的两个端部屏蔽；两个所述端部屏蔽关于所述预设平面对称设置。

4.根据权利要求3所述的屏蔽装置，其特征在于，所述均压封接环和与其位于所述屏蔽筒(2)同一端的所述端部屏蔽之间的最小间隔为a，a的取值范围为2mm～15mm。

5.根据权利要求2所述的屏蔽装置，其特征在于，所述绝缘外壳(1)包括沿所述绝缘外壳(1)的轴向依次相连的静端外壳(13)、连接环(12)和动端外壳(11)，所述连接环(12)连接于所述屏蔽筒(2)正对所述动端外壳(11)的部分；

6.根据权利要求5所述的屏蔽装置，其特征在于，沿所述屏蔽筒(2)的径向，所述屏蔽筒(2)和所述静端外壳(13)之间的最小径向间距为i1，i1的取值范围为2mm～15mm；

7.根据权利要求1所述的屏蔽装置，其特征在于，所述绝缘外壳(1)为轴向两端开口的中空结构，所述屏蔽装置还包括分别用于封堵两个所述开口的两个盖板，两个所述盖板与两个所述均压封接环一一对应设置；所述盖板通过对应的所述均压封接环连接于所述绝缘外壳(1)；

8.真空灭弧室，其特征在于，包括权利要求1至7任一所述的屏蔽装置，及均设于所述屏蔽筒(2)内的动电极(51)和静电极(52)，所述动电极(51)和所述静电极(52)沿所述屏蔽筒(2)的轴向间隔设置，所述动电极(51)能够沿所述屏蔽筒(2)的轴向移动；

9.根据权利要求8所述的真空灭弧室，其特征在于，所述屏蔽装置的两个盖板分别为静端盖板(42)和动端盖板(41)，所述真空灭弧室还包括与所述屏蔽筒(2)同轴设置的：

10.根据权利要求8所述的真空灭弧室，其特征在于，沿所述屏蔽筒(2)的轴向，所述动电极(51)和所述静电极(52)之间的最小轴向间隔为l，l的取值范围为2mm～15mm。

技术总结
本发明涉及真空灭弧室，公开了一种屏蔽装置及真空灭弧室，通过屏蔽筒和均压封接环将动电极、静电极与绝缘外壳的内壁完全隔开，使动电极和静电极开合瞬间产生的电弧没有喷射到绝缘外壳内壁的通道，保护绝缘外壳的内壁不受污染，保证绝缘外壳内壁的洁净，不仅能够保证真空灭弧室的弧后绝缘不会下降；还能够使真空灭弧室屏蔽电弧的能力更强，提高真空灭弧室的静态绝缘性，可以利用真空灭弧室的静态绝缘性能进行充分的电流老炼，彻底去除动电极、静电极表层的杂质及氧化层，保证真空灭弧室的绝缘性能不会下降，减少出现非持续击穿放电现象的概率，从而使老炼过的真空灭弧室能够满足C2级切容性电流要求。

技术研发人员：毕冬丽,李春香
受保护的技术使用者：陕西宝光真空电器股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/27