一种高密度清洗设备的制作方法

1.本发明涉及显示面板制造技术领域，尤其涉及一种高密度清洗设备。


背景技术：

2.tft-lcd(thin film transistor liquid crystal display，薄膜晶体管液晶显示器)具有低成本、低功耗、低辐射、寿命周期长等优点，也是当前大尺寸显示面板的主流。tft基板为由tft阵列排布在玻璃基板上的阵列基板，是显示面板的关键部件，用于控制液晶分子的偏转，从而控制显示面板各子像素的色彩和亮度。tft基板制作工艺包含基板清洗工艺、sputter(溅射)成膜工艺、cvd(chemical vapor deposition，化学气相沉积)成膜工艺、光刻胶涂布工艺、曝光工艺、显影工艺、湿刻工艺、干刻工艺、剥离工艺、退火工艺以及检测和维修等。随着产品的不断迭代，tft-lcd的工艺要求越来越高，尤其是大世代线大尺寸面板。基板清洗工艺是由高密度清洗设备(high density cleaner，hdc)完成，hdc主要通过ap plasma(等离子清洗)、毛刷、高压二流体等对基板表面的有机物和微粒进行清洗，并通过hdc的干燥装置风刀(air knife，ak)对基板进行干燥。工厂一般会将hdc与sputter成膜设备连接在一起，形成一条生产线，可以节约成本以及减少基板搬送过程中的污染。
3.但是，目前发现通过hdc的基板进入到sputter成膜阶段时，容易发生成膜异常，制造的tft基板open类不良的发生率较高，严重影响了产品良率和产能的提升。


技术实现要素：

4.鉴于上述问题，本发明提出了一种高密度清洗设备，其中增加的导流组件增加了干燥作用区的宽度和/或干燥作用区气流对基板表面液体的剪切应力，从而增强对基板表面的干燥效率，降低了open类不良的发生率。
5.第一方面，本技术通过一实施例提供如下技术方案：
6.一种高密度清洗设备，设置有用于传送基板的清洗通道；所述清洗通道沿传送方向包括依次连接的液洗段和干燥段；在所述液洗段设置有液洗组件，在所述干燥段设置有干燥组件和导流组件；所述干燥组件被配置为，输出用于干燥所述基板的第一气流；所述第一气流的输出方向与所述基板的传送平面之间呈第一夹角，所述第一夹角为锐角；所述第一气流在所述基板上形成干燥作用区，以干燥所述液洗组件在所述基板表面产生的液体；所述导流组件被配置为，输出用于引导所述第一气流方向的第二气流；所述第二气流与第一气流相交，以增加所述干燥作用区的宽度，和/或所述干燥作用区气流对基板表面液体的剪切应力。
7.可选的，所述导流组件包括送风单元；所述送风单元用于产生所述第二气流。
8.可选的，所述导流组件还包括导流板；所述导流板设置在所述送风单元出风口下方，并与所述送风单元之间形成具有导流出口的导流腔室；
9.所述导流腔室用于汇聚所述第二气流以从所述导流出口输出，所述第二气流从所述导流出口输出的方向与所述基板的传送平面之间呈第二夹角，所述第二夹角为锐角。
10.可选的，所述第二夹角大于所述第一夹角。
11.可选的，所述送风单元输出的所述第二气流的流速为0.38m/s～0.52m/s。
12.可选的，高密度清洗设备还包括：排气组件；所述排气组件设置在所述清洗通道外，所述排气组件与所述清洗通道的干燥段连通，以将所述干燥段中干燥所述基板后产生的气流排出。
13.可选的，所述清洗通道的干燥段的侧壁至少设置有第一连接孔和第二连接孔，所述排气组件通过所述第一连接孔和所述第二连接孔与所述清洗通道的干燥段连通；所述第一连接孔和所述第二连接孔分别位于沿所述传送方向，且垂直于所述传送平面的两个侧壁，所述第一连接孔和所述第二连接孔均位于所述基板正面朝向的一侧，所述基板的正面为用于制造膜层的一面。
14.可选的，所述液洗组件包括液切清洗组件和高压二流体液洗组件；所述液切清洗组件设置在所述导流组件和所述高压二流体液洗组件之间。
15.可选的，所述干燥组件包括条形的风刀干燥组件；所述风刀干燥组件与所述传送方向之间的夹角范围为72
°
～76
°
。
16.可选的，所述风刀干燥组件为双风刀干燥组件，所述双风刀干燥组件用于同时输出并行的两道所述第一气流。
17.可选的，所述第一夹角的范围为31
°
～33
°
。
18.本发明实施例中提供的一种高密度清洗设备，设置有用于传送基板的清洗通道；清洗通道沿传送方向包括依次连接的液洗段和干燥段；在液洗段设置有液洗组件，在干燥段设置有干燥组件，并在干燥段增加导流组件。其中，干燥组件被配置为，输出用于干燥所述基板的第一气流；第一气流的输出方向与基板的传送平面之间呈第一夹角，第一夹角为锐角；第一气流在基板上形成干燥作用区，以干燥液洗组件在基板表面产生的液体；导流组件被配置为输出用于引导第一气流方向的第二气流；第二气流与第一气流相交，以增加干燥作用区的宽度和/或干燥作用区气流对基板表面液体的剪切应力，从而增强对基板表面的干燥效率，降低了open类不良的发生率。
19.上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明的具体实施方式。
附图说明
20.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
21.图1为本发明实施例中示出的具有残留水膜的基板的结构示意图；
22.图2为本发明实施例中示出的无可见水膜的基板的结构示意图；
23.图3为本发明实施例中示出的高密度清洗设备水平切面的组件位置结构示意图；
24.图4为本发明实施例中示出的高密度清洗设备纵切面的组件位置结构示意图；
25.图5为本发明实施例中第二水洗组件为普通水洗组件的清洗范围示意图；
26.图6为本发明实施例中第二水洗组件为液切清洗组件的清洗范围示意图；
27.图7为本发明实施例中第一气流的流向示意图；
28.图8为本发明实施例中第二气流开启前后干燥原理对比示意图；
29.图9为本发明实施例中干燥段的导流组件和干燥组件的位置关系示意图；
30.图10为本发明实施例中送风单元和导流板之间的位置关系示意图；
31.图11为本发明实施例中排气组件的结构示意图；
32.图12为本发明实施例中干燥组件的角度关系示意图；
33.图13为本发明实施例中不同改进方式之间的open不良发生率的趋势图。
具体实施方式
34.以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
35.在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
36.在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。
37.目前在制造tft阵列的过程中，在基板上成膜异常等open类不良的发生率较高，严重影响了产品良率和产能的提升。进行原因分析发现，在高密度清洗设备的清洗阶段中，基板的清洗阶段的后段会对清洗过的基板进行干燥处理，然后再将基板传送至成膜设备中进行后续的制造；高密度清洗设备的干燥过程是在基板的上、下面两侧布置风刀干燥组件进行吹扫干燥处理，利用风刀形成的气流在基板的表面形成剪切应力，从而对基板实现干燥处理；但是在干燥结束后仍然可在基板表面发现肉眼的可见的条形水膜，如图1所示，在基板1上出现了条形水膜2。在基板表面未良好干燥的情况下进行成膜制造，从而导致严重的open类不良。
38.在本发明的一实施例中，利用sputter成膜设备中的out gas(脱气)功能，再次对基板进行处理，可在一定程度上覆盖掉干燥不良的影响，但是改善相当有限，无法保证后续的生产良率。并且该种方式还增加了sputter成膜设备的工作时间，严重消耗设备使用寿命，还增加了工艺周期，不利于大规模量产。
39.在本发明的又一实施例中，对风刀干燥组件的气流输出角度，气流流量以及与基板之间的间距进行调整优化。在调整优化后采用dummy基板(测试用的基板)进行传片测试，然后观察基板表面的水膜情况，发现基板干燥情况得到较好改善，没有发现肉眼可见的水膜，如图2所示，基板1上无水膜。因此，将工艺流程中sputter成膜设备的out gas功能去除进行量产测试，open类不良发生率较最初条件降低了3.7％，基板表面依然存在肉眼不可见
的水气，基板在搬送过程中水气未及时蒸发，导致基板镀膜后膜层间粘附性不好，引起了open类不良的发生。该实施例的改进方式虽然在一定程度上改善了open类不良的发生率，但是改善效果未能满足生产良率要求。
40.因此，进一步的在本发明中还提供了一种高密度清洗设备，该高密度清洗设备是基于现有设备的结构基础上的改进；尤其是针对高密度清洗设备的清洗通道的干燥段进行改良，增加导流组件对干燥组件的气流进行控制，从而提升高密度清洗设备的干燥效果。下面通过具体实施例进行详细说明。
41.请参阅图3和图4，在本发明的一实施例中提供了一种高密度清洗设备10，该高密度清洗设备10可用于在基板上成膜之前，对基板进行清洗和干燥处理；当然也不限于此。
42.该高密度清洗设备10设置有用于传送基板的清洗通道100。可以理解的，该清洗通道100内容可设置传送组件101，通过传送组件101对基板进行传送。传送组件101可以是由垂直于传送方向的多排滚轮组成，以实现传送功能。也可以是垂直于传送方向布置的多根转动轴组成，以实现传送功能。此外，还可以是现有技术中的任一可实现传送的传送组件101结构，且该传送组件101结构在传送基板时，均留有可对基板的上下表面进行清洗或干燥的空隙。传送组件101的具体结构此处不做限制。
43.需要说明的是，该基板可为用于制造显示面板用的衬底基板，例如，用于制造tft(thin film transistor)阵列基板的玻璃基板；另外，也可以是制造其他器件或电路结构的基板，不做限制。
44.清洗通道100沿传送方向包括依次连接的液洗段110和干燥段120，也即在基板液洗之后进行干燥处理。液洗段110和干燥段120可为一个整体且没有明显分界位置的腔室，也即基于功能作用所定义的液洗段110和干燥段120；液洗段110和干燥段120也可以是两个具有明显分界位置的且相互连通的腔室，以保证基板能够从液洗段110进入干燥段120。
45.液洗段110设置有液洗组件，液洗组件用于对基板进行冲洗。液洗组件包括有一种或多种组合，该液洗组件可成组布置。成组布置表示一种类型的液洗组件可包括两个，设置在传送平面的两侧，分别用于清洗基板的正面和背面。传送平面表示基板被传送进入清洗通道100时基板的所在的平面，基板的正面为用于进行成膜的一面。液洗组件可采用水洗组件和高压二流体(high pressure micro jet，hpmj)组件112，水洗组件可为常用的普通冲洗(normal shower)组件。例如，液洗段110中的结构布置可与现有技术中的结构设置相同。
46.为了便于表述本文中将清洗通道100中，基板的正面朝向的一侧定义为清洗通道100的上侧，基板的背面朝向的一侧定义为清洗通道100的下侧；液洗段110和干燥段120的上侧、下侧，与清洗通道100的上侧、下侧定义相同。
47.在一些实施方式中，水洗组件可包括第一水洗组件111第二水洗组件113，第一水洗组件111设置在高压二流体远离干燥段120的一侧，第二水洗组件113设置在高压二流体组件112与干燥段120之间。第一水洗组件111和第二水洗组件113均可由多个喷头组成，在每个喷头之间存在45mm左右的间隙，在基板和喷头之间存在60mm左右的间隙，喷头的水喷出后呈发散状，在喷头喷水之后水流呈发散状，每两个喷头之间的喷洗范围通过重合搭接，以保证基板能够完全被清洗到。但是，由于相邻的两个喷头之间的仍然会存在间隙，导致在喷头下方小于60mm的位置仍然存在碰头喷洗时未覆盖的间隙，如图5所示，其中示出了单个喷头喷水后发散的水流可覆盖的宽度为h1，在距离喷头50mm的位置存在间隙a未被覆盖。因
此，在高压二流体会在基板上激发出大量的水汽后，这些水汽就可通过第二水洗组件113与基板之间未被覆盖的间隙a溢出到干燥段120。该实施方式中可将原有的普通水洗组件替换为液切(aqua knife)清洗组件，并且液切清洗组件的输出的面状水流与传送平面呈一锐角，且输出时的速度方向在传送方向上的分量朝向传送方向的反方向。液切清洗组件呈面状喷洒清洗基板，形成完整的清洗宽度h2，消除了间隙，避免了高压二流体产生水汽逸散，如图6所示。由此，普通水洗组件替换为液切清洗组件，可对高压二流体产生的水汽起到较好的屏蔽效果，显著抑制了液洗段110中的液体向干燥段120逸散，提高了干燥效果。
48.干燥段120设置有干燥组件121和导流组件122。导流组件122的设置位置应当能够保证其产生的第二气流可对第一气流起到导引作用，以增加干燥作用区的宽度和/或干燥作用区气流对基板表面液体的剪切应力。例如，导流组件122可设置在干燥组件121和液洗组件之间，具体可设置在液切清洗组件和干燥组件121之间；另外，也可设置在其他位置通过调整第二气流的输出角度实现对第一气流的导引作用，不做限制。
49.该干燥组件121可采用风刀干燥组件121实现，该风刀干燥组件121可产生面状的气流。当然也可采用其他的可产生气流的设备或结构部件实现，以产生用于干燥的气流。可以理解的，干燥组件121被配置为输出用于干燥基板的第一气流。该第一气流的输出方向可与基板的传送平面之间呈第一夹角。当干燥组件121以风刀干燥组件121实现时，第一气流呈面状，第一夹角可理解为第一气流在输出时形成的面与传送平面之间的面夹角。若为其他类型的第一气流时，可以气流中心线与传送平面之间的夹角作为第一夹角。该第一夹角为锐角，并且第一气流的输出时的速度在传送方向上的分量朝向传送方向的反方向，从而增加干燥作用区的宽度，提高了干燥效率，还避免了水汽入侵基板上已干燥的部分。第一夹角的大小范围可为30
°
～35
°
，例如可为30
°
、31
°
、32
°
、33
°
、34
°
、35
°
、等等，不做限制。
50.可以理解的，干燥组件121产生的气流在冲击到基板上后会对基板上的液体，本实施例中主要为水膜/水渍，产生剪切应力。但在第一气流与基板接触之后，又会逐渐远离基板。因此，在基板上随着距离该冲击位置逐渐变远的地方，剪切应力逐渐减小，如图7所示，其中干燥组件121产生的气流b，随着与干燥组件121的距离增加，气流b与基板g的距离也逐渐增加。从而导致远离冲击位置的气流无法再对基板上的水膜产生剪切应力，或者剪切应力难以起到有效的干燥效果。也就是说，此处的干燥作用区为第一气流冲击到基板上后，对液洗组件在基板表面产生的液体起到主要干燥作用的区域。
51.因此，在本实施例的一些实施方式中，可通过对干燥组件121产生的第一气流进行控制，来增加干燥作用区的宽度和对水渍的剪切应力，从而提高高密度清洗设备10的清洗后的干燥效果。也即，通过设置的导流组件122来对第一气流的方向进行限制和引导。
52.导流组件122被配置为输出用于引导第一气流方向的第二气流。第二气流与第一气流相交，以增加干燥作用区的宽度。第一气流和第二气流可均可为普通气流；也可为压缩空气(cda)，以保证能够对基板的水渍产生剪切应力，实现有效干燥。
53.请参阅图8，其中当未输出第二气流f2时，第一气流f1在基板g上产生的干燥作用区的宽度为h3，并且第一气流f1在远离基板g后会产生回流f3。当向下输出第二气流f2时，第二气流在p位置与第一气流f1相交，对第一气流f1产生下压作用，此时，干燥作用区的宽度得到增加，宽度为h4(h4＞h3)，干燥作用区的剪切应力也得到了显著增加，第一气流产生的回流f3也被第二气流有效阻断，使得干燥效果得到显著提升。可以理解的，第二气流f2与
第一气流f1相交为位置p应当位于第一气流f1(与基板接触之后)逐渐远离基板g的阶段相交，从而使得第二气流f2对第一气流f1产生向基板g下压的作用力。这样就可减缓第一气流f1远离基板g的速度，使得干燥作用区的宽度增加，基板g上的水膜受到剪切应力的大小也会增加，提高了干燥效率。
54.在一些实现方式中，该导流组件122可包括送风单元1221，该送风单元1221用于产生第二气流。该送风单元1221可设置在液洗组件和干燥组件121之间，可更好的第二气流的方向进行控制设计。当然，也可设置在其他位置，但应当满足第二气流能够与第一气流相交，以使干燥作用区的宽度增加，达到提高干燥效果的作用。送风单元1221可仅设置在干燥段120的上侧，可保证基板正面的干燥效果避免成本过度增加；当然，可以在干燥段120的上侧和下侧均设置该送风单元1221，从而保证整个基板的干燥效果，避免基板背面残留水汽产生不良影响。
55.在设置送风单元1221时，应道保证送风单元1221的出风口输出的第一气流在清洗通道100内，送风单元1221的出风口与清洗通道100的上侧的顶壁或下侧的底壁应当形成密封。避免杂质侵入或清洗通道100内的水汽或气流泄露。
56.该送风单元1221可采用一般的能够产生气流的装置或设备；在本实施例中可采用风机过滤单元(fan filter unit，ffu)，如图9所示，以避免引入杂质。该送风单元1221可为一个或多个不做限制；例如，送风单元1221产生的第二气流可尽可能的覆盖到第一气流的宽度范围，以保证较好的干燥效果。另外，也可根据实际测试检查出基板的宽度方向上，哪些区域干燥不良尤为明显，可将这些区域设置更加密集的风机过滤单元，或生成更大的第二气流。从而实现干燥效果和设备成本之间的平衡。
57.送风单元1221产生的第二气流的输出方向具有多种实现方式，如下：
58.送风单元1221产生的第二气流的输出方向可与传送平面垂直。例如：该送风单元1221可设置在干燥段120中的较为靠近液洗段110的位置，具体可设置在干燥段120中的靠近液洗段110的1/2区间中的任一位置，或1/3区间中的任一位置，或1/4区间中的任一位置，等等。第二气流的输出方向可正向下输出，该实现方式可增加基板上干燥作用区的宽度，同时还能够尽可能的阻挡来自液洗段110的水汽。经过实际测试，当在干燥段120增加了送风单元1221之后，后期基板成膜阶段产生open类不良显著改善，不良发生率较最初为改善时下降50％以上，可达到58.5％。
59.送风单元1221产生的第二气流的输出方向还可与传送平面呈第二夹角，该第二夹角为一锐角；并且第二气流的输出时的速度在传送方向上的分量朝向传送方向的反方向。为保证在空间有限的清洗通道100内实现第二气流对第一气流的引导作用，第二夹角的大小可为30
°
～90
°
，例如，为40
°
、50
°
、60
°
、70
°
、80
°
、85
°
等等，不做限制。这样可不必将送风单元1221设置的更靠近液冷段，可避免回转的气流对送风单元1221产生侵蚀；同时，第二夹角为锐角时，还可从一定程度上增加第一气流和第二气流的相交范围，增加第一气流和第二气流混合后的气流动能，有效提高混合气流对基板表面水膜的剪切应力，提高了干燥效果，open类不良进一步下降。
60.第二角度的大小可大于第一夹角，从而可使得送风单元1221可设置在干燥组件121和液洗组件之间之间，并且位置可清洗通道100上侧，并且使其出风口相对于干燥组件121距离基板更远。当产生第二气流时，第二气流可与第一气流较好的相交，增加基板上的
干燥作用区的宽度，open类不良进一步下降。
61.在一些实现方式中，还可对送风单元1221的气流进行控制。例如将送风单元1221的转速控制在800r/min～1200r/min，但实际发现当转速过小时产生的风压和风速较小，第二气流对第一气流的作用不足，当转速过大时产生的风压和气流流速过大，对第一气流的干扰过大，同时，影响排气；最终也会导致干燥效果不好。因此，在本实施例中可考虑将送风单元1221的转速控制在1000r/min，从而能够保证较好的良率。
62.在一些实现方式中，为了避免第二气流的风压和/或流速影响干燥效果，可对送风单元1221输出第二气流时的风压和/或流速进行控制，从而提高良率。具体的，可将风压控制在59pa～81pa，具体可为60pa、65pa、70pa、75pa、80pa等等；在本实施例中可设置为70pa，可保证较好的良率。同样的，第二气流的流速可控制在0.38m/s～0.52m/s，具体可为0.40m/s、0.43m/s、0.45m/s、0.48m/s、0.5m/s，等等；在本实施例中可设置为0.45m/s，可保证较好的良率。
63.在一些实施方式中，导流组件122还包括导流板1222，如图10所示。该导流板1222设置在送风单元1221出风口下方，并与送风单元1221之间形成具有导流出口的导流腔室。导流腔室用于汇聚所述第二气流以从导流出口输出，第二气流从导流出口输出的方向与基板的传送平面之间呈第二夹角，第二夹角为锐角。同样的，经过导流出口输出的第二气流的输出方向也应当是满足第二夹角大于第一夹角。
64.可以理解的，该实施方式中可通过导流板1222的结构或导流出口的开口方向控制来达到控制第二气流输出的方向。可避免对送风单元1221的整体安装方向进行调整，达到灵活调整的目的。同时，由于送风单元1221直接输出第二气流，还存在第二气流较为分散的缺陷。通过导流板1222形成的导流腔室和导流出口能够有效的汇聚气流，增加第二气流输出的风速，进一步提高了干燥作用区的宽度和对基板水膜的剪切应力，干燥效果得到进一步的提升。
65.需要说明的是，本实施例中设置的导流板1222可通过卡扣连接或螺丝连接的方式，扣设在送风单元1221的出风口下方。因此，该导流板1222还可对送风单元1221起到保护作用，避免送风单元1221在长时间工作的过程中，被携带水汽的绕流气流侵蚀，造成损坏，能够提高送风单元1221的使用寿命。
66.在一些实施方式中，本实施例的高密度清洗设备10还可包括排气组件123，如图11所示。
67.该排气组件123设置在清洗通道100外，排气组件123的部分管路结构连接至干燥段120的腔室内，以将干燥段120中干燥基板后产生的气流排出。通过排气组件123的设置有效的增加了干燥段120的排气能力。可将在干燥过程中，经过干燥作用区的第一气流、第二气流以及水汽等进行均匀排出，避免滞留的水汽在干燥段120的基板上再次产生水膜或不可见的水汽，进一步的提高干燥段120的干燥能力。
68.对于排气组件123而言，清洗通道100的干燥段120的侧壁可至少设置有第一连接孔101和第二连接孔102，排气组件123通过第一连接孔101和第二连接孔102与清洗通道100的干燥段120连通；第一连接孔101和第二连接孔102分别位于沿传送方向，且垂直于传送平面的两个侧壁；第一连接孔101和第二连接孔102均位于基板正面朝向的一侧，也即在侧壁的上侧，基板的正面为用于制造膜层的一面。这样可使得排气组件123能够有限排出基板正
面的水汽和气流，保证基板正面的干燥效果。第一连接孔101和第二连接孔102均可为一个或多个，不做限制。
69.另外，也可在两个侧壁的下侧设置一组连接孔，或多组连接孔，用于排出基板背面的气流和水汽，避免基板背面的气流和水汽绕流到基板正面，影响干燥效果；该两个侧壁即为设置第一连接孔101和第二连接孔102的侧壁。
70.排气组件123可采用排气管道1231和排气泵1232实现，通过设置排气管道1231连接至第一连接孔101和第二连接孔102，排气管道1231排气的一段通过排气泵1232提供负压进行排气。在排气泵1232工作的过程中，清洗通道100的干燥段120产生负压，从而对干燥段120实现排气功能。另外，也可采用其他能够对干燥段120内持续产生负压，并吸气的设备实现，不做限制。
71.本实施例中，通过对高密度清洗设备10增加导流组件122，以及将普通的普通冲洗组件更换为液切清洗组件之后，进行实际量产测试，发现相对于改进之前不良发生率显著下降了60％以上，可达到67.9％。
72.在本实施例中，干燥组件121可包括条形的风刀干燥组件121。在上述改进或部分改进的基础上还对原有的干燥组件121进行调试改进。
73.在一些实现方式中，将风刀干燥组件121的设置角度进行倾斜调整，使得风刀干燥组件121与传送方向之间的夹角(如图12所示的∠α)范围为72
°
～76
°
；也即风刀干燥组件121与转动轴之间的夹角(如图12所示的∠β)范围为14
°
～18
°
，例如可为15
°
、16
°
、17
°
、等等。通过倾斜调整之后，在风刀干燥组件121对基板干燥的过程中，可一定程度上避免基板上的水膜产生集中或堆积，降低干燥效率。因此，通过对风刀干燥组件121的角度调整也能够一定程度上降低open类不良的发生率。
74.在一些实现方式中，还可将风刀干燥组件121设置为双风刀干燥组件121，双风刀干燥组件121用于同时输出并行的两道所述第一气流。将风刀干燥组件121设置为双风刀干燥组件121时，输出第一气流的角度和方向可参考前述的风刀干燥组件121设置。通过设置双风刀干燥组件121，增大了用于干燥的第一气流流量，增大了干燥作用区的对水渍的剪切应力，提高了干燥效率，降低了open类不良的发生率。
75.在一些实现方式中，还可对风刀干燥组件121输出第一气流的角度进行优化调整。在改变风刀干燥组件121设置角度过程中，风刀干燥组件121与基板之间的间隙(gap值)也会发生改变。在本实施例中，可设置第一夹角的范围为30
°
～35
°
。进一步的，还可将风刀干燥组件121与基板之间的间隙设置为安全范围内的最小值，这样可保证第一气流对基板的水渍有较好的剪切应力。可以理解的，当采用双风刀干燥组件121，且第一角度较小时，从双风刀干燥组件121外风口吹出的第一气流对基板表面的剪切应力更大，但是双风刀干燥组件121的内风口和基板之间的间隙也会变大，内风口吹出的第一气流的剪切应力会变小；因此，为了保证较好的平衡，可限定第一夹角的范围在31
°
～33
°
，例如可为32
°
，以保持内风口和外风口较好的平衡。
76.在一些实现方式中，对风刀干燥组件121的气流量增加至3000lpm～6000lpm，也可一定程度上增加干燥作用区对水渍的剪切应力。具体，可为4000lpm～5000lpm，可使功耗、排气、干燥效果达均达到较好的耦合状态。
77.请参阅图13，在本发明中通过对上述的各个实施例进行量产验证，可确定不同改
进方式所获得的open类不良率改善效果。其中，设备改进分别为：
78.条件1：原始条件；也即为改进的原始设备。
79.条件2：ak参数调试；也即调整风刀干燥组件121的摆放角度，第一气流的输出角度，输出第一气流的气流量，以及风刀干燥组件121与基板的间隙；
80.条件3：基板清洗和成膜工艺分开进行；也即高密度清洗设备10与成膜设备各自独立设置；
81.条件4：采用out gas工艺；也即利用成膜设备中的out gas功能进行干燥；
82.条件5：增加ffu设备；即增加了导流组件122；
83.条件6：增加ffu设备、导流板1222和改用水切；也即，增加ffu设备，并在ffu设备下方设置导流板1222，同时将第二水洗组件113调整为液切清洗组件。
84.可以看出，在高密度清洗设备10中增加导流组件122的方案，改善效果显著；并且，相对于out gas方案而言效果更好，不增加工艺步骤，设备成本和工艺成本均更低。因此，在增加导流组件122的基础上继续增加导流板1222和排气组件123，以及对风刀干燥组件121的参数进行调试，能够达到更优的干燥效果。
85.综上所述，本发明实施例中提供的一种高密度清洗设备10，设置有用于传送基板的清洗通道100；清洗通道100沿传送方向包括依次连接的液洗段110和干燥段120；在液洗段110设置有液洗组件，在干燥段120设置有干燥组件121，并在干燥段120增加导流组件122。其中，干燥组件121被配置为，输出用于干燥所述基板的第一气流；第一气流的输出方向与基板的传送平面之间呈第一夹角，第一夹角为锐角；第一气流在基板上形成干燥作用区，以干燥液洗组件在基板表面产生的液体；导流组件122被配置为输出用于引导第一气流方向的第二气流；第二气流与第一气流相交，以增加干燥作用区的宽度和/或干燥作用区气流对基板表面液体的剪切应力，从而增强对基板表面的干燥效率，降低了open类不良的发生率。
86.在以上的描述中，对于各层的构图、刻蚀等技术细节并没有做出详细的说明。但是本领域技术人员应当理解，可以通过各种技术手段，来形成所需形状的层、区域等。另外，为了形成同一结构，本领域技术人员还可以设计出与以上描述的方法并不完全相同的方法。另外，尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。
87.尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
88.显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。