技术特征：
1.一种led芯片，其特征在于，包括：基板及设置于所述基板上方的第一金属层、绝缘层、第二金属层、外延叠层、第一电极以及第二电极；所述外延叠层至少包括沿第一方向依次堆叠的第二型半导体层、有源区以及第一型半导体层，且所述外延叠层具有裸露所述第一型半导体层部分表面的通孔；第一方向垂直于所述基板，并由所述基板指向所述外延叠层；其中，所述第二金属层层叠于所述第二型半导体层背离所述有源区的一侧表面，用于欧姆接触、电流扩展并实现光反射；且所述第二金属层在朝向所述第二型半导体层的一侧表面具有裸露面；所述绝缘层设置所述外延叠层朝向所述基板的一侧，其覆盖所述第二金属层、外延叠层裸露面并延伸至所述通孔侧壁；所述第一金属层层叠于所述绝缘层背离所述第二金属层的一侧表面，并嵌入所述通孔与所述第一型半导体层形成接触；且，所述第一金属层在朝向所述外延叠层的一侧表面具有裸露面；所述基板层叠于所述第一金属层背离所述外延叠层的一侧表面；第一电极，其层叠于所述第一金属层的裸露面；第二电极，其层叠于所述第二金属层的裸露面。2.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述基板包括绝缘基板。3.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述基板还包括半绝缘基板。4.根据权利要求1或2所述的led芯片，其特征在于，所述基板包括金刚石、氮化硼、碳化硅、氮化硅、氮化铝、氧化铝、石墨中的任意一种或者多种。5.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述第二金属层通过包覆在所述绝缘层中间的方式延伸至所述led芯片的边缘。6.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述第二金属层包括铟、锡、铝、金、铂、锌、银、钛、铅、镍中的一种或多种堆叠。7.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述第二金属层的侧壁被所述绝缘层包覆。8.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述基板还包括导电基板。9.一种led芯片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：s01、提供一生长衬底；s02、层叠一外延叠层于所述生长衬底表面，所述外延叠层包括沿第一方向依次堆叠第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层，所述第一方向垂直于所述生长衬底，并由所述生长衬底指向所述外延叠层；s03、通过蚀刻工艺在所述外延叠层形成通孔及发光台面，所述通孔裸露所述第一型半导体层的部分表面；s04、沉积第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述通孔并延伸至所述发光台面的部分表面；s05、在所述发光台面的表面形成第二金属层，所述第二金属层用于欧姆接触、电流扩展并实现光反射；s06、沉积第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第二金属层、外延叠层裸露面并延伸至所述通孔的侧壁，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层构成绝缘层；
s07、制作第一金属层，所述第一金属层层叠于所述绝缘层表面，并嵌入所述通孔与所述第一型半导体层形成接触；s08、通过键合工艺，将步骤s07所形成的芯片结构固定于基板，且所述基板形成于所述第一金属层的表面；s09、剥离所述生长衬底；s10、将所述led芯片的两侧分别刻蚀，至裸露所述绝缘层的表面；s11、通过光刻、刻蚀工艺，使所述led芯片的一侧具有所述第一金属层的裸露面，另一侧具有所述第二金属层的裸露面；s12、制作第一电极和第二电极，所述第一电极层叠于所述第一金属层的裸露面，所述第二电极层叠于所述第二金属层的裸露面。10.根据权利要求9所述的led芯片的制作方法，其特征在于，所述基板包括绝缘基板或半绝缘基板或导电基板。
技术总结
本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过：基板及设置于所述基板上方的第一金属层、绝缘层、第二金属层、外延叠层、第一电极以及第二电极。从而，实现了LED芯片的两个电极位于芯片同侧，但在发光区中，电流分布与垂直结构芯片类似，其电流和热量分布相较于普通的同侧电极结构更加均匀。而本方案与传统的垂直结构芯片相比，其所采用的基板不受是否导电的限制，可以采用高导热的金刚石、氮化硼、碳化硅等基板，以实现芯片更低的热阻，因此本方案可以很好地运用于高功率LED芯片。很好地运用于高功率LED芯片。很好地运用于高功率LED芯片。
技术研发人员：曲晓东 陈凯轩 崔恒平 蔡海防 林志伟 罗桂兰 赵斌 杨克伟 江土堆
受保护的技术使用者：厦门乾照光电股份有限公司
技术研发日：2022.09.26
技术公布日：2022/11/29