超材料结构及天线罩的制作方法

本申请涉及电磁领域，具体而言，涉及一种超材料结构及天线罩。

背景技术：

1、天线罩一方面需要有足够的机械强度保护天线等内部设备，另一方面需要保证工作频段内电磁波能具有高透过性，对电磁波的传输特性影响极小。天线罩通常是由透波材料和电磁调制功能层组成。

2、现有技术中为了实现不同波束指向下，整罩的副瓣电平抬高、镜像瓣电平等指标的权衡，需要根据特定极化、不同波束指向下，照射区的入射角度、极化比例分布，对天线罩夹芯层的厚度进行全局优化设计。但其主要优化目标是使天线罩罩壁反射系数的幅度最低，并且，在同时优化副瓣而使两极化间插入相位延迟之差最小的情况下，反射系数的相位分布一般比较均匀，反射产生的镜像瓣易相干叠加。

技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种超材料结构及天线罩，以至少解决相关技术中无法进一步有效减小天线罩镜像瓣电平的瓶颈。

2、根据本申请的一个实施例，提供了一种超材料结构，包括：功能复合层，上述功能复合层用于调制入射至天线罩的电磁波；多个相位调制层，其中，多个上述相位调制层位于上述功能复合层中的多个区域中，上述相位调制层用于调制上述功能复合层的反射相位，多个上述相位调制层之间交错排布，以用于抑制天线罩的镜像瓣。

3、在一个示例性实施例中，上述天线罩的表面包括：相对立设置的第一表面和第二表面，其中，上述第一表面上设置有第一相位调制层，上述第二表面上设置有第二相位调制层；上述第一相位调制层与上述第二相位调制层之间交错排列。

4、在一个示例性实施例中，上述功能复合层包括：基础电磁功能调制层和多个材料层；其中，上述基础电磁功能调制层设置在多个上述材料层中包括的至少一个材料层的内部，上述基础电磁功能调制层用于调制上述电磁波，每个上述材料层均用于透射上述电磁波；相位调制层设置在多个材料层中的目标材料层之上，目标材料层与基础电磁功能调制层的距离超过预定阈值。

5、在一个示例性实施例中，上述基础电磁功能调制层包括：第一基板；第一导电几何结构层，其中，上述第一导电几何结构层设置在上述第一基板的表面。

6、在一个示例性实施例中，上述第一导电几何结构层包括：多个第一导电几何单元，其中，每个上述第一导电几何单元中包括连通环，上述连通环内设置有第一导电贴片。

7、在一个示例性实施例中，在目标材料层包括多个的情况下，上述相位调制层设置在多个上述目标材料层中的包括的至少一个目标材料层的表面或内部。

8、在一个示例性实施例中，上述相位调制层包括：第二基板；第二导电几何结构层，其中，上述第二导电几何结构层设置在上述第二基板的表面，上述第二导电几何结构层包括多个第二导电贴片。

9、在一个示例性实施例中，每个上述第二导电几何单元的参数均包括以下至少之一：形状、尺寸、位置。

10、在一个示例性实施例中，上述相位调制层的参数均为可以调整的参数，通过调整上述相位调制层的参数调制上述反射相位，其中，上述相位调制层的参数包括以下至少之一：上述相位调制层的数量、上述相位调制层的排列方式。

11、根据本申请的又一个实施例，还提供了一种天线罩，包括：上述任意一项上述的超材料结构。

12、通过本申请，超材料结构包括功能复合层，其中，所述功能复合层用于调制入射至所述天线罩的电磁波；多个相位调制层，其中，多个所述相位调制层位于所述功能复合层中的多个区域中，所述相位调制层用于调制所述功能复合层的反射相位。使得在功能复合层实现天线罩基本的功能的前提下，在功能复合层中增加相位调制层，通过相位调制层的交错排布，可以在基本不影响主瓣的辐射特性下，实现反射相位周期性分布调控，进而抑制天线罩的镜像瓣。因此，可以解决相关技术中无法进一步有效减小天线罩镜像瓣电平的瓶颈。

技术特征：

1.一种超材料结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的超材料结构，其特征在于，所述天线罩的表面包括：

3.根据权利要求1所述的超材料结构，其特征在于，所述功能复合层包括：

4.根据权利要求3所述的超材料结构，其特征在于，所述基础电磁功能调制层包括：

5.根据权利要求4所述的超材料结构，其特征在于，所述第一导电几何结构层包括：

6.根据权利要求3所述的超材料结构，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的超材料结构，其特征在于，所述相位调制层包括：

8.根据权利要求7所述的超材料结构，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的超材料结构，其特征在于，

10.一种天线罩，其特征在于，包括：权利要求1至9中任意一项所述的超材料结构。

技术总结
本申请公开了一种超材料结构及天线罩，涉及电磁波技术领域，该超材料结构，包括：功能复合层，其中，功能复合层用于调制入射至天线罩的电磁波；多个相位调制层，其中，多个相位调制层位于功能复合层中的多个区域中，相位调制层用于调制功能复合层的反射相位，多个相位调制层之间交错排布，以用于抑制天线罩的镜像瓣。

技术研发人员：刘若鹏,赵治亚,田华,黄星星,李霄鹏
受保护的技术使用者：深圳光启高等理工研究院
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17