半导体封装结构的制作方法

本发明涉及半导体，尤其涉及一种半导体封装结构。

背景技术：

1、半导体封装结构不仅可以为半导体晶粒提供免受环境污染的保护，而且它还可以提供封装在其中的半导体晶粒与诸如印刷电路板(printed circuit board，pcb)的基板之间的电连接。

2、尽管现有的半导体封装结构通常已经足够，但它们在各个方面都不是令人满意的。例如，随着半导体晶粒包含越来越多的功能，制造半导体封装结构的成本和难度也会增加。因此，需要进一步改进半导体封装结构。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明提供一种半导体封装结构，以解决上述问题。

2、根据本发明的第一方面，公开一种半导体封装结构，包括：

3、第一重分布层；

4、第一半导体晶粒，设置在该第一重分布层上方并且包括具有第一宽度的第一通孔；

5、第二通孔，与该第一半导体晶粒相邻，并且具有大于该第一宽度的第二宽度；

6、模塑材料，围绕该第一半导体晶粒和该第二通孔；

7、第二半导体晶粒，设置在该模塑材料上方，并电耦接到该第一通孔和该第二通孔；以及

8、第二重分布层，设置在该第二半导体晶粒上方。

9、根据本发明的第二方面，公开一种形成半导体封装结构，包括：

10、第一重分布层；

11、第一半导体晶粒，设置在该第一重分布层上方并且包括第一通孔；

12、第二通孔，与该第一半导体晶粒相邻；

13、第二半导体晶粒，设置在该第一半导体晶粒的第一部分之上并且电耦接到该第一通孔和该第二通孔；

14、第三通孔，设置在该第一半导体晶粒的第二部分上方；以及

15、第二重分布层，设置在该第二半导体晶粒上方并电耦接到该第三通孔。

16、根据本发明的第三方面，公开一种形成半导体封装结构，包括：

17、第一重分布层；

18、中介层，设置在第一重分布层上并且包括通孔和深沟槽电容器；

19、半导体晶粒，设置在该中介层上方并电耦接到该通孔和该深沟槽电容器；以及

20、第二重分布层，设置在该第二半导体晶粒上方。

21、本发明的半导体封装结构由于包括：第一重分布层；第一半导体晶粒，设置在该第一重分布层上方并且包括具有第一宽度的第一通孔；第二通孔，与该第一半导体晶粒相邻，并且具有大于该第一宽度的第二宽度；模塑材料，围绕该第一半导体晶粒和该第二通孔；第二半导体晶粒，设置在该模塑材料上方，并电耦接到该第一通孔和该第二通孔；以及第二重分布层，设置在该第二半导体晶粒上方。本发明的半导体封装结构包括堆叠的多个半导体晶粒(第一半导体晶粒和第二半导体晶粒)而不是一个大的半导体晶粒，可以降低制造成本和难度，并且可以提高良率和性能。此外，由于避免了热耦合，因此可以增强散热效率。

技术特征：

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一宽度为2微米至18微米，该第二宽度为40微米至80微米。

3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括凸块结构，该凸块结构连接该第一半导体晶粒与该第二半导体晶粒。

4.如权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括第三半导体晶粒，该第三半导体晶粒由该模塑材料所包围，其中该第三半导体晶粒包括具有第三宽度的第三通孔，该第三宽度小于该第二宽度。

5.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括第三重分布层，设置在该第一半导体晶粒和该第二半导体晶粒之间并且将该第二半导体晶粒电耦接到该第一通孔和该第二通孔。

6.如权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括由该模塑材料围绕的第三半导体晶粒，其中该第三半导体晶粒包括第三通孔，该第三通孔具有小于该第二宽度的第三宽度。

7.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括中介层，设置于该第一重分布层与该第二半导体晶粒之间，该中介层包括深沟槽电容器。

8.如权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，该中介层包括该第二通孔。

9.如权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括第三重分布层，设置于该中介层与该第二半导体晶粒之间，并将该第二半导体晶粒电耦接至该深沟槽电容器。

10.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括第三通孔，直接设置于该第二通孔上方且具有大于该第一宽度的第三宽度。

11.如权利要求10所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括第三重分布层，设置在该第一半导体晶粒和该第二半导体晶粒之间并且电耦接到该第二半导体晶粒、该第一通孔、该第二通孔、该第三通孔和该第三重分布层。

12.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括第三通孔，直接设置在该第一半导体晶粒上方并且具有大于该第一宽度的第三宽度。

13.如权利要求12所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括第三重分布层，设置于该第二半导体晶粒与该第二通孔之间以及该第一半导体晶粒与该第三通孔之间。

14.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

15.如权利要求14所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一通孔设置在该第一半导体晶粒的该第一部分中。

16.如权利要求14所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括模塑材料，围绕该第一半导体晶粒、该第二半导体晶粒、该第二通孔以及该第三通孔。

17.如权利要求14所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：

18.如权利要求17所述的半导体封装结构，其特征在于，该第三通孔电性耦接该第三重分布层与该第二重分布层。

19.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

20.如权利要求19所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括第三重分布层，设置在该中介层和该第二半导体晶粒之间，并且将该第二半导体晶粒电耦接到该深沟槽电容器。

技术总结
本发明公开一种半导体封装，包括：第一重分布层；第一半导体晶粒，设置在该第一重分布层上方并且包括具有第一宽度的第一通孔；第二通孔，与该第一半导体晶粒相邻，并且具有大于该第一宽度的第二宽度；模塑材料，围绕该第一半导体晶粒和该第二通孔；第二半导体晶粒，设置在该模塑材料上方，并电耦接到该第一通孔和该第二通孔；以及第二重分布层，设置在该第二半导体晶粒上方。本发明的半导体封装结构包括堆叠的多个半导体晶粒而不是一个大的半导体晶粒，可以降低制造成本和难度，并且可以提高良率和性能。此外，由于避免了热耦合，因此可以增强散热效率。

技术研发人员：陈筱芸,黄耀聪,张正佶
受保护的技术使用者：联发科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/11