半导体模块的制作方法

本发明涉及一种半导体模块。

背景技术：

1、半导体装置具有半导体模块和电容器。半导体模块与电容器电连接。半导体模块包含功率器件，例如具有电力变换功能。功率器件例如是igbt(insulated gate bipolartransistor：绝缘栅双极型晶体管)、mosfet(metal oxide semiconductor field effecttransistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)。在这样的半导体装置中，半导体模块的p端子和n端子与电容器的p端子和n端子通过汇流条而连接。另外，在p端子和n端子之间设置绝缘纸，维持p端子和n端子之间的绝缘性。p端子、n端子、汇流条的连接通过激光焊接来进行(例如，参照专利文献1)。

2、另外，在通过激光焊接将p端子、n端子、汇流条之间分别接合时，有时焊接部因激光的热而过度地熔化。为了防止该情况，在焊接部位的附近按压导热探针。导热探针吸取焊接时产生的热，抑制焊接部的过度的温度上升，防止熔化(例如，参照专利文献2)。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2021-106235号公报

6、专利文献2：日本特开2009-190067号公报

技术实现思路

1、技术问题

2、然而，如上所述，半导体模块在p端子和n端子之间设置有绝缘纸。如果通过激光焊接将汇流条接合于如此在之间夹着绝缘纸的p端子和n端子，则绝缘纸有可能因激光产生的热而受到损伤。如果绝缘纸受到损伤，则变得无法维持p端子和n端子之间的绝缘状态。因此，有可能发生电气不良，导致半导体模块以及包含半导体模块的半导体装置的可靠性降低。

3、本发明是鉴于这一点而完成的，其目的在于提供一种抑制了电气不良的发生的半导体模块。

4、技术方案

5、根据本发明的一个观点，提供一种半导体模块，其具有依次层叠有第一端子、绝缘部件和第二端子的端子层叠部，在所述绝缘部件与所述第二端子之间设置有热各向异性部件，所述热各向异性部件的与所述端子层叠部的层叠方向正交的平面方向的导热率比所述层叠方向的导热率高。

6、技术效果

7、根据公开的技术，抑制电气不良的发生而防止可靠性降低。

技术特征：

1.一种半导体模块，其特征在于，具有依次层叠有第一端子、绝缘部件和第二端子的端子层叠部，

2.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体模块，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的半导体模块，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的半导体模块，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体模块，其特征在于，

7.根据权利要求2所述的半导体模块，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的半导体模块，其特征在于，

9.根据权利要求7所述的半导体模块，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的半导体模块，其特征在于，

11.根据权利要求2所述的半导体模块，其特征在于，

12.根据权利要求1～11中任一项所述的半导体模块，其特征在于，

13.根据权利要求12所述的半导体模块，其特征在于，

14.根据权利要求13所述的半导体模块，其特征在于，

15.根据权利要求1～11中任一项所述的半导体模块，其特征在于，

16.根据权利要求1～11中任一项所述的半导体模块，其特征在于，

技术总结
本发明提供一种半导体模块，抑制电气不良的发生。在第一绝缘片(23)与第二功率端子(25)之间，设置有与端子层叠部的层叠方向正交的平面方向的导热率比层叠方向的导热率高的热各向异性片(24)。由此，在通过激光焊接将连结部件(40)接合于第二功率端子(25)的正面时，能够抑制由激光产生的热向第一绝缘片(23)传导。因此，能够抑制第一绝缘片(23)产生损伤，维持第一功率端子(22)与第二功率端子(25)之间的绝缘性。

技术研发人员：金井直之,村田悠马
受保护的技术使用者：富士电机株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13