半导体装置的制作方法

本发明涉及一种半导体装置。

背景技术：

1、半导体装置包括功率器件，并被用作电力转换装置。功率器件例如是igbt(insulated gate bipolar transistor：绝缘栅双极型晶体管)、功率mosfet(metal oxidesemiconductor field effect transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)。另外，半导体装置包括：包括功率器件的半导体芯片、容纳半导体芯片的壳体、以及配置于壳体的开口并覆盖半导体芯片的盖部。盖部通过粘接部件固接于壳体的开口。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2003-051560号公报

技术实现思路

1、技术问题

2、但是，在盖部相对于壳体的固接中所利用的粘接部件有时会从壳体的开口溢出。例如，在不能在壳体充分确保粘接部件的涂布区域的情况下，会导致粘接部件溢出。如果粘接部件溢出，则会浪费粘接部件。另外，如果溢出的粘接部件附着于盖部和壳体，则会导致半导体装置被污染，美观性降低。另外，溢出的粘接部件有时也会污染半导体装置的周围。另一方面，在为了防止粘接部件的溢出而在壳体确保粘接部件的涂布区域的情况下，需要增大壳体，导致半导体装置的大型化。

3、本发明是鉴于这一点而完成的，其目的在于提供一种抑制大型化，并且防止粘接部件的溢出的半导体装置。

4、技术方案

5、根据本发明的一个观点，提供一种半导体装置，其具备：半导体元件；壳体，其具备框部，所述框部在俯视时呈框形状，且所述框部包含将容纳所述半导体元件的容纳区域的周围包围的开口内周部；以及盖部，其呈平板状，并覆盖所述容纳区域的上方，所述开口内周部形成有台阶部，所述台阶部具有位置比所述框部的正面低且与所述框部的正面大致平行的台阶支承面，所述盖部的包围周围的外侧面通过粘接部件与所述台阶部接合，所述盖部的底面与所述台阶支承面大致平行，在所述盖部的正面形成有贮存部，所述贮存部从所述外侧面朝向内侧包含位置比所述盖部的正面低的贮存面。

6、技术效果

7、根据公开的技术，抑制半导体装置的大型化，并且防止粘接部件的溢出。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

15.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

16.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

17.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

18.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

技术总结
本发明提供一种半导体装置，其抑制半导体装置的大型化，并且防止粘接部件的溢出。盖部的包围周围的外侧面通过粘接部件与台阶部接合，盖部的底面与台阶支承面大致平行，在盖部的正面形成有贮存部，该贮存部从外侧面朝向内侧包含位置比盖部的正面低的贮存面。在盖部的外侧面与壳体的台阶部的台阶内周面之间的间隙涂布粘接部件，该粘接部件在间隙扩展。此时，粘接部件进入盖部的贮存部并被贮存。因此，能够不谋求半导体装置的大型化而抑制粘接部件从间隙溢出，防止粘接部件的浪费。

技术研发人员：城塚直彦
受保护的技术使用者：富士电机株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13