技术特征：
1.一种刻蚀机台的晶圆刻蚀方法，其特征在于，包括：刻蚀机台，用以按批次对晶圆进行刻蚀，且所述刻蚀机台的腔体中设置有朝向所述晶圆的边缘区域注入刻蚀气体的边缘管道；自动调整系统，与所述刻蚀机台连接以调整所述边缘管道的气体参数；所述晶圆刻蚀方法包括：获取上一批次的晶圆的刻蚀速率分布图；比较所述上一批次的晶圆的刻蚀速率分布图与当前批次的晶圆所需的基准速率分布图，并将比较结果反馈到自动调整系统；所述自动调整系统根据所述比较结果调整所述边缘管道的气体参数，所述边缘管道根据所述气体参数向所述刻蚀机台的腔体中注入气体进行刻蚀，对当前批次的晶圆进行刻蚀。2.如权利要求1所述的刻蚀机台的晶圆刻蚀方法，其特征在于，所述气体参数包括气体的总流量、气体中各组分的比例。3.如权利要求1所述的刻蚀机台的晶圆刻蚀方法，其特征在于，根据所述上一批次的晶圆的刻蚀速率分布图、上一批次的晶圆对应的所述边缘管道的气体参数、以及当前批次的晶圆所需的基准速率分布图，得到所述当前批次的晶圆的所述边缘管道的气体调节参数。4.如权利要求1所述的刻蚀机台的晶圆刻蚀方法，其特征在于，除获取所述上一批次的晶圆刻蚀速率分布图，还获取所述上一批次的晶圆之前的多个批次的晶圆的刻蚀速率分布图，根据当前批次前的多个批次的晶圆的刻蚀速率分布图以及所述当前批次的晶圆所需的基准速率分布图，得到所述当前批次的晶圆的所述边缘管道的气体调节参数。5.如权利要求4所述的刻蚀机台的晶圆刻蚀方法，其特征在于，根据所述当前批次的晶圆的之前的多个批次的晶圆的刻蚀速率分布图、以及之前的多个批次的晶圆的对应的所述边缘管道的气体参数、以及所述当前批次的晶圆所需的基准速率分布图，得到所述当前批次的晶圆的所述边缘管道的气体调节参数。6.如权利要求1所述的刻蚀机台的晶圆刻蚀方法，其特征在于，所述边缘区域设置有聚焦环。7.如权利要求6所述的刻蚀机台的晶圆刻蚀方法，其特征在于，在相邻的两批次的晶圆的刻蚀条件下，所述聚焦环具有对应所述上一批次的晶圆的第一消耗量和所述当前批次的晶圆的第二消耗量，所述第一消耗量大于所述第二消耗量。8.如权利要求7所述的刻蚀机台的晶圆刻蚀方法，其特征在于，所述基准速率分布图示出的晶圆各处的刻蚀速率的均一度至多为1.1％。9.如权利要求1所述的刻蚀机台的晶圆刻蚀方法，其特征在于，所述基准速率分布图示出的晶圆各处的刻蚀速率的极差至多为10.如权利要求1所述的刻蚀机台的晶圆刻蚀方法，其特征在于，所述基准速率分布图示出的晶圆各处的刻蚀速率的平均值为
技术总结
本发明提供了一种刻蚀机台的晶圆刻蚀方法，涉及半导体技术领域。一种刻蚀机台的晶圆刻蚀方法，包括刻蚀机台、自动调整系统；晶圆刻蚀方法包括：获取上一批次的晶圆的刻蚀速率分布图；比较上一批次的晶圆的刻蚀速率分布图与当前批次的晶圆所需的基准速率分布图，并将比较结果反馈到自动调整系统；自动调整系统根据比较结果调整边缘管道的气体参数，边缘管道根据气体参数向刻蚀机台的腔体中注入气体进行刻蚀，对当前批次的晶圆进行刻蚀。通过刻蚀机台自动化调整晶圆边缘处的刻蚀气体的参数，即动态调整刻蚀气体的比例和总流量，从而能够起到延缓边缘刻蚀速率增加的作用，降低聚焦环的消耗量，最终达到提高MTBC的效果。最终达到提高MTBC的效果。最终达到提高MTBC的效果。
技术研发人员：吴晓彤 吴智勇
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
技术研发日：2022.10.31
技术公布日：2023/1/31