电子设备的制作方法

1.本技术属于电子产品技术领域，具体涉及一种电子设备。


背景技术：

2.随着5g通讯技术迅速发展，移动终端的天线频段及数量都急剧增加，而且移动终端对天线信号质量也提出了更高的要求，如要求天线支持4*4mimo，支持中高频(middlehighband，mhb)全频段载波聚合(carrier aggregation，ca)等，因此，对天线的性能提出了更高的要求。
3.与此同时，基于移动终端对人体的电磁辐射影响，运营商对天线的电磁波吸收比值或比吸收率(specific absorption rate，sar)也提出了明确的管控。
4.目前，高性能天线与低sar往往是相矛盾的，天线性能越高，其sar往往也越高，二者一般来说是对立的；传统的天线设计一般采用牺牲天线性能，来满足sar值要求，但是这样一定程度是以牺牲用户对终端信号的体验为代价。因此，如何在保障天线性能的同时，降低sar值是亟待解决的技术问题。


技术实现要素：

5.本技术实施例的目的是提供一种电子设备，能够解决如何在保障天线性能的同时，降低sar值是亟待解决的技术问题。
6.为了解决上述技术问题，本技术是这样实现的：
7.本技术实施例提供了一种电子设备，包括：金属框体；所述金属框体包括至少三个框体，其中第一框体与第二框体之间形成有第一断缝，第二框体与第三框体之间形成有第二断缝，第三框体远离第二框体的一端形成有第三断缝；第二框体在靠近第二断缝的第一位处设置有第一馈电点，第二框体形成第一天线辐射体；第一天线辐射体用于传输第一频段的信号，第一频段高于第一预设频率；第一馈电点连接匹配网络；第一框体上设有第一接地点，第一接地点与第一断缝之间的部分形成第一天线辐射体的第一寄生单元；第三框体上设有第二接地点，第二接地点与第二断缝之间的部分形成第一天线辐射体的第二寄生单元。
8.在本技术实施例中，金属框体包括至少三个框体，其中第一框体与第二框体之间形成有第一断缝，第二框体与第三框体之间形成有第二断缝，第三框体远离第二框体的一端形成有第三断缝。其中，在第二框体在靠近第二断缝的第一位处设置有第一馈电点，第二框体形成第一天线辐射体；第一天线辐射体作为馈电本体，通过第一断缝耦合激励第一寄生单元，构成高中频天线的辐射模式主体。这样，第一寄生单元远离地馈电点，第一馈电点跨第一断缝通过电场耦合到第一寄生单元的半波模式；第二寄生单元靠近第一馈电点，通过第二断缝形成较强的磁场耦合，能够优化高中频天线的阻抗，进一步地，通过匹配网络，能够实现高中频全频段覆盖，保证天线的性能。而且，由于第一馈电点远离第一寄生单元，这样两个电流最大点分布在第一接地点和第一馈电点，使电流较分散地分布在第一天线辐
射体和第一寄生单元上，从而均衡了中高频sar值。因此，本技术实施例既满足天线性能，同时具体低sar特性。
附图说明
9.图1表示一种现有电子设备的结构示意图；
10.图2表示本发明实施例的电子设备的结构示意图之一；
11.图3表示本发明实施例的s参数阻抗示意图之一；
12.图4表示本发明实施例的s参数的天线效率示意图之一；
13.图5表示本发明实施例的s参数的系统总效率示意图之一；
14.图6表示本发明实施例的天线的电流分布示意图之一；
15.图7表示本发明实施例的天线的电流分布示意图之二；
16.图8表示本发明实施例的电子设备的结构示意图之二；
17.图9表示本发明实施例的第二调节开关的电路结构示意图；
18.图10表示本发明实施例的s参数的天线效率示意图之二；
19.图11表示本发明实施例的s参数的系统总效率示意图之二；
20.图12表示本发明实施例的s参数的天线效率示意图之三；
21.图13表示本发明实施例的s参数的系统总效率示意图之三；
22.图14表示本发明实施例的天线的电流分布示意图之三；
23.图15表示本发明实施例的电子设备的结构示意图之四；
24.图16表示本发明实施例的天线的电流分布示意图之四。
25.附图标记说明：
26.10-第一框体；11-第二框体；12-第三框体；101-第一断缝；102-第二断缝；103-第三断缝；104-第四断缝；105-第五断缝；13-第一调谐开关；14-匹配网络；15-usb模块；16-喇叭模块；17-第二调节开关；18-辐射长度调节单元；ant1-第一天线辐射体；ant2-第二天线辐射体；20-第一子框体；21-第二子框体；22-第三子框体；e-第一位置；h1-第二位置；r-第三位置；o-第四位置；j-第五位置；c1-第一电容；c2-第二电容；c3-第三电容；l1-第一电感；l2-二电感；l3-第三电感；202-上半部结构；201-转轴；200-下半部结构。
具体实施方式
27.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
28.本技术的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
29.首先，为了便于将本技术的方案与现有技术中的天线方案进行对比。下面先对现
有技术中的天线方案进行介绍。
30.如图1中，现有的天线结构包括：金属边框30和31，金属边框之间的断缝301和302，天线开关32和33，usb模块15，喇叭(speak)模块16。
31.具体地，金属边框上设置有两处断缝301和302，断缝的宽度均为1mm至2mm，同时布局有两个天线：ant1和ant2，ant1为中高频(middle high band，mhb)天线，其馈电点位于金属边框30上的b点位置，ant2是为低频(low band，lb)天线，其馈电点位于金属边框31上的g点位置，其回地点在f位置，开关33位于金属边框31的h点位置，主要用于调谐lb各频段，开关32位于金属边框31上的e点位置，主要通过切换金属边框31的df分支实现ant1的mhb各频段调谐。
32.上述传统天线方案中，ant1(mhb天线)是通过开关32切换电容的电容值实现各单频段调谐，存在带宽窄的问题，比如频段b3至b1 ca、b3至b40ca都很难覆盖。另外，通过开关切换天线口径，也会引入开关器件的损耗，从而牺牲天线性能，而且上述方案的人体sar值也偏高，特别是高频的sar比较高。
33.基于以上，本技术提供一种电子设备，用以在保障天线性能的同时，降低sar值。
34.下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本技术实施例提供的电子设备进行详细地说明。
35.实施例一
36.参见图2，本发明实施例提供了一种电子设备，包括：金属框体；金属框体包括至少三个框体，其中第一框体10与第二框体11之间形成有第一断缝101，第二框体11与第三框体12之间形成有第二断缝102，第三框体12远离第二框体11的一端形成有第三断缝103；
37.第二框体11在靠近第二断缝102的第一位置e处设置有第一馈电点，第二框体11形成第一天线辐射体；第一天线辐射体用于传输第一频段的信号，第一频段高于第一预设频率；第一馈电点连接匹配网络14；
38.第一框体10上设有第一接地点(如图2中的a处)，第一接地点与所述第一断缝101之间的部分形成第一天线辐射体(ant1)的第一寄生单元；第三框体12上设有第二接地点(如图2中的g1至g2段中的长接地，或者，如图8和15中的h2处)，第二接地点与第二断缝102之间的部分形成第一天线辐射体的第二寄生单元。
39.可选地，第一频段为中高频频段，如第一预设频率等于1710mh，第一频段为高于1710mhz的频段，第一天线为mhb天线。
40.可选地，第一断缝101、第二断缝102和第三断缝103的缝隙宽度为1mm至2mm。第一接地点与第一断缝101之间的金属框体长度(如图2、图8、图15中的ab段)为12.5mm至13mm。第一断缝101与第一馈电点之间的金属框体长度(如图2、图8、图15中的ce段)为14.5mm至15.5mm。
41.具体地，第二接地点为长接地。如图2中g1位置处至g2位置处的金属框均接地。其中，第二断缝至g1之间的金属框形成(即图2中的fg1段)为第二寄生单元；g2至第三断缝103(即图2中的kg2段)之间的金属框形成第二天线辐射单元。
42.可选地，第二接地点与所述第二断缝102之间的金属框体长度(即fg1段)为2.5mm至3.5mm。第二接地点与第三断缝103之间的金属框体长度(即kg2段)为51mm至55mm。
43.需要指出的是，本实施例中，可通过调谐第二寄生单元的长度尺寸，将ant1产生的
初始阻抗调谐到靠近50欧的位置，且mhb的阻抗尽可能呈一个圆形，从而优化高中频天线的阻抗。如下图3中，其示出有不同第二寄生单元长度(fg1)尺寸下的ant1初始阻抗。
44.另外，由于第一天线辐射体采用单极馈电的形式，产生的中频阻抗偏长，可通过匹配网络对馈电信号进行调谐，实现中高频全频段覆盖。
45.上述实施例中，第一天线辐射体采用单极馈电的方式，在第二框体11在靠近第二断缝102的第一位置e处设置第一馈电点，将第一天线辐射体作为馈电本体，通过第一断缝101耦合激励第一寄生单元，构成高中频天线的辐射模式主体。该天线结构中，第一馈电点设置在远离第一寄生单元的一端，第一馈电点跨第一断缝101通过电场耦合到第一寄生单元的半波模式；第二寄生单元靠近第一馈电点，第一馈电点通过第二断缝102形成较强的磁场耦合，能够优化高中频天线的阻抗，进一步地，通过匹配网络14，能够实现高中频全频段覆盖，保证天线的性能。而且，由于第一馈电点远离第一寄生单元，这样两个电流最大点分布在第一接地点和第一馈电点，使电流较分散地分布在第一天线辐射体和第一寄生单元上，从而均衡了中高频sar值。
46.也即，本技术中的第一天线辐射体ant1采用了分支末端馈电，通过调整馈电位置，拉大馈电位置与第一寄生单元的距离，能够在实现mhb宽带ca覆盖的同时，降低高频0mm的身体sar(body sar)值，且不需要额外引入高频分支。
47.下面以body sar值为例，结合仿真数据对上述实施例所达到的技术效果进行说明。
48.如下表1和表2所示，其示出的是实施例一(下文统称为“case2”)和现有技术中如图1所示实施例(下文统称为“case1”)的bottom side归一化到-5db的body sar值对比数据(sar值单位：w/kg-10g)。
49.从下表1中的仿真数据可以看出：对于身体sar测试，测试距离为5mm(body 5mm)状态下，天线效率归一化到-5db时，case2的sar均低于case1。
[0050][0051]
表1
[0052]
从下表2可以看出：：对于身体sar测试，测试距离为0mm(body 0mm)状态下，天线效率归一化到-5db时，对于b7的sar值，case2低于case1近一倍，case2具有低sar特性。虽然对比b3的sar，case2高于case1，但是case2的sar值相对case1更均衡，不会出现case1中b7的sar值超高，b3的sar超低的现象，比如b7的sar值达到4.75，而实际认证标准sar值是4，所以综合来看，相比现有技术的天线方案，本技术的天线方案sar值更低。
[0053][0054]
表2
[0055]
为了说明高频的sar与第一馈电点和第一接地点的相对位置相关。下面结合图6和图7进行说明。
[0056]
如图6所示，其示出的是body 0mm下case1在b7态的电流分布图(箭头用于示意电流流向分布)，如图7所示，其示出的是body 0mm下case2在b7态的电流分布图。一般来说，body 0mm的sar热点更靠近馈电点和馈地点这些大电流的位置，从图6电流分布上也可以看出，此时case1的电流分布集中分布在第一寄生单元ab段，两处大电流点分别位于回地位置和馈电位置，且回地位置和馈电位置距离较近，所以导致b7 sar值较高。而从图7电流分布上可以看出，本技术的天线方案的电流分布则在馈电本体和第一寄生单元上，由于馈电位置设置在了馈电本体的靠近第二断缝102的第一位置e处，使第一馈电点远离第一寄生单元回地位置a，这样达到了两个电流最大点a点与e点的相对分散的效果，所以本技术实施例的天线方案b7 sar值较低，从而达到均衡mhb sar值的目的。
[0057]
可选地，如图2中，匹配网络14包括lc电路，lc电路包括：第一电感l1和第一电容c1；馈电信号输入端通过第一电容c1与第一馈电点连接；第一电感l1的一端接地，另一端连接第一电容c1与第一馈电点的连接点。
[0058]
该实施例中，馈电本体采用单极馈电的形式，产生的中频阻抗偏长，需要先串第一电容c1(可选地，第一电容c1为2pf至3pf)将中频从第二象限拉到第三象限，然后再并第一电感l1可以得到b3的谐振，加上第一寄生单元产生的高频谐振，可以形成双谐振，从而实现mhb(1710-2690mhz)全频段覆盖，得到的天线带宽较宽，可以很好地支持b1-b3 ca。而且该实施例不需要采用开关切换，节省了成本，同时减少了开关器件对天线性能的影响，提升了天线性能。
[0059]
如图4所示，其示出有本技术方案经过匹配网络14进行匹配后的s参数(天线的回波损耗)。从最终s参数上看，有两个明显的双谐振构成宽波，覆盖mhb 1710-2690mhz；如图5所示，其示出的是经过匹配网络14匹配后的天线效率。
[0060]
可选地，所述电子设备还包括：设置于所述第二框体11内侧的usb模块15；所述第二框体11靠近第二断缝102的一端向电子设备内部延伸第一距离。
[0061]
如图2中，示例性地，第一断缝101和第二断缝102分别位于usb模块15的两侧，且对称分布。第二框体11靠近第二断缝102的一端向电子设备内部延伸第一距离，第一馈电点设置在第二框体11靠近第二断缝102的末端，这样，使第一馈电点远离usb模块15，避免usb模块15对第一馈电点的干扰。
[0062]
实施例二
[0063]
需要指出的是，上述实施例一实现天线了mhb宽频覆盖，ca性能上也具有优势，而且整个mhb频段的sar值也相对均衡。但是，个别频段的sar相对高些，如b3频段0mm body sar值相对偏高，需要进一步优化。
[0064]
基于以上，本技术提供如下实施例二，进一步对ant1天线的天线单频段的性能和sar值进行优化。下面基于图8至图14进行说明。
[0065]
参见图8，本发明实施例提供了一种电子设备，包括：金属框体；金属框体包括至少三个框体，其中第一框体10与第二框体11之间形成有第一断缝101，第二框体11与第三框体12之间形成有第二断缝102，第三框体12远离第二框体11的一端形成有第三断缝103；第二框体11在靠近第二断缝102的第一位置e处设置有第一馈电点，第二框体11形成第一天线辐射体；第一天线辐射体用于传输第一频段的信号，第一频段高于第一预设频率；第一馈电点连接匹配网络14；第一框体10上设有第一接地点(如图8中的a处)，第一接地点与所述第一断缝101之间的部分形成第一天线辐射体(ant1)的第一寄生单元；第三框体12上设有第二接地点(如图8中的h2处)，第二接地点与第二断缝102之间的部分形成第一天线辐射体的第二寄生单元。
[0066]
具体地，第二接地点与第二断缝102之间的第二位置h1处设置有第二调节开关17；具体地，如图9中，第二调节开关17包括：切换开关(switch)、第二电容c2、第三电容c3、第二电感l2和第三电感l3；所述切换开关的一端接地，另一端连接所述第二电容c2、所述第三电容c3、所述第二电感l2和所述第三电感l3的第一端，所述第二电容c2、所述第三电容c3、所述第二电感l2和所述第三电感l3的第二端连接所述第二位置h1。
[0067]
可选地，所述第二断缝102与所述第二调节开关17之间的金属框体长度为4mm至7mm；第二断缝102与第二接地点之间的金属框体长度为15mm至17mm。
[0068]
需要指出的是，该实施例二仅对第二寄生单元的尺寸进行调整，并在第二接地点与第二断缝102之间的位置连接第二调节开关17，第一寄生单元和第一天线辐射体的尺寸和结构与实施例一相同，在此不再赘述。
[0069]
本技术的上述实施例中，第二寄生单元fh2的开口靠近ant1的第一馈电点，与馈电本体通过第二断缝102形成较强的电磁耦合，通过第二调节开关17切换不同电容或电感值，能够实现以下两个效果：一是天线阻抗调谐，优化天线组阻抗，减小反射损耗，达到优化单频段性能的目的；二是调谐第二寄生单元fh2的谐振，一般是将其调谐至馈电本体谐振前面(以b3为例，当第二调节开关17接通电容c(0.5-1pf)，能够将第二寄生单元fh2的谐振切到1.71g前面)，从而激发与馈电本体同向的电流，实现辐射效率的提升，同时由于降低了电流的集中程度，因此能够降低sar值。
[0070]
下面结合仿真数据对上述实施例所达到的技术效果进行说明。
[0071]
如图10所示，其示出的是实施例二(下文统称为“case3”)的ant1 b3态与实施例一(下文统称为“case2”)中ant1的最终s参数对比图。
[0072]
参见图10，从case3 b3频段曲线看，在1.71g本体谐振前面有一个谐振在1.548g，此谐振即为第二寄生单元fh2分支产生，从阻抗上看，通过引入了这个寄生谐振将b3频段带内的回波损耗拉深，更靠近50欧姆，从而减小了反射损耗，另一方面激发了第二寄生单元的同向电流，提升了天线的口径辐射效率，最终实现了b3单态的性能的优化。
[0073]
如图11所示，其示出的是case3中ant1 b3态与case2中ant1的最终效率对比曲线。
从曲线可以看出，case3中b3 tx部分效率相对case2中ant1提升了0.7db，带内平均效率相对提升0.5db；另外通过第二调节开关17接通第二电容c2也可以优化b41的边带，提升b41边带效率。类似的，当第二调节开关17接通第二电感l2切到b1/b39态，接通第二电感l2切到b40态，达到优化单态的目的，另外当第二调节开关17同时接通c2和c3时，实现mhb ca态全覆盖。
[0074]
如图12所示，其示出的是ant1各态的s参数；如图13所示，其示出的是ant1各态的天线效率，包含单态和ca宽频态。从效率曲线上可以看出，case3中ant1 b1/b39/b40的单频带效率相对case2中ant1都有提升。
[0075]
更进一步地，以人身体sar(body sar)值为例，结合下表3和表4，说明实施例一(以下统称case2)、实施例二(以下统称case3)与传统现有方案(以下统称case1)三者之间的差异。
[0076]
如下表3和4所示，其示出的是case1/2/3的天线效率都归一化到-5db后的bottom side sar值对比数据(sar值单位：w/kg-10g)。
[0077][0078][0079]
表3
[0080]
从上表3中仿真数据可以看出，对于身体sar测试，测试距离为5mm(body5mm)状态下，case3的sar值整体低于case2和case1。
[0081][0082]
表4
[0083]
从上表4的仿真数据可以看出，对于身体sar测试，测试距离为0mm(body 0mm)状态下，case3 b7的sar值与case2相当，且均远低于case1，对比b3的sar，case3均低于case2和case1，所以综合看case3的天线结构，在提升天线性能的同时，也同时具备低sar特性。
[0084]
针对本技术case3中的body 0mm状态下，b3 sar值相对case2大幅降低这一特性，根据如图14所示的电流分布图可知其原理。由图14可知，sar热点不再像case2都集中在馈
电本体以及第二断缝102附近，而是均匀分布在第一寄生单元(第一框体10的ab段)，第一天线辐射体，第二寄生单元(第三框体12的fh2段)，第三框体12拐角处h2i段也有电流分布，由于电流的更均衡分布，使case3中b3的sar会大幅下降。同时该实施例还构造了同向电流，进一步提升了天线辐射性能。
[0085]
此外，在一可选实施例中，所述第二接地点通过辐射长度调节单元18接地；其中，所述辐射长度调节单元18的电感小于第一值，或者，所述辐射长度调节单元18的电阻为0欧姆。
[0086]
具体地，第一值为5nh，辐射长度调节单元18的电感值小于5nh，如可以为1nh至3nh。
[0087]
实施例三
[0088]
需要指出的是，由于折叠电子设备在折叠态的天线性能往往是受另一半结构的影响，比如屏幕ito以及另一半金属边框影响等。目前，如何降低折叠态下另一半终端结构对本体天线的影响，从而提升折叠态下天线性能，是亟待解决的技术难题。
[0089]
本实施例三中，将上述实施例二的方案应用在折叠电子设备中，并针对折叠电子设备进行天线方案设计，能够解决折叠态的天线性能受另一半结构影响的问题。
[0090]
具体地，电子设备的金属框体对应转动连接的第一壳体和第二壳体，第一壳体相对于所述第二壳体能够在展开状态和折叠状态之间切换；上述第一天线辐射体、第一寄生单元和第二寄生单元位于第一壳体；
[0091]
其中，第一框体10位于第二壳体的部分设有第四断缝104和第五断缝105；第四断缝104和第五断缝105将所述第一框体10分隔为第一子框体20、第二子框体21和第三子框体22，所述第四断缝104设置在第一子框体20和所述第二子框体21之间，所述第五断缝105设置于第二子框体21和第三子框体22之间；所述第三子框体22上设有第四接地点，第四接地点与所述第五断缝105之间的第三位置r处连接有第三调谐开关23；第二子框体21上设有第三接地点，第三接地点与第五断缝105之间的第四位置o处连接有第四调谐开关24。
[0092]
可选地，第一接地点与所述第一断缝101之间的金属框体长度为12.5mm至13mm；第一断缝101与第一馈电点之间的金属框体长度为14.5mm至15.5mm。
[0093]
如图15所示，其示出的是上下折叠的电子设备结构示意图，该折叠电子设备包含上半部结构202、转轴201以及下半部结构200，其中下半部结构200包括第一壳体，包括ant1、ant2，其天线布局同实施例二，在此不再赘述。
[0094]
下面结合附图15，介绍上半部结构202。
[0095]
具体地，上半部结构202包括第二壳体，第二壳体上设有第四断缝104和第五断缝105；第四断缝104和第五断缝105将所述第一框体10分隔为第一子框体20、第二子框体21和第三子框体22。第四断缝104和第五断缝105位于第二子框体21的两侧，其中第二子框体21上的位置n处设有第三接地点，第四调谐开关24位于o点，第三子框体22上的位置s处设置有第四接地点，第三调谐开关23位于r点。
[0096]
该实施例中，第二子框体21形成第一辅助寄生分支；第三子框体22形成第二辅助寄生分支。
[0097]
可选地，op长度为2mm至6mm；第二子框体21的长度为42mm至50mm，np长度为20mm至30mm；qs段长度为12-18mm，qr长度为2mm至6mm。
[0098]
在具体应用时，当如图15所示的电子设备处于折叠态时，分别通过第三调谐开关23和第四调谐开关24切换不同电感或电容或0欧姆，调整第一辅助寄生分支和第二辅助寄生分支的谐振，使其谐振分别落到ant1频段的前面。
[0099]
以ant1-b3为例，当电子设备处于折叠态时，上半部结构202对其性能影响较大，主要表现为性能吸收，包括屏幕的吸收和上半部金属边框产生的杂波以及耦合到边框上反向电流等，这些最终会导致ant1-b3折叠态性能下降，这时通过第三调谐开关23调谐第一辅助寄生分支的谐振，通过和第四调谐开关24调谐第二辅助寄生分支的谐振，使其分别落到ant1-b3频段的前面，即可激发与ant1-b3辐射本体的同向电流，增加天线辐射口径，从而提升天线辐射性能，能够降低折叠态对天线原本性能的影响。
[0100]
如图16所示，其示出的是ant1-b3折叠态下金属边框顶部(第二壳体)和底部(第一壳体)的端面电流分布示意图(箭头用于示意电流流向分布)，从电流分布可以看出，辅助寄生分支(第一辅助寄生分支和第二辅助寄生分支)上的电流与馈电本体(第一天线辐射体)及寄生分支(第一寄生单元和第二寄生单元)的电流是同向的。
[0101]
这里需要说明的是，电流最强的时候电流同向，并不是所有相位时刻电流都同向，激励同向电流与寄生分支的长度有关，也就是与寄生分支的谐振有关，一般而言，寄生分支谐振如果前面有效率凹坑，则需要将寄生谐振放到主谐振前面，比较容易激发同向电流，反之需要将寄生谐振放到主谐振的后面。一般是将辅助寄生分支的开口靠近馈电本体附近，可以形成较强电磁耦合。
[0102]
需要指出的是，可根据实际项目需求，调整断缝位置，本技术不做具体限制。如，第一壳体与第二壳体上的断缝位置是可以上下对齐的。
[0103]
上述实施例中，一方面，通过第三调谐开关23和第四调谐开关24分别调谐第一辅助寄生分支和第二辅助寄生分支的谐振，使其分别落到ant1-b3频段的前面，从而激发与ant1-b3辐射本体同向的电流，增加天线辐射口径，实现提升天线辐射性能，降低折叠态对天线原本性能的影响；另一方面，由于有第一辅助寄生分支和第二辅助寄生分支上存在耦合电流，在折叠态时，能够降低第一壳体上的馈电本体及寄生分支上电流分布的集中程度，即能够通过辅助寄生分支分散馈电本体的电流，从而降低天线的sar值，最终实现可折叠电子终端在折叠态下高性能且低sar值的特性。
[0104]
需要指出的是，上述附图所示出的天线的布设位置仅为示例，并不以此为限。天线在电子设备中的布设位置可根据实际应用进行调整。
[0105]
可选地，如图2、图8和图15所示，电子设备还包括：
[0106]
第二接地点(如图2中的g2点、如图8和图15中的h2点)与第三断缝103之间的第五位置j处连接有第一调谐开关13；第五位置j与第二接地点之间设有第二馈电点。如图2，位置i处的箭头示意馈电信号输入至第二馈电点；第二接地点与第三断缝103之间的部分形成第二天线辐射体；第二天线辐射体用于传输第二频段的信号，第二频段低于第二预设频率；第二预设频率小于或等于所述第一预设频率。可选地，第二频段为低频频段，如第二预设频率等于1710mh，第二频段为低于1710mhz的频段，第一天线为lb天线。
[0107]
可选地，第二接地点与第三断缝103之间的金属框长度为51mm至55mm，第二馈电点(如图2中的i位置处)至第二接地点(如图2中的g2处)之间的金属框长度为15mm至18mm，第五位置j至第二馈电点(如图2中的i位置处)之间的金属框长度为7mm至10mm。
[0108]
该实施例中，能够同时兼容中高频天线和低频天线，其中，低频天线通过第一调谐开关13切换不同电容值，实现lb各频段覆盖。
[0109]
可选地，电子设备还包括喇叭(speak)模块16，其靠近第一框体10设置。
[0110]
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。此外，需要指出的是，本技术实施方式中的方法和装置的范围不限按示出或讨论的顺序来执行功能，还可包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序来执行功能，例如，可以按不同于所描述的次序来执行所描述的方法，并且还可以添加、省去、或组合各种步骤。另外，参照某些示例所描述的特征可在其他示例中被组合。
[0111]
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本技术的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如rom/ram、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端(可以是手机，计算机，服务器，空调器，或者网络设备等)执行本技术各个实施例所述的方法。
[0112]
上面结合附图对本技术的实施例进行了描述，但是本技术并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本技术的启示下，在不脱离本技术宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本技术的保护之内。