滤波耦合器的制作方法

文档序号:32472995发布日期:2022-12-07 08:02阅读:188来源:国知局
滤波耦合器的制作方法

1.本发明涉及信号传输技术领域,尤其涉及一种滤波耦合器。


背景技术:

2.大功率滤波耦合器是大功率tr组件(t/r表示transmitter and receiver,t/r组件通常意义下是指一个无线收发系统中频与天线之间的部分)的重要组成部分,其中低通滤波器实现较高的谐波抑制,满足电磁兼容的要求,高方向性的定向耦合器监测输出功率和反射功率,实现组件的自我保护。
3.现有技术中,大功率低通滤波器的实现形式,一般分为集总参数低通滤波器和分布参数低通滤波器。大功率集总参数低通滤波器,一般用在较低的广播发射频率,越高频则插损、功率容量都会降低,很难满足千瓦的功率需求;分布参数低通滤波器,又包括同轴、微带、带线等传输形式,同轴形式加工精度要求较高,体积大,难以调试,微带形式插损大,且功率容量难以提高。另外,由于内部介质的不均匀性耦合带线的奇模和偶模的相速不相等,造成了方向性的下降,在弱耦合时的情况更严重,现有技术中,有采用添加电感结构的方案提高方向性,但是这种方案势必会大幅度的增加耦合带线的长度,在尺寸有限的情况下不适用。


技术实现要素:

4.发明目的:本发明提供一种滤波耦合器,旨在基于低通滤波器的高阻抗线部分采用气体介质作为填充,提高功率容量的同时,减小尺寸,降低加工和组装难度;进一步的,低通滤波器的开路枝节部分采用高分子聚合物介质作为支撑,提高阻抗减小线宽,降低尺寸;进一步的,在平行耦合带线的部分设置有用于填充气体的凹槽,以及短开路枝节,平衡奇模和偶模的相速,提高方向性。
5.技术方案:本发明一种滤波耦合器,包括:底座、低通滤波器和定向耦合器,其中:所述低通滤波器,设置于所述底座内,包括多节高阻抗线和多节开路枝节,高阻抗线之间串联后与耦合器输入端连接,开路枝节与高阻抗线并联,高阻抗线周围设置用于填充气体介质的凹槽;所述定向耦合器,设置于所述底座内,包括主耦合带线,主耦合带线的一端与低通滤波器中的高阻抗线连接,另一端与耦合器输出端连接。
6.具体的,开路枝节设置在高阻抗线的两侧,不同侧的每两节开路枝节连接于一点。
7.具体的,所述开路枝节由高分子聚合物介质支撑。
8.具体的,所述低通滤波器包括4节高阻抗线。
9.具体的,所述低通滤波器包括6节开路枝节。
10.具体的,所述定向耦合器,还包括副耦合带线,所述副耦合带线与所述主耦合带线平行设置。
11.具体的,所述副耦合带线的一侧设置多节开路枝节,副耦合带线一侧设置的开路枝节的长度范围为0.3mm至0.7mm。
12.具体的,在主耦合带线和副耦合带线的区域,底座上设置有槽口。
13.具体的,所述底座由长边侧和短边侧结合形成l型,低通滤波器设置在一侧,定向耦合器设置在底座的另一侧,低通滤波器中的高阻抗线设置于长边侧和短边侧的交界处。
14.具体的,还包括上盖板,所述上盖板与底座相适配,上盖板与底座内部设置有高分子聚合物介质填充作为支撑。
15.有益效果:与现有技术相比,本发明具有如下显著优点:提高功率容量,减小尺寸,降低加工和组装难度,平衡奇模和偶模的相速,提高方向性。
附图说明
16.图1为本发明提供的滤波耦合器的结构示意图;图2为现有技术中采用聚四氟乙烯介质填充的滤波耦合器的结构示意图;图3为本发明提供的滤波耦合器的上盖板的结构示意图;图4为本发明提供的滤波耦合器的传输和反射s参数;图5为没有加入短开路枝节和空气槽的滤波耦合器的耦合度和方向性;图6为本发明提供的滤波耦合器的耦合度和方向性;1-底座;2-高阻抗线;3-开路枝节;4-凹槽;5-高分子聚合物介质;6-耦合带线;7-短开路枝节;8-槽口;9-上盖板。
具体实施方式
17.下面结合附图对本发明的技术方案作进一步说明。
18.参阅图1,其为本发明提供的滤波耦合器的结构示意图。
19.本发明提供一种滤波耦合器,包括:底座1、低通滤波器和定向耦合器,其中:所述低通滤波器,设置于所述底座1内,包括多节高阻抗线2和多节开路枝节3,高阻抗线2之间串联后与耦合器输入端连接,开路枝节3与高阻抗线2并联,高阻抗线2周围设置用于填充气体介质(可以为空气)的凹槽4;所述定向耦合器,设置于所述底座1内,包括主耦合带线,主耦合带线的一端与低通滤波器中的高阻抗线2连接,另一端与耦合器输出端连接。
20.在具体实施中,关于高阻抗线2的部分,参阅图2,现有技术中,通常采用高分子聚合物介质5(一般是聚四氟乙烯介质)填充在底座1内作为高阻抗线2的支撑,但是如果在目标阻抗相同的情况下,采用聚四氟乙烯填充时,带状线(高阻抗线2)将会较细,这将会给一体加工内导体造成很大的困难,而且较细的内导体导致功率容量受限,而本发明中,采用空气介质在高阻抗线2的周围作为填充,高阻抗线2的宽度与端口处的50ω相似,减小了不连续性,减小了突变和加工的难度,同时功率容量也有了提升。
21.在具体实施中,本发明中的串联的高阻抗线2选取110ω。
22.本发明实施例中,开路枝节设置在高阻抗线2的两侧,不同侧的每两节开路枝节3连接于一点。
23.在具体实施中,开路枝节为低阻抗,选取40ω。
24.在具体实施中,开路枝节与高阻抗线2并联,在高阻抗线2的一侧的一节开路枝节,与对应的在高阻抗线2的另一侧的一节开路枝节,连接于一点,开路枝节3为低阻抗,为了使开路枝节的线宽降低以减小尺寸,使用低阻抗线在高阻抗线2两侧并联的方式。
25.本发明实施例中,所述低通滤波器包括4节高阻抗线2。
26.本发明实施例中,所述低通滤波器包括6节开路枝节3,高阻抗线2的一侧设置3节,另一侧设置3节。
27.在具体实施中,4段高阻抗线2等效为电感,6节开路枝节3中,每两节连接于一点,可以等效为3节开路枝节,开路枝节等效为电容。
28.本发明实施例中,所述开路枝节3由高分子聚合物介质5支撑。
29.在具体实施中,为了提高阻抗的同时可以减小线宽,并且解决定向耦合器的中心导体(耦合带线6)的支撑和尺寸问题,将聚四氟乙烯介质填充底座1之中,作为开路枝节3部分的支撑。
30.本发明实施例中,所述定向耦合器,还包括副耦合带线,所述副耦合带线与所述主耦合带线平行设置。
31.本发明实施例中,所述副耦合带线的一侧设置多节短开路枝节7,副耦合带线一侧设置的短开路枝节7的长度范围为0.3mm至0.7mm,优选的,长度为0.5mm。
32.本发明实施例中,在主耦合带线和副耦合带线的区域,底座1上设置有槽口8(空气槽),同时槽口8的开口可以同时对应着主耦合带线和副耦合带线的部分,也即槽口8的开口可以横跨主耦合带线和副耦合带线,同时,对于上盖板9,也同样设置有对应的槽口8。
33.在具体实施中,采用两耦合带线平行设置,在副耦合带线上设置多节并联的短开路枝节,同时在夹板(也即底座1和/或上盖板9)设置耦合带线的区域部分,在夹板上设置凹槽4,可以显著提升耦合度和方向性,特别是在l波段的方向性上有了显著的提升。
34.本发明实施例中,所述底座1由长边侧和短边侧结合形成l型,低通滤波器设置在一侧,定向耦合器设置在底座1的另一侧,低通滤波器中的高阻抗线2设置于长边侧和短边侧的交界处。
35.参阅图3,本发明实施例中,滤波耦合器还包括上盖板9,所述上盖板9与底座1相适配,上盖板9与底座1内部设置有高分子聚合物介质5填充作为支撑。
36.在具体实施中,上盖板9和底座1构成带状线的夹板,聚四氟乙烯介质上支撑和聚四氟乙烯下支撑构成带状线的内介质,同时上盖板9和底座1,可以均对应的设置有在主耦合带线和副耦合带线的区域的槽口8,以及高阻抗线2周围设置用于填充气体介质的凹槽4。
37.参阅图4,其为本发明提供的滤波耦合器的传输和反射s参数,从图中可见,通带内的插损在0.1db,在二次谐波处的抑制在44db以上。整个通带内的回波损耗在-26db以下。
38.参阅图5和图6,从图中可以看出,现有技术中的双线平行耦合器未做任何措施,它的耦合度和方向性结果如图5所示,实线为耦合度、虚线为隔离度,在通带内耦合度为-29.8db,方向性为20db左右,在耦合带线上加入开路枝节,在夹板上开空气槽口8,可以更好的平衡奇模和偶模的相速差,改善方向性,它的耦合度和方向性结果如图 6所示,通带内的耦合度为-29.5db,方向性达到31db,较大幅度的改善了方向性。
39.本发明提供的滤波耦合器的实测数据如下表所示:
在具体实施中,本发明提供的滤波耦合器,提高了功率容量,实现了较小的尺寸和较高的带外抑制,在二次谐波处的抑制达到45dbc以上,且能承受3000w的峰值功率,平均功率超过500w,在弱耦合情况下的较高的方向性,方向性达到25db以上。
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