技术特征：
1.一种增强型gan功率器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上依次外延生长缓冲层、algan层和p-gan层；保留栅极区域的p-gan层，对栅极以外区域的p-gan层进行刻蚀，所述刻蚀后余下p-gan层的厚度为1~10nm，形成p-gan刻蚀区域；在所述栅极区域保留的p-gan层上面和侧面包覆钝化保护层，得到第一外延片；将所述第一外延片在氨气氛围中进行退火，所述p-gan刻蚀区域发生钝化，得到第二外延片；在所述第二外延片上表面生长sin薄膜，然后制作源极电极和漏极电极；在栅极区域刻蚀sin薄膜和钝化保护层，直到暴露出栅极区域的部分p-gan，在暴露出的p-gan表面制作栅极电极，得到增强型gan功率器件。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述钝化保护层包括sin
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层或sio2层。3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述钝化保护层的厚度＞p-gan层的厚度。4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述钝化保护层的厚度＞p-gan层的厚度且＜p-gan层厚度的2倍。5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述退火的温度＞600℃且＜900℃。6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述退火的时间＞1min且＜20min。7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述衬底包括硅衬底。8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述缓冲层包括gan缓冲层。9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述刻蚀后余下p-gan层的厚度为2~8nm。
技术总结
本发明提供了一种增强型GaN功率器件的制造方法，属于晶体管技术领域。本发明不必采用复杂昂贵的高选择比p-GaN刻蚀技术，只用常规的GaN刻蚀工艺刻蚀掉大部分p-GaN层，保留少部分p-GaN层，避免了AlGaN表面的损伤，同时保留的p-GaN层与AlGaN层接触，会形成耗尽区，二维电子气中的电子，很难越过耗尽区到达AlGaN表面，从而改善了器件的动态特性。从而改善了器件的动态特性。从而改善了器件的动态特性。
技术研发人员：武乐可 范晓成 李亦衡 朱廷刚
受保护的技术使用者：江苏能华微电子科技发展有限公司
技术研发日：2022.11.28
技术公布日：2023/1/13