三维半导体装置的制作方法

发明构思涉及三维半导体装置和/或用于制造三维半导体装置的方法，更具体地，涉及包括场效应晶体管的三维半导体装置和/或用于制造三维半导体装置的方法。

背景技术：

1、半导体装置包括构成金属氧化物半导体场效应晶体管(mos fet)的集成电路。随着半导体装置的尺寸和设计规则逐渐减小，mos场效应晶体管的缩小也在加速。随着mos场效应晶体管的尺寸减小，半导体装置的操作特性可劣化。因此，用于在克服或至少部分地克服由于半导体装置的高集成度导致的限制的同时形成具有更好性能的半导体装置的各种方法正被研究。

技术实现思路

1、发明构思的一些示例实施例提供具有提高的集成度和改善的电特性的三维半导体装置。

2、可选地或附加地，发明构思的一些示例实施例提供制造具有提高的集成度和改善的电特性的三维半导体装置的方法。

3、根据发明构思的一些示例实施例，一种三维半导体装置可包括：第一源极/漏极图案、第二源极/漏极图案、第三源极/漏极图案和第四源极/漏极图案，顺序地堆叠在基底上；接触结构，在第一源极/漏极图案至第四源极/漏极图案上；以及接触线，在接触结构上。接触结构可包括：第一源极/漏极图案上的第一有源接触件、第二源极/漏极图案上的第二有源接触件、第三源极/漏极图案上的第三有源接触件、以及第四源极/漏极图案上的第四有源接触件。第一有源接触件可包括连接到第一源极/漏极图案的第一水平延伸部分和从第一水平延伸部分延伸到接触结构的最上部分的第一垂直延伸部分，第二有源接触件可包括连接到第二源极/漏极图案的第二水平延伸部分和从第二水平延伸部分延伸到接触结构的最上部分的第二垂直延伸部分，第三有源接触件可包括连接到第三源极/漏极图案的第三水平延伸部分和从第三水平延伸部分延伸到接触结构的最上部分的第三垂直延伸部分，第四有源接触件可包括连接到第四源极/漏极图案的第四水平延伸部分，第一垂直延伸部分可邻近于接触结构的一侧，并且第二垂直延伸部分可邻近于接触结构的另一侧，并且第三垂直延伸部分可布置在第一垂直延伸部分与第二垂直延伸部分之间，并且更靠近第一垂直延伸部分。

4、根据发明构思的一些示例实施例，一种三维半导体装置可包括：第一源极/漏极图案、第二源极/漏极图案、第三源极/漏极图案和第四源极/漏极图案，顺序地堆叠在基底上；接触结构，在第一源极/漏极图案至第四源极/漏极图案上；以及接触线，在接触结构上，接触结构可包括：第一有源接触件，连接到第一源极/漏极图案；第二有源接触件，连接到第二源极/漏极图案；第三有源接触件，连接到第三源极/漏极图案；以及第四有源接触件，连接到第四源极/漏极图案，第一有源接触件至第四有源接触件可分别随着第一源极/漏极图案至第四源极/漏极图案被顺序地堆叠，第一有源接触件至第三有源接触件可包括分别延伸到接触结构的最上部分的第一垂直延伸部分至第三垂直延伸部分，第二垂直延伸部分可面对第一垂直延伸部分，堆叠的第一源极/漏极图案至第四源极/漏极图案置于第二垂直延伸部分与第一垂直延伸部分之间，并且第三垂直延伸部分可面对第二垂直延伸部分，堆叠的第一源极/漏极图案至第四源极/漏极图案置于第三垂直延伸部分与第二垂直延伸部分之间。

5、根据发明构思的一些示例实施例，一种三维半导体装置可包括：第一源极/漏极图案、第二源极/漏极图案、第三源极/漏极图案和第四源极/漏极图案，顺序地堆叠在基底上；接触结构，在第一源极/漏极图案至第四源极/漏极图案上；以及第一接触线和第二接触线，在接触结构上，接触结构可包括：第一有源接触件，连接到第一源极/漏极图案；第二有源接触件，连接到第二源极/漏极图案；第三有源接触件，连接到第三源极/漏极图案；以及第四有源接触件，连接到第四源极/漏极图案，第一有源接触件至第四有源接触件可分别随着第一源极/漏极图案至第四源极/漏极图案被顺序地堆叠，第一有源接触件至第三有源接触件可各自包括分别延伸到接触结构的最上部分的第一垂直延伸部分至第三垂直延伸部分，彼此邻近的第一垂直延伸部分和第三垂直延伸部分可通过第一接触线彼此电连接，并且彼此邻近的第二垂直延伸部分和第四有源接触件可通过第二接触线彼此电连接。

技术特征：

1.一种三维半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的三维半导体装置，还包括：

3.根据权利要求1所述的三维半导体装置，其中，

4.根据权利要求1所述的三维半导体装置，其中，第四有源接触件置于第二垂直延伸部分与第三垂直延伸部分之间。

5.根据权利要求1所述的三维半导体装置，还包括：

6.根据权利要求1所述的三维半导体装置，其中，第一水平延伸部分至第四水平延伸部分分别随着第一源极/漏极图案至第四源极/漏极图案被顺序地堆叠。

7.根据权利要求1所述的三维半导体装置，其中，第四有源接触件不包括垂直延伸部分。

8.根据如权利要求1所述的三维半导体装置，其中，

9.根据权利要求1所述的三维半导体装置，其中，第二水平延伸部分包括与第三垂直延伸部分的至少一部分垂直地重叠的重叠部分。

10.根据权利要求1至9中的任何一项所述的三维半导体装置，其中，

11.一种三维半导体装置，包括：

12.根据权利要求11所述的三维半导体装置，还包括：

13.根据权利要求11所述的三维半导体装置，其中，第四有源接触件置于第二垂直延伸部分与第三垂直延伸部分之间。

14.根据权利要求11所述的三维半导体装置，还包括：

15.根据权利要求11至14中的任何一项所述的三维半导体装置，其中，

16.一种三维半导体装置，包括：

17.根据权利要求16所述的三维半导体装置，其中，

18.根据权利要求16所述的三维半导体装置，其中，第四有源接触件置于第二垂直延伸部分与第三垂直延伸部分之间。

19.根据权利要求16所述的三维半导体装置，还包括：

20.根据权利要求16至19中的任何一项所述的三维半导体装置，其中，第一栅电极至第四栅电极通过分离结构彼此分离。

技术总结
提供三维半导体装置。所述三维半导体装置包括：第一源极/漏极图案、第二源极/漏极图案、第三源极/漏极图案和第四源极/漏极图案，顺序地堆叠在基底上；接触结构，在第一源极/漏极图案至第四源极/漏极图案上；和接触线，在接触结构上。接触结构包括：第一源极/漏极图案上的第一有源接触件、第二源极/漏极图案上的第二有源接触件、第三源极/漏极图案上的第三有源接触件、和第四源极/漏极图案上的第四有源接触件。第一有源接触件的第一垂直延伸部分邻近于接触结构的一侧，第二有源接触件的第二垂直延伸部分邻近于接触结构的另一侧。第三有源接触件的第三垂直延伸部分置于第一垂直延伸部分与第二垂直延伸部分之间，更靠近第一垂直延伸部分。

技术研发人员：李槿熙,金景洙
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15