集成电路引线框架单元、集成电路引线框架以及集成电路产品的制作方法

1.本技术是有关于一种半导体装置，详细来说，是有关于一种集成电路引线框架单元、集成电路引线框架以及集成电路产品。


背景技术：

2.随着半导体工艺的演进，集成电路产品的体积越来越小。然而，随着体积的减小，能够设置的引脚数量将会受限制。因此，为了在较小的体积下同时实现更多的功能，集成电路产品中设置的引脚数成为重要因素。


技术实现要素：

3.有鉴于此，本技术提出一种集成电路引线框架单元、集成电路引线框架以及集成电路产品来解决现有技术中引脚数不足的问题。
4.依据本技术的一实施例，提出一种集成电路引线框架单元。所述集成电路引线框架单元包括承载部、连接单元、边框单元以及引脚。所述承载部经配置以承载集成电路芯片。所述连接单元的主干的一端连接至所述承载部。所述连接单元的主干的另一端延伸出第一分支和第二分支。所述边框单元围绕所述承载部和所述连接单元设置。所述边框单元包括相邻的第一边框和第二边框，其中所述第一分支和所述第二分支分别连接至所述第一边框和所述第二边框。所述引脚设置在所述第一分支、所述第二分支、所述第一边框和所述第二边框包围的区域中。
5.依据本技术的一实施例，所述集成电路引线框架单元还包括光学定位结构。所述光学定位结构设置在所述第一边框和所述第二边框之上。
6.依据本技术的一实施例，所述光学定位结构设置在所述第一边框和所述第二边框的交汇处。
7.依据本技术的一实施例，所述光学定位结构是十字型结构。
8.依据本技术的一实施例，所述引脚以及所述光学定位结构在所述连接单元的主干的延长路径上。
9.依据本技术的一实施例，提出一种集成电路引线框架。所述集成电路引线框架包括多个上述集成电路引线框架单元。多个所述集成电路引线框架单元呈现阵列排列。
10.依据本技术的一实施例，提出一种集成电路产品。所述集成电路产品包括承载部、集成电路芯片、连接单元以及第一引脚。所述集成电路芯片设置在所述承载部上。所述连接单元的主干的一端连接至所述承载部。所述连接单元的主干的另一端延伸出第一分支和第二分支。所述第一引脚电性连接至所述集成电路芯片。所述第一引脚设置在所述第一分支和所述第二分支之间。
11.依据本技术的一实施例，所述集成电路产品还包括第二引脚。所述第二引脚与所述第一引脚以及所述第一分支平行排列。所述第一分支设置在所述第一引脚与所述第二引
脚之间。
12.本技术提出的集成电路引线框架单元通过在连接单元与边框单元所包围的区域中额外设置引脚，以增加引脚数，大幅提升集成电路产品设计的适用性。
附图说明
13.附图是用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本技术，但并不构成对本技术的限制。在附图中：
14.图1演示依据本技术一实施例的集成电路引线框架单元的方块示意图。
15.图2演示依据本技术一实施例的集成电路引线框架的示意图。
16.图3演示依据本技术一实施例的集成电路引线框架单元的示意图。
17.图4演示依据本技术一实施例的集成电路引线框架单元的部分放大示意图。
具体实施方式
18.以下揭示内容提供了多种实施方式或例示，其能用以实现本揭示内容的不同特征。下文所述之组件与配置的具体例子系用以简化本揭示内容。当可想见，这些叙述仅为例示，其本意并非用于限制本揭示内容。举例来说，在下文的描述中，将一第一特征形成于一第二特征上或之上，可能包括某些实施例其中所述的第一与第二特征彼此直接接触；且也可能包括某些实施例其中还有额外的组件形成于上述第一与第二特征之间，而使得第一与第二特征可能没有直接接触。此外，本揭示内容可能会在多个实施例中重复使用组件符号和/或标号。此种重复使用乃是基于简洁与清楚的目的，且其本身不代表所讨论的不同实施例和/或组态之间的关系。
19.再者，在此处使用空间上相对的词汇，譬如「之下」、「下方」、「低于」、「之上」、「上方」及与其相似者，可能是为了方便说明图中所绘示的一组件或特征相对于另一或多个组件或特征之间的关系。这些空间上相对的词汇其本意除了图中所绘示的方位之外，还涵盖了装置在使用或操作中所处的多种不同方位。可能将所述设备放置于其他方位(如，旋转90度或处于其他方位)，而这些空间上相对的描述词汇就应该做相应的解释。
20.虽然用以界定本技术较广范围的数值范围与参数皆是约略的数值，此处已尽可能精确地呈现具体实施例中的相关数值。然而，任何数值本质上不可避免地含有因个别测试方法所致的标准偏差。在此处，「约」通常系指实际数值在一特定数值或范围的正负10％、5％、1％或0.5％之内。或者是，「约」一词代表实际数值落在平均值的可接受标准误差之内，视本技术所属技术领域中具有通常知识者的考虑而定。当可理解，除了实验例之外，或除非另有明确的说明，此处所用的所有范围、数量、数值与百分比(例如用以描述材料用量、时间长短、温度、操作条件、数量比例及其他相似者)均经过「约」的修饰。因此，除非另有相反的说明，本说明书与附随权利要求书所揭示的数值参数皆为约略的数值，且可视需求而更动。至少应将这些数值参数理解为所指出的有效位数与套用一般进位法所得到的数值。在此处，将数值范围表示成由一端点至另一端点或介于二端点之间；除非另有说明，此处所述的数值范围皆包括端点。
21.图1演示依据本技术一实施例的集成电路引线框架单元1的方块示意图。在某些实施例中，集成电路引线框架单元1经配置以承载集成电路芯片，并提供连接至所述集成电路
芯片的引脚。在某些实施例中，集成电路引线框架单元1可以用以实现一种drqfn集成电路产品。在某些实施例中，集成电路引线框架单元1包括承载部11、连接单元12、边框单元13以及引脚14。在某些实施例中，承载部11经配置以承载所述集成电路芯片。在某些实施例中，连接单元12的主干的一端连接至承载部11。在某些实施例中，连接单元12的主干的另一端延伸出第一分支和第二分支。在某些实施例中，边框单元13围绕承载部11和连接单元12设置。在某些实施例中，边框单元13包括相邻的第一边框和第二边框，其中所述第一分支和所述第二分支分别连接至所述第一边框和所述第二边框。在某些实施例中，引脚14设置在所述第一分支、所述第二分支、所述第一边框和所述第二边框包围的区域。
22.图2演示依据本技术一实施例的集成电路引线框架2的示意图。在某些实施例中，集成电路引线框架2包括多个呈现阵列排列的集成电路引线框架单元20。在某些实施例中，集成电路引线框架单元20可以用以实现图1实施例的集成电路引线框架单元1。在某些实施例中，集成电路引线框架2中的每个集成电路引线框架单元20包括承载部201、连接单元202以及边框单元203。
23.图3演示依据本技术一实施例的集成电路引线框架单元20的示意图。在某些实施例中，除承载部201、连接单元202以及边框单元203外，集成电路引线框架单元20还包括设置于边框单元203之上的多个外引脚301以及多个内引脚302。在某些实施例中，外引脚301大体上呈现前小后大的片状结构。在某些实施例中，内引脚302大体上呈现前大后小的片状结构。在某些实施例中，相邻两个外引脚301的间距大约是0.5毫米。在某些实施例中，相邻两个内引脚302的间距大约是0.5毫米。在某些实施例中，外引脚301与相邻的内引脚302的距离大约是0.1毫米。
24.在某些实施例中，承载部201经配置以承载集成电路芯片。在某些实施例中，集成电路芯片通过粘胶(如银浆)粘接在承载部201之上。在某些实施例中，承载部201可以是一种金属载体。在某些实施例中，承载部201设置在集成电路引线框架单元20的中央位置。在某些实施例中，承载部201大体呈现矩形。
25.在某些实施例中，集成电路引线框架单元20包括四个连接单元202。在某些实施例中，每个连接单元202分别连接至承载部201的四个角落。在某些实施例中，连接单元202包括主干a202、第一分支1b202以及第二分支2b202。在某些实施例中，连接单元202大体呈现y字型。在某些实施例中，主干a202的一端连接到承载部201，主干a202的另一端延伸出第一分支1b202以及第二分支2b202。
26.在某些实施例中，边框单元203围绕承载部201和连接单元202设置。在某些实施例中，边框单元203包围区域大体呈现矩形。在某些实施例中，边框单元203包括第一边框2031、第二边框2032、第三边框2033以及第四边框2044。在某些实施例中，第一边框2031与第二边框2032以及第四边框2044连接并且部分重叠，第二边框2032与第一边框2031以及第三边框2033连接并且部分重叠，第三边框2033与第二边框2032以及第四边框2044连接并且部分重叠，第四边框2044与第一边框2031以及第三边框2033连接并且部分重叠。
27.在某些实施例中，集成电路引线框架单元20在两相邻边框的交汇处(如左上角所示的第一边框2031与第二边框2032的交汇处)设置有光学定位结构30(图中以斜线标识)。在某些实施例中，光学定位结构30大体呈现十字型结构。在某些实施例中，光学定位结构30的宽度w30大致与第一边框2031和第二边框2032的宽度一致。在某些实施例中，光学定位结
构30的宽度w30大约为0.5毫米。
28.通过将光学定位结构30设计为在两相邻边框的交汇处形成的十字型结构可以减少光学定位结构30占据的面积。在如此设置下，可以增加第一分支1b202以及第二分支2b202与边框所包围的区域面积。
29.在某些实施例中，集成电路引线框架单元20还包括引脚40。参考图4，图4演示依据本技术一实施例的集成电路引线框架单元20的左上角的放大示意图。在某些实施例中，第一分支1b202以及第二分支2b202分别连接到第一边框2031以及第二边框2032。在某些实施例中，引脚40设置在第一分支1b202、第二分支2b202、第一边框2031和第二边框2032包围的区域a1中。在某些实施例中，区域a1大约为0.5毫米*0.5毫米的矩形区域。在某些实施例中，引脚40连接于第一边框2031之上。然而，在其他实施例中，引脚40也可以连接于第二分支2b202之上。在某些实施例中，引脚40与第一边框2031之上的外引脚301和内引脚302平行排列设置。
30.在某些实施例中，引脚40和光学定位结构30设置在主干a202的延长路径l1上。然而，本技术并不限定引脚40在区域a1中的设置位置。实际上，光学定位结构30与引脚40之间需要间隔一定距离以避免在后续切割作业时对引脚40产生损坏。在某些实施例中，光学定位结构30与引脚40之间的间隔w1大约为0.15毫米。
31.本技术提出的集成电路引线框架单元20通过在第一分支1b202以及第二分支2b202与边框所包围的区域中额外设置引脚40以增加引脚数，借此大幅提升集成电路产品设计的适用性。
32.本技术还提出一种应用集成电路引线框架单元20来完成的集成电路产品。在某些实施例中，将集成电路芯片粘接于集成电路引线框架单元20之上后，对集成电路芯片进行焊线作业以将外引脚301、内302以及引脚40与集成电路芯片的相应位置通过导线连接，之后利用塑封件(如环氧树脂)以高温压力注塑的方式覆盖包裹集成电路芯片以完成封装。接着，对每个封装的集成电路芯片进行电镀、打印的作业后，沿着边框单元203的四个边框将集成电路引线框架单元20从集成电路引线框架2上切割开，借此得到集成电路产品。
33.本领域技术人员应能理解通过集成电路引线框架单元20来完成的集成电路产品，由于具有设置在第一分支1b202以及第二分支2b202之间的引脚40，相比于现有技术的集成电路产品具有更多的引脚数，因此，可以提升集成电路产品的适用性。
34.如本文中所使用，术语“近似地”、“基本上”、“基本”及“约”用于描述并考虑小变化。当与事件或情况结合使用时，所述术语可指事件或情况精确地发生的例子以及事件或情况极近似地发生的例子。如本文中相对于给定值或范围所使用，术语“约”大体上意味着在给定值或范围的
±
10％、
±
5％、
±
1％或
±
0.5％内。范围可在本文中表示为自一个端点至另一端点或在两个端点之间。除非另外规定，否则本文中所公开的所有范围包括端点。术语“基本上共面”可指沿同一平面定位的在数微米(μm)内的两个表面，例如，沿着同一平面定位的在10μm内、5μm内、1μm内或0.5μm内。当参考“基本上”相同的数值或特性时，术语可指处于所述值的平均值的
±
10％、
±
5％、
±
1％或
±
0.5％内的值。
35.如本文中所使用，术语“近似地”、“基本上”、“基本”和“约”用于描述和解释小的变化。当与事件或情况结合使用时，所述术语可指事件或情况精确地发生的例子以及事件或情况极近似地发生的例子。举例来说，当与数值结合使用时，术语可指小于或等于所述数值
的
±
10％的变化范围，例如，小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％，或小于或等于
±
0.05％。举例来说，如果两个数值之间的差小于或等于所述值的平均值的
±
10％(例如，小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％，或小于或等于
±
0.05％)，那么可认为所述两个数值“基本上”或“约”相同。举例来说，“基本上”平行可以指相对于0
°
的小于或等于
±
10
°
的角度变化范围，例如，小于或等于
±5°
、小于或等于
±4°
、小于或等于
±3°
、小于或等于
±2°
、小于或等于
±1°
、小于或等于
±
0.5
°
、小于或等于
±
0.1
°
，或小于或等于
±
0.05
°
。举例来说，“基本上”垂直可以指相对于90
°
的小于或等于
±
10
°
的角度变化范围，例如，小于或等于
±5°
、小于或等于
±4°
、小于或等于
±3°
、小于或等于
±2°
、小于或等于
±1°
、小于或等于
±
0.5
°
、小于或等于
±
0.1
°
，或小于或等于
±
0.05
°
。
36.举例来说，如果两个表面之间的位移等于或小于5μm、等于或小于2μm、等于或小于1μm或等于或小于0.5μm，那么两个表面可以被认为是共面的或基本上共面的。如果表面相对于平面在表面上的任何两个点之间的位移等于或小于5μm、等于或小于2μm、等于或小于1μm或等于或小于0.5μm，那么可以认为表面是平面的或基本上平面的。
37.如本文中所使用，术语“导电(conductive)”、“导电(electrically conductive)”和“电导率”是指转移电流的能力。导电材料通常指示对电流流动为极少或零对抗的那些材料。电导率的一个量度是西门子/米(s/m)。通常，导电材料是电导率大于近似地104s/m(例如，至少105s/m或至少106s/m)的一种材料。材料的电导率有时可以随温度而变化。除非另外规定，否则材料的电导率是在室温下测量的。
38.如本文中所使用，除非上下文另外明确规定，否则单数术语“一(a/an)”和“所述”可包含复数指示物。在一些实施例的描述中，提供于另一组件“上”或“上方”的组件可涵盖前一组件直接在后一组件上(例如，与后一组件物理接触)的情况，以及一或多个中间组件位于前一组件与后一组件之间的情况。
39.如本文中所使用，为易于描述可在本文中使用空间相对术语例如“下面”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”、“下部”、“左侧”、“右侧”等描述如图中所说明的一个组件或特征与另一组件或特征的关系。除图中所描绘的定向之外，空间相对术语意图涵盖在使用或操作中的装置的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间相对描述词同样可相应地进行解释。应理解，当一组件被称为“连接到”或“耦合到”另一组件时，其可直接连接或耦合到所述另一组件，或可存在中间组件。
40.前文概述本公开的若干实施例和细节方面的特征。本公开中描述的实施例可容易地用作用于设计或修改其它过程的基础以及用于执行相同或相似目的和/或获得引入本文中的实施例的相同或相似优点的结构。这些等效构造不脱离本公开的精神和范围并且可在不脱离本公开的精神和范围的情况下作出不同变化、替代和改变。