半导体结构的制作方法

本发明涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构。

背景技术：

1、集成电路(integrated circuit，ic)变得越来越重要。使用ic的应用程序被数百万人使用。这些应用包括手机、智能手机、平板计算机、膝上型计算机、笔记本电脑、pda、无线电子邮件终端、mp3音讯和视频播放器、便携式无线网络浏览器等。集成电路越来越多地包括用于信号控制和处理的强大和高效的板载(on-board)数据存储和逻辑电路。

2、随着集成电路的不断缩小，集成电路已经变得更加紧凑。对于集成电路中经常使用的标准单元(standard cell)，当标准单元的数量增加时，芯片面积就会增加。因此，需要一种面积更小、效率更高的标准单元。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明提供一种半导体结构，以解决上述问题。

2、根据本发明的第一方面，公开一种半导体结构，包括：

3、半导体基板；

4、第一阱区，具有第一导电类型，并且在该半导体基板上方；

5、第二阱区，具有第二导电类型，并且在该半导体基板上方，其中该第一导电类型不同于该第二导电类型；以及

6、逻辑单元，包括：至少一个第一晶体管，在该第一阱区上方的第一有源区中，并且该至少一个第一晶体管包括在第一方向上延伸的第一闸电极；至少一个第二晶体管，在该第二阱区上方的第二有源区中，其中该至少一个第二晶体管和该至少一个第一晶体管共享该第一闸电极；第二闸电极和第三闸电极，位于该第一晶体管的相对两侧并沿该第一方向延伸；以及第一隔离结构和第二隔离结构，在该第二有源区的相对边缘上，并沿该第一方向延伸，

7、其中，该第一隔离结构与该第二栅极结构在该第一方向上对齐，该第二隔离结构与该第三栅极结构在该第一方向上对齐。

8、根据本发明的第二方面，公开一种半导体结构，包括：

9、半导体基板；

10、逻辑单元，包括：在该半导体基板上方的第一有源区中的至少一个第一晶体管，并且该至少一个第一晶体管包括在第一方向上延伸的第一闸电极；在该半导体基板上方的第二有源区中的至少一个第二晶体管，其中该至少一个第二晶体管和该至少一个第一晶体管共享该第一闸电极；第二闸电极和第三闸电极，位于该第一晶体管的相对两侧并沿该第一方向延伸；以及第四闸电极和第五闸电极，位于该第二晶体管的相对两侧并沿该第一方向延伸；

11、第一电源线，沿第二方向延伸，其中该第二方向垂直于第一方向；

12、第二电源线，沿该第二方向延伸，其中该逻辑单元由该第一电源线和该第二电源线包围，该第一电源线与该第二电源线电性分离；以及

13、第一附加电源线，在该第二方向上延伸并位于该第一有源区上方，

14、其中该第四栅极结构与该第二栅极结构电性分离，该第五栅极结构与该第三栅极结构电性分离，

15、其中，该第二闸电极和该第三闸电极通过该第一附加电源线电连接到该第一电源线。

16、根据本发明的第三方面，公开一种半导体结构，包括：

17、半导体基板；以及

18、单元阵列，包括：第一逻辑单元，包括：在该半导体基板上方的第一有源区中的至少一个第一晶体管，并且该至少一个第一晶体管包括在第一方向上延伸的第一闸电极；以及在该半导体基板上方的第二有源区中的至少一个第二晶体管，其中该至少一个第二晶体管和该至少一个第一晶体管共享该第一闸电极；第二逻辑单元，包括：在该第一有源区中的至少一个第三晶体管，并且该至少一个第三晶体管包括沿该第一方向延伸的第二闸电极；在该半导体基板上方的第三有源区中的至少一个第四晶体管，其中该至少一个第三晶体管和该至少一个第四晶体管共享该第二闸电极；

19、第三闸电极、第四闸电极和第五闸电极，沿该第一方向延伸；以及

20、第一隔离结构、第二隔离结构和第三隔离结构，沿该第一方向延伸；

21、其中该第三闸电极和该第四闸电极设置在该第一晶体管的相对两侧，该第四闸电极和该第五闸电极设置在该第三晶体管的相对两侧，

22、其中，该第一隔离结构和该第二隔离结构设置在该第二有源区的相对边缘，该第二隔离结构和该第三隔离结构设置在该第三有源区的相对边缘，

23、其中，该第二有源区通过该第二隔离结构与该第三有源区分隔开。

24、本发明的半导体结构由于包括：半导体基板；第一阱区，具有第一导电类型，并且在该半导体基板上方；第二阱区，具有第二导电类型，并且在该半导体基板上方，其中该第一导电类型不同于该第二导电类型；以及逻辑单元，包括：至少一个第一晶体管，在该第一阱区上方的第一有源区中，并且该至少一个第一晶体管包括在第一方向上延伸的第一闸电极；至少一个第二晶体管，在该第二阱区上方的第二有源区中，其中该至少一个第二晶体管和该至少一个第一晶体管共享该第一闸电极；第二闸电极和第三闸电极，位于该第一晶体管的相对两侧并沿该第一方向延伸；以及第一隔离结构和第二隔离结构，在该第二有源区的相对边缘上，并沿该第一方向延伸，其中，该第一隔离结构与该第二栅极结构在该第一方向上对齐，该第二隔离结构与该第三栅极结构在该第一方向上对齐。采用这种方式，可以将在电线源/接地在线的连接闸电极特征取消，取消这些连接闸电极特征之后，电线源/接地线无需设置的过宽，因此相较于先前技术中的电源线，本发明实施例中的电源线/接地线的宽度更小，并且面积也更小，这样也就降低了逻辑单元的高度和面积，也降低了半导体结构的整体高度和整体的面积。

技术特征：

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在该第一方向上，该第二闸电极及该第三闸电极短于该第一闸电极。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在该第一方向上，该第一隔离结构及该第二隔离结构短于该第一闸电极。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，该第一电源线、该第二电源线与该附加电源线形成于同一金属层中。

6.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，该第一电源线及第二电源线比该附加电源线宽。

7.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，该附加电源线与该第一电源线通过该多条信号线的其中一条信号线隔开。

9.一种半导体结构，其特征在于，包括：

10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，在该第一方向上，该第二闸电极、该第三闸电极、该第四闸电极及该第五闸电极短于该第一闸电极。

11.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，该第二方向上，该第二闸电极、第三闸电极、第四闸电极及第五闸电极与该第一闸电极在具有相同的宽度。

12.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，该第一电源线、该第二电源线、该第一附加电源线与该第二附加电源线形成于同一金属层中，且该第一与该第二附加电源线为设置于该第一电源线与该第二电源线之间。

14.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，该第一电源线和该第二电源线比该第一附加电源和该第二附加电源线宽。

15.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

16.如权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，该第一附加电源线与该第一电源线之间由该多条信号线中的一条信号线隔开，并且该第二附加电源线与该第二电源线由该多条信号线中的另一条信号线隔开。

17.一种半导体结构，其特征在于，包括：

18.如权利要求17所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

19.如权利要求18所述的半导体结构，其特征在于，该第一电源线、该第二电源线与该附加电源线形成于同一金属层中，且该第一电源线与该第二电源线比该附加电源线宽。

20.如权利要求19所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

技术总结
本发明公开一种半导体结构，包括：半导体基板；第一阱区；第二阱区；以及逻辑单元，包括：至少一个第一晶体管，在该第一阱区上方的第一有源区中，并且包括在第一方向上延伸的第一闸电极；至少一个第二晶体管；第二闸电极和第三闸电极；以及第一隔离结构和第二隔离结构，在该第二有源区的相对边缘上，其中，该第一隔离结构与该第二栅极结构在该第一方向上对齐，该第二隔离结构与该第三栅极结构在该第一方向上对齐。采用这种方式，电线源/接地线无需设置的过宽，因此相较于先前技术中的电源线，本发明实施例中的电源线/接地线的宽度更小，并且面积也更小，这样也就降低了逻辑单元的高度和面积，也降低了半导体结构的整体高度和整体的面积。

技术研发人员：谢贺捷,池其辉,蔡行易
受保护的技术使用者：联发科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13