等离子体处理装置和静电卡盘的制造方法与流程

本发明涉及等离子体处理装置和静电卡盘的制造方法。

背景技术：

1、作为具有静电卡盘的等离子体处理装置，有专利文献1中公开的技术。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：美国专利申请公开第2020/0343123号说明书

技术实现思路

1、发明要解决的技术问题

2、本发明提供能够使rf电功率的损失和泄漏降低的技术。

3、用于解决技术问题的手段

4、本发明的一个例示性的实施方式提供一种等离子体处理装置，其包括：等离子体处理腔室；配置在所述等离子体处理腔室内的基片支承部，所述基片支承部包括具有基片支承面的电介质部件、配置在所述电介质部件内的具有第一端子和第二端子的第一滤波元件、和配置在所述电介质部件内的与所述第一端子电连接的第一静电电极；与所述等离子体处理腔室耦合的、能够生成rf信号的rf生成部；和与所述第二端子电连接的、能够生成dc信号的第一dc生成部。

5、发明效果

6、采用本发明的一个例示性的实施方式，能够提供能够使rf电功率的损失和泄漏降低的技术。

技术特征：

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：

7.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：

8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：

9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于：

10.根据权利要求7～9中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

11.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于：

12.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

13.根据权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于：

14.根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于：

15.根据权利要求13或14所述的等离子体处理装置，其特征在于：

16.根据权利要求14所述的等离子体处理装置，其特征在于：

17.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

18.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

19.一种静电卡盘的制造方法，其特征在于，包括：

技术总结
本发明提供能够使RF电功率的损失和泄漏降低的等离子体处理装置和静电卡盘的制造方法。本发明的等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；配置在所述等离子体处理腔室内的基片支承部，所述基片支承部包括具有基片支承面的电介质部件、配置在所述电介质部件内的具有第一端子和第二端子的第一滤波元件、和配置在所述电介质部件内的与所述第一端子电连接的第一静电电极；与所述等离子体处理腔室耦合的、能够生成RF信号的RF生成部；和与所述第二端子电连接的、能够生成DC信号的第一DC生成部。

技术研发人员：舆水地盐
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13