半导体装置的制作方法

本发明涉及半导体装置。

背景技术：

1、在电力控制用半导体装置，希望减小通断损失，使破坏耐受量提高。

技术实现思路

1、有关技术方案的半导体装置具有半导体部、第1电极、第2电极、第3电极、控制电极和第4电极。上述第1电极设置在上述半导体部的背面上。上述第2电极设置在上述半导体部的与上述背面相反侧的表面上。上述第3电极设置在上述第1电极与上述第2电极之间，位于上述半导体部中，通过第1绝缘膜从上述半导体部电绝缘。上述控制电极从上述半导体部的上述表面侧延伸到上述半导体部中，位于上述第2电极与上述第3电极之间，隔着第2绝缘膜面对上述第3电极。上述第1绝缘膜在上述半导体部与上述控制电极之间延伸，将上述控制电极从上述半导体部电绝缘。上述第4电极从上述半导体部的上述表面侧延伸到上述半导体部中，位于上述第2电极与上述第3电极之间，位于上述半导体部与上述控制电极之间。上述第1绝缘膜在上述半导体部与上述第4电极之间延伸，上述第2绝缘膜在上述第3电极与上述第4电极之间延伸。上述第4电极隔着第3绝缘膜面对上述控制电极，与上述第3电极电连接。

2、根据本实施方式，能够提供减小通断损失、使破坏耐受量提高的半导体装置。

技术特征：

1.一种半导体装置，其具有：

2.一种半导体装置，其具有：

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，

6.如权利要求4所述的半导体装置，其中，

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中，

8.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

9.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

10.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

11.如权利要求2所述的半导体装置，其中，

12.如权利要求2所述的半导体装置，其中，

13.如权利要求1、9及10中任一项所述的半导体装置，其中，

14.如权利要求2、11及12中任一项所述的半导体装置，其中，

技术总结
实施方式关于半导体装置。有关实施方式的半导体装置具有半导体部、第1至第4电极和控制电极。上述第1电极设置在上述半导体部的背面上；上述第2电极设置在与上述背面相反侧的表面上。上述第3电极设置在上述第1电极与上述第2电极之间，位于上述半导体部中，从上述半导体部电绝缘。上述控制电极从上述半导体部的上述表面侧延伸到上述半导体部中，位于上述第2电极与上述第3电极之间，从上述半导体部电绝缘。上述第4电极从上述半导体部的上述表面侧延伸到上述半导体部中，位于上述第2电极与上述第3电极之间。此外，上述第4电极位于上述半导体部与上述控制电极之间，与上述第3电极电连接。

技术研发人员：系数裕子,岩鍜治阳子,河村圭子,末代知子,布施香织,罇贵子
受保护的技术使用者：株式会社东芝
技术研发日：
技术公布日：2024/3/24