封装基板结构及其制造方法与流程

文档序号:37429040发布日期:2024-03-25 19:19阅读:5来源:国知局
封装基板结构及其制造方法与流程

本发明是关于一种封装基板结构及其制造方法,特别是关于一种用于层叠式封装的封装基板结构及其制造方法。


背景技术:

1、近年来,电子设备的发展快速,电子封装技术对于小型化、高输入/输出(i/o)密度及可靠性的需求持续增加,其中层叠式封装(package on package,pop)是节省电路板空间的有效技术手段。举例而言,层叠式封装将存储器及处理器分别封装成一个集成电路(integrated circuit,ic),且两个集成电路的下方或上方分别连接锡球或导电柱,再将处理器叠层在存储器上方。


技术实现思路

1、本发明的一态样是提供一种封装基板结构的制造方法,以同时制作第一导通孔及第二导通孔。

2、本发明的另一态样是提供一种封装基板结构,其利用上述态样的方法所制得。

3、根据本发明的一态样,提供一种封装基板结构的制造方法。方法包含提供第一承载板及金属层,其中所述金属层设置在所述第一承载板的表面上;图案化金属层,以形成接垫,并局部暴露所述第一承载板;贴覆导电块在第一承载板的暴露部分上;形成基板于所述第一承载板上;移除所述第一承载板,以暴露出在所述介电层中的所述导电块及所述接垫;形成连接基板于所述介电层的表面上;移除所述连接基板中的部分所述绝缘层,而只保留所述第二导通孔周围的所述绝缘层,以形成多个连接构件,并暴露出所述导电块;移除所述导电块,以形成凹槽在所述介电层上,并暴露出所述第二导通孔的窄端;以及设置至少一个晶片在导电盲孔上。所述基板包含压合在所述第一承载板的表面上的介电层,且介电层覆盖所述导电块及所述接垫;形成在所述介电层远离所述接垫的表面上的线路层;电性连接所述线路层与所述接垫的多个第一导通孔;以及电性连接所述导电块与所述线路层的第二导通孔。所述连接基板包含覆盖所述导电块及所述接垫的绝缘层;以及贯穿所述绝缘层,并暴露于所述绝缘层的顶表面的多个第三导通孔,且所述第三导通孔电性连接所述接垫。

4、根据本发明的一实施例,在上述移除第一承载板之前,方法还包含形成阻焊层在基板上。

5、根据本发明的一实施例,在上述移除第一承载板之后,方法还包含形成第二承载板在相对于所述导电块的所述阻焊层上。

6、根据本发明的一实施例,在贴覆导电块之后,方法还包含贴覆粘结层在所述导电块上,其中所述第二导通孔形成在所述粘结层上,且移除所述导电块的步骤还包含移除所述粘结层。

7、根据本发明的一实施例,在移除部分所述绝缘层之后,且在移除所述导电块之前,还包含减薄所述介电层,以形成至少一突出部在所述介电层远离所述线路层的表面上。

8、根据本发明的一实施例,在贴合晶片之前,方法还包含形成底部填胶层在所述凹槽中,且在所述第二导通孔上。

9、根据本发明的一态样,提供一种封装基板结构,其包含线路基板、多个接垫以及设置于所述接垫上的多个连接构件。线路基板包含介电层、线路层、设置于所述介电层中第一导通孔及设置于所述介电层中的第二导通孔。介电层的第一表面包含至少一突出部。线路层设置于所述介电层的第二表面上,其中所述第二表面相对于所述第一表面。所述第二导通孔的剖面形状为梯形,并具有窄端,且所述窄端凸出所述介电层的所述第一表面。接垫设置于所述突出部上。每一个连接构件包含至少一第三导通孔及包覆第三导通孔的绝缘层。第三导通孔电性连接所述接垫,且最外侧的第三导通孔者暴露于所述绝缘层的顶表面。

10、根据本发明的一实施例,所述接垫与所述线路层利用所述第一导通孔电性连接。

11、根据本发明的一实施例,上述封装基板结构还包含设置于所述第二导通孔的所述窄端上的底部填胶层。

12、根据本发明的一实施例,每一个所述第一导通孔的剖面形状为梯形,且所述第一导通孔的宽度沿着所述介电层的所述第二表面朝所述第一表面的方向递减。

13、根据本发明的一实施例,每一个所述第三导通孔的剖面形状为梯形,且所述第三导通孔的宽度沿着所述绝缘层的所述顶表面朝所述接垫的方向递减。

14、根据本发明的一实施例,上述封装基板结构还包含接合在所述第二导通孔上的至少一晶片或至少一半导体元件。

15、应用本发明的封装基板结构及其制造方法,形成多个连接构件于线路基板上,并利用导电块形成高度均一的第二导通孔,且以第二导通孔的窄端连接晶片,进而减少封装基板连接端的间距。



技术特征:

1.一种封装基板结构的制造方法,其特征在于,包含:

2.根据权利要求1所述的封装基板结构的制造方法,其特征在于,还包含:

3.根据权利要求2所述的封装基板结构的制造方法,其特征在于,在移除所述第一承载板之后,还包含:

4.根据权利要求1所述的封装基板结构的制造方法,其特征在于,贴覆所述导电块之后,还包含:

5.根据权利要求1所述的封装基板结构的制造方法,其特征在于,在移除部分所述绝缘层之后,且在移除所述导电块之前,还包含:

6.根据权利要求1所述的封装基板结构的制造方法,其特征在于,在贴合至少一晶片之前,还包含:

7.一种封装基板结构,其特征在于,包含:

8.根据权利要求7所述的封装基板结构,其特征在于,所述接垫与所述线路层利用所述第一导通孔电性连接。

9.根据权利要求7所述的封装基板结构,其特征在于,还包含:

10.根据权利要求7所述的封装基板结构,其特征在于,所述第一导通孔的每一者的剖面形状为梯形,且所述第一导通孔的宽度沿着所述介电层的所述第二表面朝所述第一表面的方向递减。

11.根据权利要求7所述的封装基板结构,其特征在于,所述第三导通孔的每一者的剖面形状为梯形,且所述第三导通孔的宽度沿着所述绝缘层的所述顶表面朝所述接垫的方向递减。

12.根据权利要求7所述的封装基板结构,其特征在于,还包含:


技术总结
本发明提供一种封装基板结构及其制造方法。方法包含形成接垫在第一承载板上;贴覆导电块在第一承载板的暴露部分上;形成包含介电层、线路层、第一导通孔及第二导通孔的基板在第一承载板上;形成包含绝缘层及第三导通孔的连接构件在基板上;移除导电块并暴露出第二导通孔的窄端;以及设置晶片在第二导通孔上。利用前述导电块的设置,而使后续暴露出第二导通孔的窄端,并利用暴露出第二导通孔的窄端连接晶片,以减少连接端的间距。

技术研发人员:蓝志成,杨永泉
受保护的技术使用者:鹏鼎控股(深圳)股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/3/24
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