半导体设备、半导体模块以及无线通信装置的制作方法

本公开涉及一种半导体设备、半导体模块，以及无线通信装置。

背景技术：

1、近年来，提出了包括具有大功耗的元件，例如功率放大器电路元件等的半导体设备(例如，参考专利文献1)。

2、引文列表

3、专利文献

4、ptl 1：日本未审查专利申请公开no.2012-119469

技术实现思路

1、顺便提及，在诸如功率放大器之类的这种高输出半导体元件的情况下，由于其相对大的功耗，由高输出半导体元件的操作导致的发热值增加。假设当高输出半导体元件的温度以及周围温度升高时，包括高输出半导体元件的电路的操作降低的情况。

2、因此，期望具有高散热性和高操作可靠性的半导体设备以及包括该半导体设备的半导体模块和无线通信装置。

3、
技术实现要素：

4、根据本公开的实施例的半导体设备包括：半导体基板；第一半导体层，设置在半导体基板上、具有第一开口并且具有第一热导率；晶体管，设置在第一半导体层上；以及散热单元，经由第一开口与半导体基板接触并且具有高于第一热导率的第二热导率。

5、在根据本公开的实施例的半导体设备中，第一开口设置在其中设置晶体管的第一半导体层中，并且半导体基板经由第一开口与散热单元接触。因此，晶体管中生成的热量被高效地释放到外部。

技术特征：

1.一种半导体设备，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述散热单元包含金属。

3.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述散热单元与所述晶体管电隔离。

4.根据权利要求1所述的半导体设备，其中

5.根据权利要求1所述的半导体设备，其中

6.根据权利要求1所述的半导体设备，其中第一半导体层包括iii-v族半导体。

7.根据权利要求6所述的半导体设备，其中所述iii-v族半导体包括氮化镓(gan)。

8.根据权利要求1所述的半导体设备，还包括第二半导体层，从所述第一半导体层观察时设置在与所述半导体基板的相对侧，并且具有与所述第一开口连通的第二开口，其中

9.根据权利要求8所述的半导体设备，其中

10.根据权利要求1所述的半导体设备，还包括多个晶体管，其中

11.根据权利要求10所述的半导体设备，其中所述栅电极在所述第二方向上的长度长于或等于25μm且短于或等于200μm。

12.一种半导体模块，包括

13.一种无线通信装置，包括

技术总结
提供了具有高散热性和高操作可靠性的半导体设备(1)。该半导体设备包括：半导体基板(10)；设置在半导体基板上、具有第一开口(20K)、并且具有第一热导率的第一半导体层(20)；设置在第一半导体层上的晶体管(Tr)；以及经由第一开口与半导体基板接触并具有高于第一热导率的第二热导率的散热单元(40)。

技术研发人员：松本一治,栫山直树
受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/24