半导体装置及其制造方法与流程

实施方式涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术：

1、为了改善半导体装置的导通电阻与耐压的平衡，开发了使用碳化硅作为半导体材料的半导体装置。在这样的半导体装置中，为了进一步降低导通电阻，优选缩短沟道长度，但若缩短沟道长度，则阈值电压降低，有时动作成为不稳定点。

技术实现思路

1、实施方式的半导体装置具备：第一电极；第一导电型的第一半导体层，与所述第一电极连接，包含硅及碳；第二导电型的第二半导体层，配置于所述第一半导体层上的一部分，包含硅及碳；第一导电型的第三半导体层，配置于所述第二半导体层上的一部分，隔着所述第二半导体层与所述第一半导体层对置，以与所述第一半导体层对置的侧面越朝向上方则越接近所述第一半导体层的方式进行位移，包含硅及碳；第二电极，与所述第三半导体层连接；以及第三电极，至少配置于所述第二半导体层中的所述第一半导体层与所述第三半导体层之间的部分的正上方区域，隔着第一绝缘膜与所述部分对置。

2、实施方式的半导体装置的制造方法具备：在包含硅及碳的第一导电型的第一半导体层上形成掩模部件的工序；通过将所述掩模部件作为掩模向所述第一半导体层注入第一杂质，在所述第一半导体层的上部的一部分形成第二导电型的第二半导体层的工序；在所述第一半导体层上及所述第二半导体层上形成覆盖所述掩模部件的间隔膜的工序；通过将所述掩模部件作为掩模并隔着所述间隔膜向所述第二半导体层注入第二杂质，在所述第二半导体层的上部的一部分形成第一导电型的第三半导体层的工序；去除所述间隔膜及所述掩模部件的工序；至少在所述第二半导体层中的所述第一半导体层与所述第三半导体层之间的部分上形成第一绝缘膜的工序；以及形成与所述第一半导体层连接的第一电极、与所述第三半导体层连接的第二电极、以及配置在所述第一绝缘膜上的第三电极的工序。

3、根据实施方式，能够提供能够抑制阈值电压的降低的半导体装置及其制造方法。

技术特征：

1.一种半导体装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

7.一种半导体装置的制造方法，具备如下工序：

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，

9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，

技术总结
实施方式涉及半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备：第一电极；第一导电型的第一半导体层，与所述第一电极连接，包含硅及碳；第二导电型的第二半导体层，配置于所述第一半导体层上的一部分，包含硅及碳；第一导电型的第三半导体层，配置于所述第二半导体层上的一部分，隔着所述第二半导体层与所述第一半导体层对置，以与所述第一半导体层对置的侧面越朝向上方则越接近所述第一半导体层的方式进行位移，包含硅及碳；第二电极，与所述第三半导体层连接；以及第三电极，至少配置于所述第二半导体层中的所述第一半导体层与所述第三半导体层之间的部分的正上方区域，隔着第一绝缘膜与所述部分对置。

技术研发人员：朝羽俊介,河野洋志
受保护的技术使用者：东芝电子元件及存储装置株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/3/17