气体供应单元和包括所述气体供应单元的基板处理装置的制作方法

本发明涉及气体供应单元和包括所述气体供应单元的基板处理装置。

背景技术：

1、为了制造半导体器件或平板显示面板，执行各种工序，包括光刻工序、蚀刻工序、灰化工序、薄膜沉积工序和清洁工序。在这些工序中，光刻工序是通过在半导体基板上提供光致抗蚀剂，对使用掩模形成的涂布膜进行曝光处理，然后通过供应显影液在基板上获得所需图案来在基板表面涂布膜的工序。特别是近年来，为了实现图案的临界尺寸(cd)的微细化，对在涂布工序中形成的涂布膜要求高度的均匀性。

2、图1是示出通过将在基板上施用涂布液而在晶片等基板上形成涂布膜的一般基板处理装置的图。

3、参照图1，一般基板处理装置1000包括处理单元1100和气体供应单元1300。处理单元1100包括腔室1110和液体处理模块1120。腔室1110包括基部1111和侧壁1113。液体处理模块1120设置在腔室1110中，其将光致抗蚀剂供应到旋转的基板以在基板表面上形成涂布膜。多个液体处理模块1120可以设置在腔室1100中。

4、气体供应单元1300将温度和/或湿度受控的气体g供应到腔室1110中的空间，使得由液体处理模块1120形成的涂布膜可以以均匀的厚度形成。气体供应单元1300包括主管道1310和从主管道1310接收气体g并将气体g供应到腔室1110中的气体供应箱1320。气体供应箱1320中的空间与腔室1110中的空间流体连通。

5、一个基板处理装置1000包括多个处理单元1100。气体供应箱1320设置成对应于多个处理单元1100的每一个。主供应管道1310被分支出以将气体g供应至每个气体供应箱1320。

6、考虑到半导体生产线的空间，所述多个处理单元1100彼此堆叠，并且在竖直方向上布置。所述多个处理单元1100中的另一个基部111可以设置在气体供应箱1320的上方，用于向所述多个处理单元1100中的任意一个处理单元供应气体g。

7、同时，用于处理基板的液体处理模块1120设置在处理单元1100的腔室1100中，如上所述。液体处理模块1120包括各种发电装置，用于执行处理基板的操作。例如，液体处理模块1120包括电机或汽缸等发电装置。所述发电装置在发电的过程中产生热量。发电装置产生的热量传递到腔室1110的基部1111。传递到基部1111的热量被传递到设置在基部1111下方的气体供应箱1320。传递到气体供应箱1320的热量加热供应到气体供应箱1320的气体g。

8、图2为图1中任一气体供应箱的俯视图。如图2所示，在气体供应箱1320中，靠近主管道1310的区域(图2中的区域a)的气体(g)温度和远离主管道1310的区域(图2中的区域b)的气体(g)温度可以彼此不同。当气体g被引入气体供应箱1320时，气体g在从区域a向区域b的方向上运动，气体g在从区域a向区域b的方向上的运动的过程中不断被加热。因此，区域b中的气体(g)温度可以高于区域a中的气体(g)温度。从气体供应箱1320的区域b导入腔室1100的气体g的温度较高，从气体供应箱1320的区域a导入腔室1100的气体g的温度较低。例如，通过气体供应箱1320供应到腔室1100中的气体g的温度可以取决于腔室1100中的区域而变化。

9、供应到腔室110中的气体g的温度的不均匀性影响形成在基板上的涂布膜的厚度。例如，由靠近主导管1310的液体处理模块1120形成的涂布膜的厚度可以不同于远离主导管1310的液体处理模块1120形成的涂布膜的厚度。此外，在基板上形成的涂布膜的厚度也可能不均匀。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供能够有效地处理基板的气体供应单元和包括所述气体供应单元的基板处理装置。

2、此外，本发明的目的在于提供一种气体供应单元以及包括所述气体供应单元的基板处理装置，所述气供应给单元能够使供应到腔室的处理空间的气体的温度比较均匀。

3、此外，本发明的目的在于提供一种气体供应单元，其能够改善在包括所述气体供应单元的基板处理装置上形成的涂布膜的均匀性。

4、本发明要解决的问题不限于上述问题，本领域技术人员从以下描述中可以明显地理解其他未提及的技术问题。

5、本发明的示例性实施例提供一种用于处理基板的装置。基板处理装置包括：处理基板的处理单元；以及气体供应单元，所述气体供应单元将气体供应至所述处理单元，其中所述气体供应单元包括第一壳体、第二壳体以及气体供应管道，所述第一壳体具有与所述处理单元的处理空间流体连通的第一内部空间，所述第二壳体设置在所述第一内部空间中并具有与所述第一内部空间流体连通的第二内部空间，所述气体供应管道将气体供应至所述第二内部空间。

6、根据示例性实施例，所述第二壳体可包括喷射单元和管道单元，所述喷射单元具有至少一个孔，所述至少一个孔供所述气体从中流动，所述管道单元布置在所述喷射单元和所述气体供应管道之间，并且具有连接到所述喷射单元一个端部。

7、根据示例性实施例，多个孔可以形成在所述喷射单元中。

8、根据示例性实施例，所述喷射单元可以设置在所述第一内部空间的中心区域处。

9、根据示例性实施例，所述喷射单元可以具有圆柱形，并且所述孔可以形成在所述喷射单元的侧部。

10、根据示例性实施例，所述处理单元可包括第一处理单元和设置在所述第一处理单元下方的第二处理单元，第一壳体和第二壳体可以设置在所述第一处理单元和所述第二处理单元之间。

11、根据示例性实施例，所述第一壳体可以安装成使得顶表面与所述第一处理单元的底表面间隔开。

12、根据示例性实施例，所述气体供应单元还包括由绝热材料制成的固定装置，所述固定装置将所述第一壳体固定到所述第一处理单元。

13、根据示例性实施例，所述气体供应单元还包括绝热垫，所述绝热垫安装在所述第一壳体和所述第一处理单元之间，并由绝热材料制成。

14、根据示例性实施例，所述气体供应单元还包括流速控制风门，其控制向所述处理空间供应的气体的单位时间的供应流速。

15、此外，本发明的另一示例性实施例提供一种气体供应单元，其将温度或湿度受控的气体供应至处理基板的处理单元。所述气体供应单元可以包括：气体供应壳体，其具有双腔室结构，并且具有与所述处理单元的处理空间流体连通的内部空间；以及气体供应管道，其将气体供应至所述气体供应壳体。

16、根据示例性实施例，所述气体供应壳体可以包括具有第一壳体和第二壳体，所述第一壳体具有第一内部空间，其中在所述第一壳体的面向所述处理空间的表面上形成使所述第一内部空间和所述处理空间彼此流体连通的至少一个穿孔，所述第二壳体设置在所述第一内部空间中，且具有第二内部空间，气体由气体供应管道引入至所述第二内部空间。

17、根据示例性实施例，所述第二壳体可包括喷射单元和管道单元，所述喷射单元具有使所述第二内部空间和所述第一内部空间彼此流体连通的至少一个孔，所述管道单元设置在所述喷射单元和所述气体供应管道之间。

18、根据示例性实施例，所述孔可以形成在所述喷射单元的上部、侧部和下部。

19、根据示例性实施例，气体供应单元还可以包括过滤器，所述过滤器设置在所述穿孔和所述第二壳体之间并过滤气体。

20、根据示例性实施例，所述气体供应单元还包括流速控制风门，其控制向所述处理空间供应的气体的单位时间的供应流速。

21、此外，本发明的另一示例性实施例提供一种用于处理基板的装置。所述基板处理装置可以包括：处理单元，其通过将涂布液体供应至基板而在所述基板上形成液体层；和气体供应单元，其将气体供应至所述处理单元，其中所述处理单元可以包括具有处理空间的腔室，具有上部打开的圆柱形的碗部，将所述基板支撑在所述碗中的卡盘，旋转所述卡盘的驱动器，将所述涂布液体供应到支撑在所述卡盘上的所述基板的喷嘴，以及排放引入到所述碗部中的气体的排放管，并且所述气体供应单元包括气体供应壳体，所述气体供应壳体具有双腔室结构，并且具有与所述处理空间流体连通的内部空间，以及气体供应管道，其将气体供应至所述内部空间。

22、根据示例性实施例，所述气体供应壳体可以包括第一壳体、第二壳体，所述第一壳体具有与所述处理空间流体连通的第一内部空间，所述第二壳体设置在所述第一内部空间中，并具有与所述第一内部空间流体连通的第二内部空间，并且所述第二壳体包括喷射单元，所述喷射单元具有至少一个孔，所述至少一个孔供所述气体从中流动，以及管道单元，所述管道单元设置在所述喷射单元与所述气体供应管道之间，并且具有连接至所述喷射单元的一个端部，以及所述喷射单元设置在所述第一内部空间的中心区域处。

23、根据示例性实施例，可以提供多个处理单元，并且可以提供多个气体供应壳体。

24、根据示例性实施例，所述气体供应管道可以构造成将气体供应至至少两个气体供应壳体。

25、根据本发明的示例性实施例，可以有效地处理基板。

26、此外，根据本发明的示例性实施例，供应到腔室的处理空间的气体的温度可以比较均匀。

27、此外，根据本发明的示例性实施方式，可以改善形成在基板上的涂布膜的均匀性。

28、本发明的效果不限于前述效果，本领域技术人员根据本说明书和附图将清楚地理解未提及的效果。