1.一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该隔离绝缘层(15)还同时覆盖该半导体有源层(131)，该隔离绝缘层(15)在蚀刻后所具有的图案与该数据线、该源极(141)、该漏极(142)和该半导体有源层(131)四者一起构成的图案相同。
3.如权利要求2所述的金属氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该金属氧化物薄膜晶体管阵列基板还包括：
4.如权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该隔离绝缘层(15)在蚀刻后所具有的图案与该数据线、该源极(141)和该漏极(142)三者一起构成的图案相同。
5.如权利要求4所述的金属氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该金属氧化物薄膜晶体管阵列基板还包括：
6.一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
7.如权利要求6所述的金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该制作方法还包括：
8.一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
9.如权利要求8所述的金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该制作方法还包括：
10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的金属氧化物薄膜晶体管阵列基板。