一种低温多晶硅显示面板的制作方法

1.本实用新型涉及显示技术，尤其涉及一种低温多晶硅显示面板。


背景技术：

2.低温多晶硅(low temperature poly-silicon；简称ltps)显示面板在封装过程中，利用准分子镭射作为热源，镭射光经过投射系统后，会产生能量均匀分布的镭射光束，投射于非晶硅结构的有源层上，非晶硅结构的有源层在吸收准分子镭射的能量后，会转变成为多晶硅结构。
3.低温多晶硅具有高迁移率，及制作的晶体管尺寸比非晶硅小等优势，而得到了非常广泛的应用。但是，常见的低温多晶硅显示面板，膜层数量较多，制程所需的光罩掩模板的数量也多，不仅增加了企业的研发成本，同时也增加工厂的投入生产时间，所以，减少低温多晶硅显示面板的光罩掩模板数量对提升企业竞争力有积极促进作用。
4.如图1所示，现有的低温多晶硅显示面板包括：玻璃基板1’、遮光层2’、缓冲层3’、多晶硅层4’、层间绝缘层5’、栅电极层6’、栅绝缘层7’、源漏电极82’层8’、平坦层9’、公共电极层10’、钝化层11’和像素电极层12’，其中，所述多晶硅层4’包括沟道区41’、第一轻掺杂区42’和第二轻掺杂区43’，所述源漏电极82’层8’包括源电极81’和漏电极82’，所述平坦层9’和钝化层11’上开设有第一过孔13’，所述像素电极层12’通过所述第一过孔13’与所述漏电极82’相连接，所述层间绝缘层5’和栅绝缘层7’开设有与所述源电极81’和漏电极82’分别对应的两个第二过孔14’，所述源电极81’和漏电极82’通过对应的第二过孔14’与所述多晶硅层4’的第二轻掺杂区43’相连接。在制备该低温多晶硅显示面板时，各膜层的图案化需要使用对应的光罩掩模板来进行，所述第一过孔13’和第二过孔14’的制作也各需要使用对应的光罩掩模板来进行，整个制程需要的光罩掩模板数量过多。
5.在专利号为cn202010514729.6、cn201410853697.7和cn201510936669.6等中国专利中均公开了通过对低温多晶硅显示面板的结构或工艺进行优化，以减少光罩掩模板的数量，但是上述结构或工艺优化会使得低温多晶硅显示面板的结构或工艺变得更加复杂，实际上增加了低温多晶硅显示面板的制作难度。


技术实现要素：

6.为了解决上述现有技术的不足，本实用新型提供一种低温多晶硅显示面板，可降低制作时所需的光罩掩模板的数量。
7.本实用新型所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：
8.一种低温多晶硅显示面板，包括衬底及设置于所述衬底上的多晶硅tft器件，所述多晶硅tft器件包括漏电极，还包括设置于所述多晶硅tft器件上的像素电极层、设置于所述像素电极层上的钝化层及设置于所述钝化层上的公共电极层；所述像素电极层与所述多晶硅tft器件的漏电极相连接。
9.进一步地，还包括设置于所述多晶硅tft器件和像素电极层之间的平坦层，所述平
坦层上开设有与所述多晶硅tft器件的漏电极相对应的第一过孔，所述像素电极层通过所述第一过孔与所述多晶硅tft器件的漏电极相连接。
10.进一步地，还包括设置于所述像素电极层和钝化层之间的平坦层。
11.进一步地，所述多晶硅tft器件包括多晶硅层、设置于所述多晶硅层上的层间绝缘层、设置于所述层间绝缘层上的栅电极层、设置于所述栅电极层上的栅绝缘层及设置于所述栅绝缘层上的源漏电极层，其中，所述源漏电极层包括源电极和漏电极，所述层间绝缘层和栅绝缘层开设有与所述源电极和漏电极分别对应的两个第二过孔，所述源电极和漏电极通过对应的第二过孔与所述多晶硅层相连接。
12.进一步地，所述多晶硅层包括沟道区、第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，所述源电极和漏电极与所述多晶硅层的第二轻掺杂区相连接。
13.进一步地，所述层间绝缘层、栅绝缘层和钝化层为氮氧化合物。
14.进一步地，所述栅电极层和源漏电极层为金属。
15.进一步地，还包括设置于所述衬底和多晶硅tft器件之间的遮光层和缓冲层。
16.进一步地，所述缓冲层为二氧化硅或氮氧化硅。
17.进一步地，所述衬底为玻璃基板。
18.本实用新型具有如下有益效果：该低温多晶硅显示面板将所述像素电极层和公共电极层的上下位置互换，将所述像素电极层设置于所述钝化层的下方，将所述公共电极层设置于所述钝化层的上方，这样所述像素电极层仅需穿过所述平坦层与所述多晶硅tft器件的漏电极连接，而无需穿过所述钝化层，制作时仅需在所述平坦层上开设所述第一过孔以供所述像素电极层与所述多晶硅tft器件的漏电极连接，而无需在所述钝化层上开设任何过孔，节省了在所述钝化层上开孔所需的光罩掩模板，相比于现有技术，制程所需的光罩掩模板的数量少了一道，成本得到了降低，结构和工艺也与现有的结构和工艺接近。
附图说明
19.图1为现有的低温多晶硅显示面板的示意图；
20.图2为本实用新型提供的低温多晶硅显示面板的示意图；
21.图3为本实用新型提供的另一低温多晶硅显示面板的示意图。
具体实施方式
22.下面结合附图和实施例对本实用新型进行详细的说明，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
23.在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
24.此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相
对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
25.在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”、“设置”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
26.实施例一
27.如图2所示，一种低温多晶硅显示面板，包括衬底1、设置于所述衬底1上的多晶硅tft器件、设置于所述多晶硅tft器件上的平坦层9、设置于所述平坦层9上的像素电极层12、设置于所述平坦层9和像素电极层12上的钝化层11及设置于所述钝化层11上的公共电极层10，所述多晶硅tft器件包括漏电极82，所述平坦层9上开设有与所述多晶硅tft器件的漏电极82相对应的第一过孔13，所述像素电极层12通过所述第一过孔13与所述多晶硅tft器件的漏电极82相连接。
28.该低温多晶硅显示面板将所述像素电极层12和公共电极层10的上下位置互换，将所述像素电极层12设置于所述钝化层11的下方，将所述公共电极层10设置于所述钝化层11的上方，这样所述像素电极层12仅需穿过所述平坦层9与所述多晶硅tft器件的漏电极82连接，而无需穿过所述钝化层11，制作时仅需在所述平坦层9上开设所述第一过孔13以供所述像素电极层12与所述多晶硅tft器件的漏电极82连接，而无需在所述钝化层11上开设任何过孔，节省了在所述钝化层11上开孔所需的光罩掩模板，相比于现有技术，制程所需的光罩掩模板的数量少了一道，成本得到了降低，结构和工艺也与现有的结构和工艺接近。
29.该低温多晶硅显示面板的制作方法如下：
30.第一步：在所述衬底1上制作所述多晶硅tft器件；
31.第二步：在所述多晶硅tft器件上敷设一层oc胶，采用光罩掩模板对所述oc胶进行图案化，形成所述平坦层9；
32.第三步：采用光罩掩模板在所述平坦层9上开设所述第一过孔13；
33.第四步：在所述平坦层9上敷设一层ito，采用光罩掩模板对所述ito进行图案化，形成所述像素电极层12；
34.第五步：在所述平坦层9和像素电极层12上敷设一层氮氧化合物，采用光罩掩模板对所述氮氧化合物进行图案化，形成所述钝化层11；
35.第六步：在所述钝化层11上敷设一层ito，采用光罩掩模板对所述ito进行图案化，形成所述公共电极层10。
36.除了制作所述多晶硅tft器件所需的光罩掩模板之外，上述过程中仅需五道光罩掩模板，更优的，制作所述第一过孔13的光罩掩模板的过孔图案可以集成到图案化所述平坦层的光罩掩模板中，即所述oc胶在采用同一道光罩掩模板同时进行图案化及开设所述第一过孔13，这样制程上就可以节省掉上述的第三步，进一步节省了单独在所述平坦层9上开孔所需的光罩掩模板，仅需四道光罩掩模板。
37.本实施例中，所述衬底1为玻璃基板，所述平坦层9为oc胶，所述钝化层11为氮氧化
合物，所述像素电极层12和公共电极层10为ito，在具体实现时，所述衬底1、平坦层9、钝化层11、像素电极层12和公共电极层10也可以采用其他材质。
38.所述多晶硅tft器件包括多晶硅层4、设置于所述多晶硅层4上的层间绝缘层5、设置于所述层间绝缘层5上的栅电极层6、设置于所述栅电极层6上的栅绝缘层7及设置于所述栅绝缘层7上的源漏电极层8，其中，所述源漏电极层8包括源电极81和漏电极82，所述层间绝缘层5和栅绝缘层7开设有与所述源电极81和漏电极82分别对应的两个第二过孔14，所述源电极81和漏电极82通过对应的第二过孔14与所述多晶硅层4相连接。
39.所述多晶硅tft器件的制作方法如下：
40.s100：在所述衬底1上敷设一层多晶硅，采用光罩掩模板对所述多晶硅进行图案化，形成所述多晶硅层4；
41.s200：在所述衬底1和多晶硅层4上敷设一层氮氧化合物，采用光罩掩模板对所述氮氧化合物进行图案化，形成所述层间绝缘层5；
42.s300：在所述层间绝缘层5上敷设一层金属，采用光罩掩模板对所述金属进行图案化，形成所述栅电极层6；
43.s400：在所述层间绝缘层5和栅金属层6上敷设一层氮氧化合物，采用光罩掩模板对所述氮氧化合物进行图案化，形成所述栅绝缘层7；
44.s500：采用光罩掩模板在所述层间绝缘层5和栅绝缘层7上开设所述第二过孔14；
45.s600：在所述栅绝缘层7上敷设一层金属，采用光罩掩模板对所述金属进行图案化，形成所述源漏电极层8。
46.其中，所述多晶硅层4包括沟道区41、第一轻掺杂区42和第二轻掺杂区43，所述源电极81和漏电极82与所述多晶硅层4的第二轻掺杂区43相连接。
47.本实施例中，所述层间绝缘层5和栅绝缘层7为氮氧化合物，所述栅电极层6和源漏电极层8为金属，在具体实现时，所述层间绝缘层5、栅绝缘层7、栅电极层6和源漏电极层8也可以采用其他材质。
48.实施例二
49.如图3所示，一种低温多晶硅显示面板，包括衬底1、设置于所述衬底1上的多晶硅tft器件、设置于所述多晶硅tft器件上的像素电极层12、设置于所述多晶硅tft器件和像素电极层12上的平坦层9、设置于所述平坦层9上的钝化层11及设置于所述钝化层11上的公共电极层10，所述多晶硅tft器件包括漏电极82，所述像素电极层12与所述多晶硅tft器件的漏电极82相连接。
50.该低温多晶硅显示面板相较于实施例一，在将所述将所述像素电极层12和公共电极层10的上下位置互换时，直接将所述像素电极层12设置于所述平坦层9的下方，将所述公共电极层10设置于所述钝化层11的上方，这样所述像素电极层12可直接在所述多晶硅tft器件的表面上与所述多晶硅tft器件的漏电极82连接，而无需穿过所述平坦层9和钝化层11，制作时无需在所述平坦层9和钝化层11上开设任何过孔，直接节省了分别在所述平坦层9和钝化层11上开孔所需的光罩掩模板，相比于现有技术，制程所需的光罩掩模板的数量少了两道，成本得到了降低，结构和工艺也与现有的结构和工艺接近。
51.该低温多晶硅显示面板的制作方法如下：
52.第一步：在所述衬底1上制作所述多晶硅tft器件；
53.第二步：在所述平坦层9上敷设一层ito，采用光罩掩模板对所述ito进行图案化，形成所述像素电极层12；
54.第三步：在所述多晶硅tft器件上敷设一层oc胶，采用光罩掩模板对所述oc胶进行图案化，形成所述平坦层9；
55.第四步：在所述多晶硅tft器件和像素电极层12上敷设一层氮氧化合物，采用光罩掩模板对所述氮氧化合物进行图案化，形成所述钝化层11；
56.第五步：在所述钝化层11上敷设一层ito，采用光罩掩模板对所述ito进行图案化，形成所述公共电极层10。
57.除了制作所述多晶硅tft器件所需的光罩掩模板之外，上述过程中仅需四道光罩掩模板。
58.本实施例中，所述衬底1为玻璃基板，所述平坦层9为oc胶，所述钝化层11为氮氧化合物，所述像素电极层12和公共电极层10为ito，在具体实现时，所述衬底1、平坦层9、钝化层11、像素电极层12和公共电极层10也可以采用其他材质。
59.所述多晶硅tft器件包括多晶硅层4、设置于所述多晶硅层4上的层间绝缘层5、设置于所述层间绝缘层5上的栅电极层6、设置于所述栅电极层6上的栅绝缘层7及设置于所述栅绝缘层7上的源漏电极层8，其中，所述源漏电极层8包括源电极81和漏电极82，所述层间绝缘层5和栅绝缘层7开设有与所述源电极81和漏电极82分别对应的两个第二过孔14，所述源电极81和漏电极82通过对应的第二过孔14与所述多晶硅层4相连接。
60.所述多晶硅tft器件的制作方法如下：
61.s100：在所述衬底1上敷设一层多晶硅，采用光罩掩模板对所述多晶硅进行图案化，形成所述多晶硅层4；
62.s200：在所述衬底1和多晶硅层4上敷设一层氮氧化合物，采用光罩掩模板对所述氮氧化合物进行图案化，形成所述层间绝缘层5；
63.s300：在所述层间绝缘层5上敷设一层金属，采用光罩掩模板对所述金属进行图案化，形成所述栅电极层6；
64.s400：在所述层间绝缘层5和栅金属层6上敷设一层氮氧化合物，采用光罩掩模板对所述氮氧化合物进行图案化，形成所述栅绝缘层7；
65.s500：采用光罩掩模板在所述层间绝缘层5和栅绝缘层7上开设所述第二过孔14；
66.s600：在所述栅绝缘层7上敷设一层金属，采用光罩掩模板对所述金属进行图案化，形成所述源漏电极层8。
67.其中，所述多晶硅层4包括沟道区41、第一轻掺杂区42和第二轻掺杂区43，所述源电极81和漏电极82与所述多晶硅层4的第二轻掺杂区43相连接。
68.本实施例中，所述层间绝缘层5和栅绝缘层7为氮氧化合物，所述栅电极层6和源漏电极层8为金属，在具体实现时，所述层间绝缘层5、栅绝缘层7、栅电极层6和源漏电极层8也可以采用其他材质。
69.实施例三
70.作为实施例一或实施例二的优化方案，如图2和3所示，本实施例中的低温多晶硅显示面板还包括设置于所述衬底1和多晶硅tft器件之间的遮光层2和缓冲层3。
71.该低温多晶硅显示面板的制作方法在所述衬底1上制作所述多晶硅tft器件之前
还包括如下步骤：
72.在所述衬底1上敷设一层遮光油墨，采用光罩掩模板对所述遮光油墨进行图案化，形成所述遮光层2；
73.在所述衬底1和遮光层2上敷设一层二氧化硅或氮氧化硅，采用光罩掩模板对所述二氧化硅或氮氧化硅进行图案化，形成所述缓冲层3。
74.本实施例中，所述缓冲层3为二氧化硅或氮氧化硅，在具体实现时，所述缓冲层3也可以采用其他材质。
75.最后需要说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型实施例的技术方案而非对其进行限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型实施例进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解依然可以对本实用新型实施例的技术方案进行修改或者等同替换，而这些修改或者等同替换亦不能使修改后的技术方案脱离本实用新型实施例技术方案的范围。