一种载盘的制作方法

1.本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种载盘。


背景技术：

2.晶圆在生产加工的过程中，需要使用icp机台进行刻蚀，晶圆放置在icp机台内的载盘上，然后对晶圆进行刻蚀。
3.现有技术当中，通过气缸作为动力将载盘的边缘压住以维持气密性，如此会导致载盘与铝盘之间的气密性较差，并且现有技术中，压环的高度高于晶圆表面大约4mm，在刻蚀时等离子体气流会因高度差，使得刻蚀出的pss图形因刻蚀率产生差异歪斜的现象。


技术实现要素：

4.基于此，本实用新型的目的是提供一种载盘，其目的在于以至少解决现有技术中的不足。
5.本实用新型提供以下技术方案，一种载盘，包括：
6.载盘本体；
7.压环，设置在所述载盘本体的上方，所述压环上设置有容纳槽；
8.进气口，设置在所述载盘本体上；
9.铝盘，设置在所述容纳槽内，所述铝盘的顶部表面低于所述压环的顶部表面，所述铝盘与所述载盘本体之间设有间隙，所述铝盘用于承载所述晶圆；
10.第一密封圈，设置在所述间隙内，所述第一密封圈设置在所述铝盘底部边缘，所述第一密封圈用于密封所述间隙。
11.与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：通过在铝盘与载盘本体之间设置第一密封圈，在通过往进气口注入氦气时，此时第一密封圈将铝盘与载盘本体之间密封起来，避免了氦气泄露，提升铝盘与载盘本体之间的气密性，通过在压环上设置容纳槽，铝盘设置在容纳槽内，铝盘在承载晶圆时，由于铝盘设置在容纳槽内，且铝盘的顶部表面低于压环的顶部表面，因此晶圆在放置在铝盘上时，晶圆的表面与压环的表面齐平，不会产生高度差，从而能够避免在刻蚀时等离子体气流会因高度差，使得刻蚀出的pss图形因刻蚀率产生差异歪斜的现象。
12.进一步的，所述载盘本体顶部设置有凸台，所述第一密封圈设置在所述凸台顶部边缘，所述进气口设置在所述凸台上。
13.进一步的，所述容纳槽的两侧呈台阶型设置。
14.进一步的，所述凸台的宽度大于所述容纳槽顶部的宽度。
15.进一步的，所述铝盘的宽度大于所述容纳槽顶部的宽度。
16.进一步的，所述载盘本体底部边缘设置有第二密封圈。
17.进一步的，所述第一密封圈与所述第二密封圈均呈环状设置。
18.进一步的，所述铝盘顶部与所述压环顶部之间的高度为预设值。
19.进一步的，所述压环采用陶瓷制成。
附图说明
20.图1为本实用新型的压环与载盘本体的剖面图；
21.图2为本实用新型的压环的俯视图。
22.主要元件符号说明：
23.载盘本体10凸台11进气口12第一密封圈13铝盘14压环20容纳槽21第二密封圈30
24.如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本实用新型。
具体实施方式
25.为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的若干实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容更加透彻全面。
26.需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
27.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
28.请参阅图1至图2，所示为本实用新型实施例中的载盘，包括载盘本体10、压环20、进气口12、第一密封圈13以及铝盘14。
29.所述压环20设置在所述载盘本体10的上方，所述压环20上设置有容纳槽 21，所述进气口12设置在所述载盘本体10上，所述铝盘14设置在所述载盘本体10上，所述铝盘14设置在所述容纳槽内，所述铝盘14的顶部表面低于所述压环20的顶部表面，所述铝盘14与所述载盘本体10之间设有间隙，所述第一密封圈13设置在所述载盘本体10与所述铝盘14之间的所述间隙内，所述第一密封圈13设置有在所述铝盘14底部边缘。
30.可以理解的是，铝盘14用于放置晶圆，由于铝盘14的顶部表面低于压环 20的顶部表面，铝盘14顶部表面与压环顶部表面20之间的预设一个值，根据晶圆的厚度来定，由于晶圆的厚度一般为4mm，在本实施例中，铝盘14与压环 20之间的高度为4mm，因此当铝盘14承载晶圆时，晶圆的表面与压环20的表面齐平，从而能够避免压环20与晶圆之间产生高度差，防止在刻蚀过程中因电浆气流撞击压环20容纳槽21的侧壁后改变流场，因此当压环20与晶圆表面齐平时，使得流场能不受压环20的结构限制，均匀的在压环20的整个水平面进行刻蚀，避免了在刻蚀时等离子体气流会因高度差，使得刻蚀出的pss图形因刻蚀率产生差异歪
斜的现象，从而使得晶圆刻蚀的图形能够维持对称，进而降低外延厂长晶时的缺陷。根据晶圆的厚度不同，可以调节铝盘14顶部表面与压环20顶部表面之间的高度，提升该载盘结构的适用性。在往进气口12内充入氦气时，此时氦气进入铝盘14与载盘本体10之间，此时通过第一密封圈13将载盘本体10与铝盘14之间的间隙进行密封，避免氦气泄露，维持了载盘本体 10与铝盘14之间的密封性，使得氦气能够高效的对晶圆进行散热，进而能够提升产品的稳定性与可塑性。
31.需要解释的是，载盘本体10的面积是大于压环20的，因此载盘本体10能够承载更多的晶圆，相比于常用的载盘承载8片晶圆，如图2所示，该载盘本体10能够承载9片晶圆。
32.具体的，压环20采用陶瓷制成，陶瓷本身具备耐高温，性质稳定，因此使用陶瓷作为制成压环20的材质，使得压环20在晶圆刻蚀过程中不会影响刻蚀过程。
33.请参阅图1，在本实施例中，所述载盘本体10顶部设置有凸台11，所述第一密封圈13设置在所述凸台11顶部边缘，所述进气口12设置在所述凸台11 上，通过如此设置，凸台11与压环20上的容纳槽21相互适配，由于压环20 是由气缸带动进行升降，因此凸台11能够进入至压环20上的容纳槽21的底部，从而使得铝盘14能够进入至容纳槽21内。
34.请参阅图1，在本实施例中，所述容纳槽21的两侧呈台阶型设置，所述凸台11的宽度大于所述容纳槽21顶部的宽度，所述铝盘14的宽度大于所述容纳槽21顶部的宽度，通过如此的设置，当气缸带动压环20进行升降时，由于铝盘14的宽度是大于容纳槽21的顶部的宽度的，因此可以避免铝盘14穿过容纳槽21，有效的防止了铝盘14出现在压环20的上方，因此凸台11与铝盘14的宽度大于容纳槽21顶部的宽度，起到限位的作用。
35.请参阅图1，在本实施例中，所述载盘本体10的底部边缘设置有第二密封圈30，有效的提升了载盘本体10与刻蚀机台的载台之间的密封性。
36.具体的，第一密封圈13与第二密封圈30均呈环状设置，进气口12的位置设置在第一密封圈13靠内的位置，使得往进气口12内注入的氦气，能够始终在第一密封圈13内，进而使得第一密封圈13能够有效的将铝盘14与载盘本体 10之间的间隙进行密封。
37.综上，本实用新型上述实施例当中的载盘，通过在铝盘14与载盘本体10 之间设置第一密封圈13，能够有效的提升载盘本体10与铝盘14之间的间隙的气密性，在往进气口12通入氦气时，氦气能够有效的对铝盘14上刻蚀的晶圆进行降温，通过将铝盘14设置在容纳槽21内，铝盘14的顶部表面低于压环20 的顶部表面，当铝盘14上承载晶圆时，晶圆于压环20的表面齐平，避免压环 20与晶圆之间产生高度差，放置在刻蚀过程中因电浆气流撞击压环20容纳槽 21的侧壁后改变流场，因此当压环20与晶圆表面齐平时，使得流场能不受压环 20的结构限制，均匀的在压环20的整个水平面进行刻蚀，避免了在刻蚀时等离子体气流会因高度差，使得刻蚀出的pss图形因刻蚀率产生差异歪斜的现象，从而使得晶圆刻蚀的图形能够维持对称，进而降低外延厂长晶时的缺陷。
38.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
39.以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，
但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。