功率MOS器件封装结构的制作方法

功率mos器件封装结构
技术领域
1.本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种功率mos器件封装结构。


背景技术：

2.功率mos场效应管的使用和发展已经有多年的历史，其设计和制造方法一直在不断地改进，从性能上，主要朝着高耐压、低导通电阻、高频率、高可靠性的方向发展。但随着市场竞争的日趋激烈，对于功率mos场效应管的要求越来越高，传统的mos器件封装结构支撑子片与环氧封装体容易出现分层，从而影响器件的结构稳定性。


技术实现要素：

3.本实用新型的目的是提供一种功率mos器件封装结构，该功率mos器件封装结构提高了环氧封装体与环氧封装体的结合力，避免支撑子片与环氧封装体之间的分层，从而改善了器件的结构稳定性。
4.为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种功率mos器件封装结构，包括：mos芯片、金属支撑片、栅极引脚、漏极引脚和源极引脚，所述漏极引脚由首尾连接的焊接条区和引脚条区组成，位于所述mos芯片上表面的栅极区和源极区分别通过第一金属线和第二金属线电连接到栅极引脚和源极引脚各自的焊接端，一环氧封装体包覆于mos芯片、金属支撑片和栅极引脚、漏极引脚和源极引脚各自的焊接端上；
5.位于所述mos芯片下表面的漏极区通过导电焊膏层与一陶瓷片上表面连接，所述漏极引脚的焊接条区位于导电焊膏层内，漏极引脚的引脚条区位于栅极引脚和源极引脚之间；
6.所述金属支撑片进一步包括支撑子片和外延伸子片，位于所述陶瓷片下表面的凸起块嵌入支撑子片的贯通区并从贯通区内延伸出，所述金属支撑片的外延伸子片位于环氧封装体外侧，所述陶瓷片的凸起块底面与环氧封装体底面齐平，所述金属支撑片的支撑子片上表面和下表面分别设置有上凸点和下凸点。
7.上述技术方案中进一步改进的方案如下：
8.1. 上述方案中，所述外延伸子片上开有一圆形通孔。
9.2. 上述方案中，所述支撑子片和外延伸子片的相邻区两侧均设置有一缺口槽。
10.3. 上述方案中，所述陶瓷片的凸起块形状为方形或者圆形。
11.4. 上述方案中，所述栅极引脚和源极引脚的宽度为1~2mm。
12.由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：
13.本实用新型功率mos器件封装结构，其金属支撑片进一步包括支撑子片和外延伸子片，金属支撑片的外延伸子片位于环氧封装体外侧，金属支撑片的支撑子片上表面和下表面分别设置有上凸点和下凸点，提高了环氧封装体与环氧封装体的结合力，避免支撑子片与环氧封装体之间的分层，从而改善了器件的结构稳定性；还有，其进一步通过在陶瓷片下表面设置凸起块，此凸起块嵌入支撑子片的贯通区并从贯通区内延伸出，陶瓷片的凸起
块底面与环氧封装体底面齐平改进，能快速将mos芯片的热量传导到外界，从而延长了器件的使用寿命。
附图说明
14.附图1为本实用新型功率mos器件封装结构的整体结构示意图；
15.附图2为本实用新型功率mos器件封装结构的剖面正视图；
16.附图3为本实用新型功率mos器件封装结构的内部结构立体图；
17.附图4为本实用新型功率mos器件封装结构的局部结构示意图。
18.以上附图中：1、mos芯片；101、栅极区；102、源极区；103、漏极区；2、金属支撑片；201、贯通区；3、栅极引脚；4、漏极引脚；41、焊接条区；42、引脚条区；5、源极引脚；61、第一金属线；62、第二金属线；7、导电焊膏层；8、陶瓷片；81、凸起块；9、环氧封装体；10、支撑子片；11、外延伸子片；111、圆形通孔；121、上凸点；122、下凸点；13、缺口槽。
具体实施方式
19.在本专利的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制；术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利的具体含义。
20.下面结合实施例对本实用新型作进一步描述：
21.实施例1：一种功率mos器件封装结构，包括：mos芯片1、金属支撑片2、栅极引脚3、漏极引脚4和源极引脚5，所述漏极引脚4由首尾连接的焊接条区41和引脚条区42组成；
22.位于所述mos芯片1上表面的栅极区101和源极区102分别通过第一金属线61和第二金属线62电连接到栅极引脚3和源极引脚5各自的焊接端，一环氧封装体9包覆于mos芯片1、金属支撑片2和栅极引脚3、漏极引脚4和源极引脚5各自的焊接端上；
23.位于所述mos芯片1下表面的漏极区103通过导电焊膏层7与一陶瓷片8上表面连接，所述漏极引脚4的焊接条区41位于导电焊膏层7内，漏极引脚4的引脚条区42位于栅极引脚3和源极引脚5之间；
24.所述金属支撑片2进一步包括支撑子片10和外延伸子片11，位于所述陶瓷片8下表面的凸起块81嵌入支撑子片10的贯通区201并从贯通区201内延伸出，所述陶瓷片8的凸起块81底面与环氧封装体9底面齐平；能快速将mos芯片的热量传导到外界，从而延长了器件的使用寿命；
25.所述金属支撑片2的外延伸子片11位于环氧封装体9外侧，所述金属支撑片2的支撑子片10上表面和下表面分别设置有上凸点121和下凸点122；提高了环氧封装体与环氧封装体的结合力，避免支撑子片10与环氧封装体之间的分层，从而改善了器件的结构稳定性。
26.上述外延伸子片11上开有一圆形通孔111。
27.上述支撑子片10和外延伸子片11的相邻区两侧均设置有一缺口槽13。
28.上述陶瓷片8的凸起块81形状为方形。
29.上述栅极引脚3和源极引脚5的宽度为1.2mm。
30.上述金属支撑片2的贯通区201形状为方形。
31.实施例2：一种功率mos器件封装结构，包括：mos芯片1、金属支撑片2、栅极引脚3、漏极引脚4和源极引脚5，所述漏极引脚4由首尾连接的焊接条区41和引脚条区42组成；
32.位于所述mos芯片1上表面的栅极区101和源极区102分别通过第一金属线61和第二金属线62电连接到栅极引脚3和源极引脚5各自的焊接端，一环氧封装体9包覆于mos芯片1、金属支撑片2和栅极引脚3、漏极引脚4和源极引脚5各自的焊接端上；
33.位于所述mos芯片1下表面的漏极区103通过导电焊膏层7与一陶瓷片8上表面连接，所述漏极引脚4的焊接条区41位于导电焊膏层7内，漏极引脚4的引脚条区42位于栅极引脚3和源极引脚5之间；
34.所述金属支撑片2进一步包括支撑子片10和外延伸子片11，位于所述陶瓷片8下表面的凸起块81嵌入支撑子片10的贯通区201并从贯通区201内延伸出，所述金属支撑片2的外延伸子片11位于环氧封装体9外侧，所述陶瓷片8的凸起块81底面与环氧封装体9底面齐平；
35.所述金属支撑片2的支撑子片10上表面和下表面分别设置有上凸点121和下凸点122；提高了环氧封装体与环氧封装体的结合力，避免支撑子片10与环氧封装体之间的分层，从而改善了器件的结构稳定性。
36.上述外延伸子片11上开有一圆形通孔111。
37.上述支撑子片10和外延伸子片11的相邻区两侧均设置有一缺口槽13。
38.上述陶瓷片8的凸起块81形状为圆形。
39.上述栅极引脚3和源极引脚5的宽度为1.8mm。
40.上述金属支撑片2的贯通区201形状为圆形。
41.采用上述功率mos器件封装结构时，其金属支撑片2进一步包括支撑子片10和外延伸子片11，金属支撑片2的外延伸子片11位于环氧封装体9外侧，金属支撑片的支撑子片上表面和下表面分别设置有上凸点和下凸点，提高了环氧封装体与环氧封装体的结合力，避免支撑子片10与环氧封装体之间的分层，从而改善了器件的结构稳定性；还有，其进一步通过在陶瓷片8下表面设置凸起块81，此凸起块81嵌入支撑子片10的贯通区201并从贯通区内延伸出，陶瓷片的凸起块底面与环氧封装体底面齐平改进，能快速将mos芯片的热量传导到外界，从而延长了器件的使用寿命。
42.上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。