封装元件的制作方法

本申请涉及封装，具体涉及一种封装元件。

背景技术：

1、随着lidar(light detection and ranging，激光探测及测距系统，另外也称laser radar，激光雷达)、电动汽车等电气化产品崛起，电源控制模组(power module)越来越显重要，特别是大功率的电源控制模组，其散热需求更显重要，因此会以导线架(leadframe，又称为引线框架、钉架)为基底加强散热效果。在一些电源控制模组产品中，该基底同时兼具散热与电性需求。

2、参考图1，示出了目前的一种应用于电源控制模组的封装结构，该封装结构包括基底10，芯片11设置在基底10上并被模封材12包覆，基底10连接到印制电路板(printedcircuit board，pcb)13上。该封装结构的基底10系采用异型铜(dual gauge copper)进行弯折而成，包括第一部分10a和第二部分10b，第一部分11a和第二部分11b的厚度不同。

3、异型铜由于包含厚度不同的部分，其成本居高不下，不易取得。

技术实现思路

1、本申请提出了一种封装元件，用于解决目前的电源控制模组因采用异型铜导致成本较高的技术问题。

2、第一方面，本申请提供一种封装元件，包括：基底，为金属材质；芯片，设置在所述基底上并与所述基底导热连接；传导件，与所述基底分开设置，并与所述基底电连接。

3、在一些可选的实施方式中，所述的封装元件还包括：粘结材料，用于导热连接所述基底与所述芯片。

4、在一些可选的实施方式中，所述粘结材料与所述基底电气绝缘。

5、在一些可选的实施方式中，所述粘结材料为导电材料。

6、在一些可选的实施方式中，所述传导件用于作为电磁屏蔽结构。

7、在一些可选的实施方式中，所述传导件是接地件。

8、在一些可选的实施方式中，所述封装元件设置在印制电路板上，所述芯片位于所述基底与所述印制电路板之间。

9、在一些可选的实施方式中，所述基底包括引脚，所述引脚用于电连接所述芯片与所述印制电路板。

10、在一些可选的实施方式中，所述基底与所述传导件的厚度不同。

11、在一些可选的实施方式中，所述的封装元件还包括：用于电连接所述基底与所述传导件的传导连接件。

12、在一些可选的实施方式中，所述传导连接件的厚度与所述基底以及所述传导件都不同。

13、在一些可选的实施方式中，所述传导连接件为厚度均匀一致的预构件。

14、在一些可选的实施方式中，所述的封装元件还包括：模封材，完全包覆所述芯片和所述传导连接件，至少部分包覆所述基底和所述传导件。

15、在一些可选的实施方式中，所述基底包括用于承载所述芯片的焊盘以及与所述焊盘分开设置的引脚。

16、在一些可选的实施方式中，所述芯片包括一远离所述焊盘的主动面，所述主动面与所述引脚电连接。

17、如上，为了解决目前的电源控制模组因采用异型铜导致成本较高的技术问题，本申请提出了一种封装元件。本申请通过采用分开设置的基底和传导件，来代替异型铜，即，将现有的异型铜部分分割为厚度可以不同的两个部件，两个部件即传导件与基底再进行电连接，达到电传导或热传导的功效。由于基底和传导件是相互分离的不同部件，可以分开制作，相对于异型铜，成本得以大大降低。

技术特征：

1.一种封装元件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装元件，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的封装元件，其特征在于，所述粘结材料与所述基底电气绝缘。

4.根据权利要求2所述的封装元件，其特征在于，所述粘结材料为导电材料。

5.根据权利要求4所述的封装元件，其特征在于，所述传导件用于作为电磁屏蔽结构。

6.根据权利要求5所述的封装元件，其特征在于，所述传导件是接地件。

7.根据权利要求1所述的封装元件，其特征在于，所述基底与所述传导件的厚度不同。

8.根据权利要求7所述的封装元件，其特征在于，所述传导连接件电连接所述基底与所述传导件，所述传导连接件为条带状或片状。

9.根据权利要求8所述的封装元件，其特征在于，还包括：电连接所述芯片的主动面的打线，所述传导连接件的宽度大于所述打线，且所述传导连接件的厚度与所述基底以及所述传导件都不同。

10.根据权利要求8所述的封装元件，其特征在于，所述传导连接件为厚度均匀一致的预构件。

技术总结
本申请提出了一种封装元件。本申请的封装元件包括：基底；设置在所述基底上并与所述基底导热连接的芯片；与所述基底分开设置，并与所述基底导热连接的传导件。本申请通过采用分开设置的基底和传导件，来代替异型铜，即，将现有的异型铜部分分割为厚度可以不同的两个部件，两个部件即传导件与基底再进行导热或导电连接，达到热传导或电传导的功效。由于基底和传导件是相互分离的不同部件，可以分开制作，相对于异型铜，成本得以大大降低。

技术研发人员：詹峻棋,孙樱真
受保护的技术使用者：日月光半导体制造股份有限公司
技术研发日：20221118
技术公布日：2024/1/13