降低交流损耗的线圈结构及电感器的制作方法

本技术涉及电感器，特别涉及一种降低交流损耗的线圈结构及电感器。

背景技术：

1、电感器是指能够将电能转化为磁能而储存起来的元件，其是根据电磁感应原理制成的器件，实际上，凡是能够产生自感和互感的器件均可称为电感器。电感器的用途极为广泛，在交流电路中电感器有阻碍交流通过的能力，在电路中常被用作阻流、变压、交流耦合及负载等，从而被广泛应用于汽车、家电、数码、航天等各类电子终端领域中。

2、传统电感器通常采取在磁芯上环绕绝缘铜线圈的方式来实现。然而，随着科学技术的发展，人类在电子通讯、精密测量、电池技术等诸多领域对电感器等硬件设施提出了更高的要求。传统电感器的漏磁现象使得线圈表面产生涡电流，造成了多余的交流损耗。且高频状态下，电流在导线中，由于趋肤效应，导体内部电流分布不均匀，集中在导线的表面，造成等效的导线截面积降低，进而使导线的等效电阻随频率提高，这就会造成较高的交流损耗。

3、需要说明的是，公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本实用新型的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

技术实现思路

1、为解决上述背景技术中的难题，本实用新型提出一种降低交流损耗的线圈结构，其可以降低传统组合式电感器因漏磁产生的交流损耗及在高频状态下由于电流趋肤效应造成的交流损耗等问题。

2、本实用新型提供一种降低交流损耗的线圈结构，其包括第一水平导体、第二水平导体、第三水平导体、第一垂直导体和第二垂直导体。

3、第一水平导体具有相对的第一端和第二端，第一垂直导体和第二垂直导体分别连接第一水平导体的第一端和第二端，第二水平导体连接第一垂直导体的远离第一水平导体的一端，第三水平导体连接第二垂直导体的远离第一水平导体的一端，第一垂直导体和第二垂直导体是面对面设置的，第一垂直导体上开设有第一贯通孔。

4、在一些实施例中，第一贯通孔自第一垂直导体的外表面贯穿至第一垂直导体的内表面。

5、在一些实施例中，第一贯通孔的开孔面积占第一垂直导体的面积的比例是20％-80％。

6、在一些实施例中，第二垂直导体开设第二贯通孔，第二贯通孔自第二垂直导体的外表面贯穿至第二垂直导体的内表面。

7、在一些实施例中，第一垂直导体的形状与第二垂直导体的形状相同

8、在一些实施例中，第一贯通孔的开孔形状呈长条形。

9、在一些实施例中，线圈结构是“几”字形镀锡线圈。

10、在一些实施例中，线圈结构的材质包括选自于金、银、铜或铁所构成材料群组中的至少一种材料。

11、本实用新型还提供一种电感器，其包括第一芯体、第二芯体和如前述任一实施例中所述的线圈结构。

12、第二芯体连接第一芯体，第二芯体与第一芯体之间构成凹槽，且第二芯体与第一芯体之间具有缝隙。线圈结构位于第一芯体与第二芯体之间构成的凹槽内，第一贯通孔对应于缝隙。

13、在一些实施例中，第一芯体的外形和尺寸分别与第二芯体的外形和尺寸相同。

14、本实用新型提供一种降低交流损耗的线圈结构及电感器，相较于传统的线圈结构而言，借由第一贯通孔能够让第一芯体与第二芯体的间隙处产生的漏磁通接触不到线圈，从而降低因漏磁通在线圈表面形成涡电流而造成的交流损耗；并且，借由第一贯通孔能够增加线圈结构的表面积，以此降低在高频状态下由于电流趋肤效应造成的交流损耗。

15、本实用新型的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地特征和有益效果可以通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他有益效果可通过在说明书等内容中所特别指出的结构来实现和获得。

技术特征：

1.一种降低交流损耗的线圈结构，其特征在于：所述线圈结构包括：

2.根据权利要求1所述的降低交流损耗的线圈结构，其特征在于：所述第一贯通孔自所述第一垂直导体的外表面贯穿至所述第一垂直导体的内表面。

3.根据权利要求2所述的降低交流损耗的线圈结构，其特征在于：所述第一贯通孔的开孔面积占所述第一垂直导体的面积的比例是20%-80%。

4.根据权利要求1所述的降低交流损耗的线圈结构，其特征在于：所述第二垂直导体开设第二贯通孔，所述第二贯通孔自所述第二垂直导体的外表面贯穿至所述第二垂直导体的内表面。

5.根据权利要求4所述的降低交流损耗的线圈结构，其特征在于：所述第一垂直导体的形状与所述第二垂直导体的形状相同。

6.根据权利要求1所述的降低交流损耗的线圈结构，其特征在于：所述第一贯通孔的开孔形状呈长条形。

7.根据权利要求1所述的降低交流损耗的线圈结构，其特征在于：所述线圈结构是“几”字形镀锡线圈。

8.根据权利要求1所述的降低交流损耗的线圈结构，其特征在于：所述线圈结构的材质为金、银、铜或铁。

9.一种电感器，其特征在于：所述电感器包括：

10.根据权利要求9所述的电感器，其特征在于：所述第一芯体的外形和尺寸分别与所述第二芯体的外形和尺寸相同。

技术总结
本技术涉及电感器技术领域，涉及一种降低交流损耗的线圈结构及电感器，降低交流损耗的线圈结构包括第一水平导体、第二水平导体、第三水平导体、第一垂直导体和第二垂直导体。第一水平导体具有相对的第一端和第二端，第一垂直导体和第二垂直导体分别连接第一水平导体的第一端和第二端，第二水平导体连接第一垂直导体的远离第一水平导体的一端，第三水平导体连接第二垂直导体的远离第一水平导体的一端，第一垂直导体和第二垂直导体是面对面设置的，第一垂直导体上开设有第一贯通孔。借由第一贯通孔的设置，可有效降低漏磁产生的交流损耗及在高频状态下由于电流趋肤效应造成的交流损耗，提升电感器品质。

技术研发人员：李祥龙,杨鹏飞
受保护的技术使用者：厦门艾申迪电子有限公司
技术研发日：20221118
技术公布日：2024/1/12