本技术涉及半导体设备,特别是涉及一种冷却装置及半导体设备。
背景技术:
1、在刻蚀、物理气相沉积、化学气相沉积(cvd)等半导体工艺中,通常采用静电吸附装置来固定和支撑晶圆,静电吸附装置利用静电吸附原理将待加工的晶圆吸附在静电吸附装置表面,避免了晶圆在生产过程中发生移动或错位。在加工晶圆的过程中,需要控制晶圆的温度,这就需要调节静电吸附装置的温度。
2、当温度高于所需温度时,需要通过冷却装置降低静电吸附装置的温度,从而降低晶圆的温度。然而,冷却液在树脂管内循环冷却时,容易与树脂管摩擦而产生静电荷,由于静电荷聚集而产生电弧,导致树脂管被击穿,冷却液泄漏。
技术实现思路
1、基于此,有必要提供一种能够避免因静电荷聚集而产生电弧的冷却液及半导体设备,从而防止树脂管击穿,冷却液泄漏。
2、根据本申请的一个方面,提供一种冷却装置,包括:
3、具有容纳腔的机台,所述容纳腔用于收容冷却介质;
4、输出管,所述输出管的输入口连通于所述容纳腔;
5、输入管,所述输入管的输出口连通于所述容纳腔;
6、连接管,所述连接管设有第一端口、第二端口和第三端口;所述第一端口连通于所述输出管的输出口,所述第二端口连通于所述输入管的输入口;
7、导电件,所述导电件的一端穿过所述第三端口以连接所述连接管的侧壁上,所述导电件被配置为接地;及
8、密封件,安装于所述第三端口内,用于密封所述第三端口和所述导电件之间形成的间隙。
9、上述冷却装置,通过设置设有三个端口的连接管和导电件,且导电件的一端穿过连接管的一个端口连接连接管的侧壁,导电件的另一端接地,以使导电件能够将冷却液与连接管摩擦产生的静电荷导入地面,从而防止静电荷在连接管内聚集而产生电弧,防止树脂管击穿,冷却液泄漏。
10、在其中一个实施例中,所述导电件为导电线,所述导电线包括导体和包覆于所述导体的外周面的绝缘层。
11、在其中一个实施例中,所述导体为金属件。
12、在其中一个实施例中,所述导电线还包括包覆于所述绝缘层的外周面的保护层。
13、在其中一个实施例中,所述冷却装置还包括设于所述机台的外侧面上的输出接头和输入接头;
14、所述输出管的输入口借助所述输出接头与所述容纳腔相连通,所述输入管的输出口借助所述输入接头与所述容纳腔连通。
15、在其中一个实施例中,所述输出管和所述输入管的材质为聚氯乙烯塑料。
16、在其中一个实施例中,所述连接管的材质为全氟烷氧基树脂。
17、根据本申请的另一个方面,提供一种半导体设备,包括静电卡盘和上述任一项所述的冷却装置;所述冷却装置用于冷却所述静电卡盘。
18、在其中一个实施例中,所述冷却装置设有两个所述连接管;所述半导体设备还包括基座;
19、所述基座安装于所述静电卡盘的底部,所述基座开设有连接通道以及与所述连接通道分别连通的第一连接口、第二连接口;
20、所述第一连接口连通于其中一个所述连接管的所述第二端口,所述第二连接口连通于其中另一所述连接管的所述第二端口。
21、在其中一个实施例中,所述连接通道的孔壁设有绝缘涂层。
22、本申请实施例的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本申请实施例的实践了解到。
1.一种冷却装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的冷却装置,其特征在于,所述导电件为导电线,所述导电线包括导体和包覆于所述导体的外周面的绝缘层。
3.根据权利要求2所述的冷却装置,其特征在于,所述导体为金属件。
4.根据权利要求2所述的冷却装置,其特征在于,所述导电线还包括包覆于所述绝缘层的外周面的保护层。
5.根据权利要求1-4任一项所述的冷却装置,其特征在于,所述冷却装置还包括设于所述机台的外侧面上的输出接头和输入接头;
6.根据权利要求1-4任一项所述的冷却装置,其特征在于,所述输出管和所述输入管的材质为聚氯乙烯塑料。
7.根据权利要求1-4任一项所述的冷却装置,其特征在于,所述连接管的材质为全氟烷氧基树脂。
8.一种半导体设备,其特征在于,包括静电卡盘和如权利要求1-7任一项所述的冷却装置;所述冷却装置用于冷却所述静电卡盘。
9.根据权利要求8所述的半导体设备,其特征在于,所述冷却装置设有两个所述连接管;所述半导体设备还包括基座;
10.根据权利要求9所述的半导体设备,其特征在于,所述连接通道的孔壁设有绝缘涂层。