电子器件及电子设备的制作方法

本发明涉及电子电路领域，尤其涉及一种电子器件及电子设备。

背景技术：

1、为更好的控制mosfet芯片，要求ic（integrated circuit，集成电路）芯片与mosfet（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管）芯片尽量合封在一个模块内。为提高集成度，确保性能，常规ic芯片工艺采用p-sub，其背面为gnd（ground，电线接地端）。而mosfet芯片工艺则采用n-sub，芯片背面为vcc（volt current condenser，电路的供电电压）端，这导致常规ic芯片不能直接与mosfet芯片合封，而需要改变ic芯片或mosfet芯片的结构，即，改变ic芯片或mosfet芯片的制作工艺，才能够实现ic芯片与mosfet芯片合封。

2、因此，如何提出一种在不额外增加工艺开发成本的基础上，实现ic芯片与mosfet芯片合封，是目前亟待解决的技术问题。

技术实现思路

1、本发明提供一种电子器件及电子设备，能够在不额外增加工艺开发成本的基础上，实现ic芯片与mosfet芯片合封。

2、为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

3、本发明的第一方面，提供一种电子器件，包括ic芯片、第一导电层、第二导电层和mosfet芯片，其中：

4、所述ic芯片固定于所述第一导电层，所述mosfet芯片固定于所述第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层之间电气绝缘。

5、本发明的有益效果：

6、由于ic芯片的背面是gnd，mosfet芯片的背面是vcc端，可见ic芯片的背面与mosfet芯片的背面不同，无法直接共同连接至同一个导电层中。在本申请中，ic芯片固定于第一导电层上，mosfet芯片固定于第二导电层上，第一导电层和第二导电层之间电气绝缘，因此，可将第一导电层和第二导电层设置为分别与ic芯片和mosfet芯片相对应，从而使得不需要对ic芯片进行工艺改进，也不需要对mosfet芯片进行工艺改进。由此，本申请实施例能够在不改变ic芯片和mosfet芯片的制作工艺的基础上，实现ic芯片和mosfet芯片合封。由于不需要改变ic芯片和mosfet芯片的制作工艺，也就不需要增加ic芯片和mosfet芯片的工艺开发成本，因此，本申请实施例能够在在不额外增加工艺开发成本的基础上，实现ic芯片与mosfet芯片合封。

7、可选地，所述电子器件还包括接地引脚，所述第一导电层与所述接地引脚连接。由于ic芯片的背面是gnd，第一导电层与gnd引脚连接，则第一导电层接地，因此，ic芯片可直接固定至第一导电层上，而不需要对ic芯片进行工艺改进。

8、可选地，所述电子器件还包括供电电压vcc引脚，所述第二导电层与所述vcc引脚连接，所述ic芯片的vcc端与所述第二导电层连接。由于mosfet芯片的背面是vcc，第二导电层与vcc引脚连接，则vcc引脚可通过第二导电层直接向mosfet芯片提供供电电压vcc，因此，不需要对mosfet芯片进行工艺改进。

9、可选地，所述第一导电层和所述第二导电层同层同材料。

10、可选地，所述第一导电层与所述第二导电层沿第一方向排列，所述第一导电层与所述第二导电层在所述第一方向上的投影无交叠，所述mosfet芯片在所述第二导电层上的投影位于所述第二导电层的范围内。

11、可选地，所述电子器件还包括绝缘层；所述第一导电层和所述第二导电层层叠设置，所述绝缘层位于所述第一导电层与所述第二导电层之间。

12、可选地，所述ic芯片的vcc端在所述第二导电层上的投影位于所述第二导电层的范围内。

13、可选地，所述第二导电层的第一表面包括第一子表面和第二子表面，所述第一导电层设于所述第一子表面上，所述mosfet芯片设于所述第二子表面上。

14、可选地，所述第一表面还包括位于所述第一子表面和所述第二子表面之间的第三子表面，所述ic芯片的vcc端连接至所述第三子表面。

15、本发明的第二方面，提供一种电子设备，包括上述任一项所述的电子器件。电子设备能够实现上述电子器件的所有效果。

技术特征：

1.一种电子器件，其特征在于，包括：集成电路ic芯片、第一导电层、第二导电层和金属-氧化物半导体场效应晶体管mosfet芯片，其中：

2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述电子器件还包括接地引脚，所述第一导电层与所述接地引脚连接。

3.根据权利要求2所述的电子器件，其特征在于，所述电子器件还包括供电电压vcc引脚，所述第二导电层与所述vcc引脚连接，所述ic芯片的vcc端与所述第二导电层连接。

4.根据权利要求1-3任一项所述的电子器件，其特征在于，所述第一导电层和所述第二导电层同层同材料。

5.根据权利要求4所述的电子器件，其特征在于，所述第一导电层与所述第二导电层沿第一方向排列，所述第一导电层与所述第二导电层在所述第一方向上的投影无交叠，所述mosfet芯片在所述第二导电层上的投影位于所述第二导电层的范围内。

6.根据权利要求1-3任一项所述的电子器件，其特征在于，所述电子器件还包括绝缘层；

7.根据权利要求6所述的电子器件，其特征在于，所述ic芯片的vcc端在所述第二导电层上的投影位于所述第二导电层的范围内。

8.根据权利要求7所述的电子器件，其特征在于，所述第二导电层的第一表面包括第一子表面和第二子表面，所述第一导电层设于所述第一子表面上，所述mosfet芯片设于所述第二子表面上。

9.根据权利要求8所述的电子器件，其特征在于，所述第一表面还包括位于所述第一子表面和所述第二子表面之间的第三子表面，所述ic芯片的vcc端连接至所述第三子表面。

10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的电子器件。

技术总结
本发明公开了一种电子器件及电子设备。电子器件包括、IC芯片、第一导电层、第二导电层和MOSFET芯片，其中：IC芯片固定于第一导电层，MOSFET芯片固定于第二导电层，第一导电层和第二导电层之间电气绝缘。本发明能够在不额外增加工艺开发成本的基础上，实现IC芯片与MOSFET芯片合封。

技术研发人员：吕慧瑜,罗杰馨,柴展
受保护的技术使用者：上海功成半导体科技有限公司
技术研发日：20221208
技术公布日：2024/1/13