植球治具的制作方法

本申请实施例涉及半导体器件生产加工，尤其涉及一种植球治具。

背景技术：

1、植球治具也叫bga植球台、ic植球台、万能植球台、bga植珠台、ic植珠台、万能植珠台等名称。

2、目前，行业上的植球治具由夹具底座和上模具构成，上模由钢网与框体组成，在芯片植球过程中，需要将芯片设置在夹具底座上，而后在芯片上设置钢网，然后涂刷锡膏，最后对锡膏进行加热，以使锡膏融化，之后再取下钢网，传统技术中的植球治具，钢网会被直接加热，钢网容易产生形变，且形变方向朝向于芯片，容易导致植球良品率低，甚至会损坏芯片。

技术实现思路

1、本实用新型旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。

2、有鉴于此，本申请实施例提出了一种植球治具，包括：

3、底座组件，所述底座组件内形成有安装腔，所述底座组件上形成有定位槽；

4、网框组件，所述网框组件用于连接于所述底座组件；

5、加热组件，至少部分所述加热组件位于所述安装腔内，所述加热组件用于为所述定位槽提供热能。

6、在一种可行的实施方式中，所述底座组件包括：

7、座体，所述座体内形成有所述安装腔；

8、第一盖板，所述第一盖板用于连接于所述座体，所述第一盖板上形成有所述定位槽。

9、在一种可行的实施方式中，所述网框组件包括：

10、第二盖板；

11、第三盖板；

12、网体，所述网体设置在所述第二盖板和所述第三盖板之间；

13、紧固件，所述紧固件穿过所述第二盖板连接于所述第三盖板。

14、在一种可行的实施方式中，所述网体为多个，所述网体可拆卸地设置在所述第二盖板和所述第三盖板之间，不同所述网体上的网孔开设位置不同。

15、在一种可行的实施方式中，所述加热组件包括：

16、第一热源；

17、导风风道，设置在所述安装腔内，所述导风风道的一端导通至所述第一热源，另一端导通至所述定位槽。

18、在一种可行的实施方式中，植球治具还包括：

19、送风件，设置在所述第一热源的输出端。

20、在一种可行的实施方式中，所述加热组件包括：

21、第二热源，设置在所述安装腔内，位于所述定位槽的一侧。

22、在一种可行的实施方式中，植球治具还包括：

23、隔热衬板，设置在所述底座组件的内壁上。

24、在一种可行的实施方式中，所述底座组件由铝材制成。

25、在一种可行的实施方式中，植球治具还包括：

26、导风孔，开设在所述底座组件上，位于所述定位槽的周侧和/或位于所述定位槽的槽底。

27、相比现有技术，本实用新型至少包括以下有益效果：

28、本申请实施例提供的植球治具包括了底座组件、网框组件和加热组件，在需要对芯片进行植球时，将芯片设置在定位槽上进行定位，而后将网框组件设置在底座组件之上，通过网框组件向芯片之上涂覆锡膏，而后开启加热组件，加热组件可以为锡膏提供热能，使得锡膏部分融化或完全融化，而后即可取下网框组件，待锡膏融化后形成的锡球凝固之后芯片即可完成植球操作。通过本申请实施例提供的植球治具，加热组件经由芯片背离于网框组件的一侧提供热能，因此网框组件形变的概率较低，即使网框组件产生形变，网框组件也是向背离于芯片所在的位置形变，芯片或锡球被挤压变形的概率将大幅度降低，可以提高植球的良品率，同时提高芯片的良品率。

技术特征：

1.一种植球治具，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的植球治具，其特征在于，所述底座组件包括：

3.根据权利要求1所述的植球治具，其特征在于，所述网框组件包括：

4.根据权利要求3所述的植球治具，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的植球治具，其特征在于，所述加热组件包括：

6.根据权利要求5所述的植球治具，其特征在于，还包括：

7.根据权利要求1所述的植球治具，其特征在于，所述加热组件包括：

8.根据权利要求1至7中任一项所述的植球治具，其特征在于，还包括：

9.根据权利要求1至7中任一项所述的植球治具，其特征在于，

10.根据权利要求1至7中任一项所述的植球治具，其特征在于，还包括：

技术总结
本申请实施例公开了一种植球治具，该植球治具包括了底座组件、网框组件和加热组件，在需要对芯片进行植球时，将芯片设置在定位槽上进行定位，而后将网框组件设置在底座组件之上，通过网框组件向芯片之上涂覆锡膏，而后开启加热组件，加热组件可以为锡膏提供热能，使得锡膏部分融化或完全融化，而后即可取下网框组件，待锡膏融化后形成的锡球凝固之后芯片即可完成植球操作。通过本申请实施例提供的植球治具，加热组件经由芯片背离于网框组件的一侧提供热能，因此网框组件形变的概率较低，即使网框组件产生形变，网框组件也是向背离于芯片所在的位置形变，芯片或锡球被挤压变形的概率将大幅度降低，可以提高植球的良品率，同时提高芯片的良品率。

技术研发人员：张东海,蔡刚
受保护的技术使用者：珠海视熙科技有限公司
技术研发日：20221223
技术公布日：2024/1/12