一种颜色均匀的微型LED模组的制作方法

本技术属于led，具体涉及一种颜色均匀的微型led模组。

背景技术：

1、作为固态光源，发光二极管（led）是一种半导体发光器件，可以直接将电能转化光能，中间不需经过其他形式的能量转换。led中不含汞等有害物质，发光效率高，且报废后易于回收利用，被称为高效的绿色的光源，其使用寿命长、可靠性高，可以长期稳定的工作，不需要进行频繁的维修、更换。

2、微型led又称为次毫米发光二极管，其尺寸通常为80μm～200μm，是新一代的led技术，承接了小间距led高效率、高可靠性、高亮度和反应时间快的特性，且较于小间距led，其耗电量和成本更低。在封装的过程中，微型led需要被焊接在印刷电路板（pcb）上，不同pcb板的表面阻焊层颜色存在差异，相同pcb表面阻焊层上的不同区域颜色也存在颜色差异，这些颜色差异会反应在最终的微型led模组上，造成不同的微型led模组的光性能以及外观存在较大的差异。

3、为了避免这种差异性，很多厂家选择在硅胶里面加入黑色素，将硅胶调成淡淡的黑色，用硅胶的黑色去缓解基板颜色不均匀问题。但是该方法会极大的降低模组的光通量输出。

4、中国专利公开号cn 114944115 a中公开了mini led显示模组及其制备方法、电子设备，该mini led显示模组包括pcb板、若干led芯片、第一胶层、第二胶层和第三胶层；其中，若干led芯片设置并遮盖在pcb板的一表面，第一胶层设置在pcb板未被led芯片覆盖的表面，第一胶层的厚度不高于led芯片的高度；第二胶层具有均光作用，包覆led芯片和第一胶层设置；第三胶层呈哑光，设置在第二胶层背离pcb板的表面。该方法虽然改善了模组墨色不一致的问题，但是该方法中涉及的黑色胶层为热固化硅胶，需较长的时间才能完成固化，增加工艺时间和成本，且该方法在封装硅胶中添加了黑色颜料，降低了模组输出的光通量。

技术实现思路

1、本实用新型的目的就是针对上述现有技术的不足，提供一种颜色均匀的微型led模组。

2、本实用新型采用的技术方案如下：

3、一种颜色均匀的微型led模组，它包括pcb板、多个微型led芯片、硅胶保护层和阻焊层覆盖膜，阻焊层覆盖膜为固化后的紫外光固化墨水，微型led芯片的底部通过焊点固定在pcb板上，阻焊层覆盖膜覆盖在pcb板表面，阻焊层覆盖膜的厚度微型led芯片与焊点的高度之和，硅胶保护层覆盖在阻焊层覆盖膜和微型led芯片的表面。

4、在本实用新型中，阻焊层覆盖膜的厚度为50～150μm。

5、在一种优选方案中，微型led芯片的高度为100～200μm，焊点的高度为150～300μm。

6、本实用新型中的硅胶保护层优选为聚二甲基硅氧烷。

7、本实用新型的有益效果有：

8、本实用新型提供了一种颜色均匀的微型led模组，在pcb板表面覆盖阻焊层覆盖膜，解决pcb表面不均匀的问题，阻焊层覆盖膜为固体材料，可以与pcb板、硅胶保护层紧密连接，提高了模组的对比度及颜色均匀性，外观统一的同时，不会降低微型led模组的光通量输出。

技术特征：

1.一种颜色均匀的微型led模组，其特征是它包括pcb板（5）、多个微型led芯片（2）、硅胶保护层（1）和阻焊层覆盖膜（4），所述阻焊层覆盖膜（4）为固化后的紫外光固化墨水，所述微型led芯片（2）的底部通过焊点（3）固定在所述pcb板（5）上，所述阻焊层覆盖膜（4）覆盖在所述pcb板（5）表面，所述阻焊层覆盖膜（4）的厚度所述微型led芯片（2）与焊点（3）的高度之和，所述硅胶保护层（1）覆盖在所述阻焊层覆盖膜（4）和微型led芯片（2）的表面。

2.根据权利要求1所述的颜色均匀的微型led模组，其特征是所述阻焊层覆盖膜（4）的厚度为50～150μm。

3.根据权利要求1所述的颜色均匀的微型led模组，其特征是所述微型led芯片（2）的高度为100～200μm，所述焊点（3）的高度为150～300μm。

4.根据权利要求1所述的颜色均匀的微型led模组，其特征是所述硅胶保护层（1）为聚二甲基硅氧烷。

技术总结
本技术公开了一种颜色均匀的微型LED模组，它包括PCB板、多个微型LED芯片、硅胶保护层和阻焊层覆盖膜，微型LED芯片的底部通过焊点固定在PCB板上，阻焊层覆盖膜覆盖在PCB板表面，阻焊层覆盖膜的厚度微型LED芯片与焊点的高度之和，硅胶保护层覆盖在阻焊层覆盖膜和微型LED芯片的表面。本技术在微型LED完成固晶后，精密喷墨打印或者精密点胶的方式将黑色的紫外光固化墨水覆盖在PCB表面，材料紫外固化后形成4阻焊层覆盖膜，解决PCB表面不均匀的问题，阻焊层覆盖膜为固体材料，可以与PCB板、硅胶保护层紧密连接，提高了模组的对比度及颜色均匀性，外观统一的同时，不会降低微型LED模组的光通量输出。

技术研发人员：熊敬康,陈威,袁吟龙,熊怡然,许斌,林小春,曹灵囡,张伟常,刘玲,黄宇翔
受保护的技术使用者：常州市武进区半导体照明应用技术研究院
技术研发日：20221230
技术公布日：2024/1/13