一种多芯片LED封装结构的制作方法

本技术涉及led封装结构，具体涉及一种多芯片led封装结构。

背景技术：

1、led(light emitting diode，半导体发光二极管)是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光，它在照明领域应用广泛。led封装是指发光芯片的封装，其的功能在于提供芯片足够的保护，防止芯片在空气中长期暴露或机械损伤而失效，以提高芯片的稳定性。目前，为了符合终端产品的要求，要求led封装轻、薄、短、小。但是目前市场上的单个led封装的发光功率小，不满足客户的需求。

2、uvled是指采用led发光原理的紫外半导体光源，包括200nm～400nm之间的所有电磁辐射波长，根据其发光波长可进一步区分为uva(320nm～400nm，长波紫外线)、uvb(280nm～315nm，中波紫外线)和uvc(200nm～280nm，短波紫外线)波段。uvc波段可用于杀菌消毒，uva可实现光触媒，uvb可实现植物生长和医疗使用。目前市场上的单个led封装的波段单一。

3、cn112089862a号专利公开了一种紫外半导体并联的uvc led全无机或半无机封装结构，其包括基板、设置于所述基板上的至少两个uvc芯片，基板包括设置有uvc芯片的上表面和与上表面相对的下表面，上表面设置有与uvc芯片对应的焊盘对，每个uvc芯片设置于一对焊盘对之间并与其电性连接，uvc芯片之间相互并联。该专利中采用两个uvc芯片实现发光功率的增加，但是每个uvc芯片都需要一对焊盘对来连接，如果采用更多芯片时，那会增大整体封装的尺寸。

4、因此，实有必要提供一种新的多芯片led封装结构以解决上述技术问题。

技术实现思路

1、针对现有技术存在的不足，本实用新型的目的在于提供一种可提高发光功率且节省空间的多芯片led封装结构。

2、为实现上述目的，本实用新型提供了一种多芯片led封装结构，其包括共同形成收容空间的基板、金属围坝边、玻璃以及收容于所述收容空间的芯片组，所述基板包括第一表面、第二表面以及贯穿所述基板的若干导电孔，所述第一表面具有间隔设置的若干电极部，所述第二表面具有与所述若干电极部对应的若干焊盘，所述若干电极部包括第一正极部、第一负极部、导电部，所述芯片组包括电连接所述第一正极部、所述导电部的第一led芯片组，所述芯片组还包括电连接所述导电部、所述第一负极部的第二led芯片组，所述第一led芯片组与所述第二led芯片组串联连接。

3、优选的，所述若干焊盘包括电连接所述第一正极部的第一焊盘、电连接所述第一负极部的第二焊盘。

4、优选的，所述芯片组还包括指示灯芯片，所述若干电极部还包括第二正极部、第二负极部，所述指示灯芯片的两极分别电连接所述第二正极部、所述第二负极部。

5、优选的，所述若干焊盘还包括电连接所述第二正极部的第三焊盘、电连接所述第二负极部的第四焊盘。

6、优选的，所述第一led芯片组包括并联设置的第一led芯片、第二led芯片，所述第一led芯片、所述第二led芯片的正极电连接所述第一正极部，所述第一led芯片、所述第二led芯片的负极电连接所述导电部，所述第二led芯片组包括并联设置的第三led芯片、第四led芯片，所述第三led芯片、所述第四led芯片的正极电连接所述导电部，所述第三led芯片、所述第二led芯片的负极电连接所述第一负极部。

7、优选的，所述芯片组还包括齐纳二极管，所述齐纳二极管的两极分别电连接所述第一正极部、所述第一负极部。

8、优选的，所述第一正极部包括沿第一方向延伸的第一区域、沿第二方向延伸的第二区域，所述第一方向与所述第二方向相垂直，所述第一负极部包括沿所述第一方向延伸的第三区域、沿所述第二方向延伸的第四区域，所述导电部沿所述第一方向延伸，所述第一区域与所述导电部相邻设置且形成第一间隔，所述第三区域与所述导电部相邻设置且形成第二间隔，所述第一区域与所述第四区域相邻设置且形成第三间隔，所述第一间隔、所述第二间隔、所述第三间隔相等。

9、优选的，所述第一led芯片、所述第二led芯片设置于所述第一间隔，所述第三led芯片、所述第四led芯片设置于所述第二间隔，所述齐纳二极管设置于所述第三间隔。

10、优选的，所述第一正极部包括沿第一方向延伸的第一区域、沿第二方向延伸的第二区域，所述第一方向与所述第二方向相垂直，所述第一负极部包括沿所述第一方向延伸的第三区域、沿所述第二方向延伸的第四区域，所述导电部沿所述第二方向延伸，所述第二区域与所述导电部相邻设置且形成第一间隔，所述第四区域与所述导电部相邻设置且形成第二间隔，所述第一区域与所述第三区域相邻设置且形成第三间隔，所述第一间隔、所述第二间隔、所述第三间隔相等。

11、优选的，所述第一led芯片、所述第二led芯片设置于所述第一间隔，所述第三led芯片、所述第四led芯片设置于所述第二间隔，所述齐纳二极管设置于所述第三间隔。

12、本实用新型通过第一正极部、第一负极部、导电部以及led芯片共同形成串并联电路，从而实现了放大功率、混合波段的效果，相比传统产品，有效的节省空间、降低成本。

技术特征：

1.一种多芯片led封装结构，其包括共同形成收容空间的基板、金属围坝边、玻璃以及收容于所述收容空间的芯片组，所述基板包括第一表面、第二表面以及贯穿所述基板的若干导电孔，其特征在于，所述第一表面具有间隔设置的若干电极部，所述第二表面具有与所述若干电极部对应的若干焊盘，所述若干电极部包括第一正极部、第一负极部、导电部，所述芯片组包括电连接所述第一正极部、所述导电部的第一led芯片组，所述芯片组还包括电连接所述导电部、所述第一负极部的第二led芯片组，所述第一led芯片组与所述第二led芯片组串联连接。

2.根据权利要求1所述的一种多芯片led封装结构，其特征在于，所述若干焊盘包括电连接所述第一正极部的第一焊盘、电连接所述第一负极部的第二焊盘。

3.根据权利要求2所述的一种多芯片led封装结构，其特征在于，所述芯片组还包括指示灯芯片，所述若干电极部还包括第二正极部、第二负极部，所述指示灯芯片的两极分别电连接所述第二正极部、所述第二负极部。

4.根据权利要求3所述的一种多芯片led封装结构，其特征在于，所述若干焊盘还包括电连接所述第二正极部的第三焊盘、电连接所述第二负极部的第四焊盘。

5.根据权利要求4所述的一种多芯片led封装结构，其特征在于，所述第一led芯片组包括并联设置的第一led芯片、第二led芯片，所述第一led芯片、所述第二led芯片的正极电连接所述第一正极部，所述第一led芯片、所述第二led芯片的负极电连接所述导电部，所述第二led芯片组包括并联设置的第三led芯片、第四led芯片，所述第三led芯片、所述第四led芯片的正极电连接所述导电部，所述第三led芯片、所述第二led芯片的负极电连接所述第一负极部。

6.根据权利要求5所述的一种多芯片led封装结构，其特征在于，所述芯片组还包括齐纳二极管，所述齐纳二极管的两极分别电连接所述第一正极部、所述第一负极部。

7.根据权利要求6所述的一种多芯片led封装结构，其特征在于，所述第一正极部包括沿第一方向延伸的第一区域、沿第二方向延伸的第二区域，所述第一方向与所述第二方向相垂直，所述第一负极部包括沿所述第一方向延伸的第三区域、沿所述第二方向延伸的第四区域，所述导电部沿所述第一方向延伸，所述第一区域与所述导电部相邻设置且形成第一间隔，所述第三区域与所述导电部相邻设置且形成第二间隔，所述第一区域与所述第四区域相邻设置且形成第三间隔，所述第一间隔、所述第二间隔、所述第三间隔相等。

8.根据权利要求7所述的一种多芯片led封装结构，其特征在于，所述第一led芯片、所述第二led芯片设置于所述第一间隔，所述第三led芯片、所述第四led芯片设置于所述第二间隔，所述齐纳二极管设置于所述第三间隔。

9.根据权利要求6所述的一种多芯片led封装结构，其特征在于，所述第一正极部包括沿第一方向延伸的第一区域、沿第二方向延伸的第二区域，所述第一方向与所述第二方向相垂直，所述第一负极部包括沿所述第一方向延伸的第三区域、沿所述第二方向延伸的第四区域，所述导电部沿所述第二方向延伸，所述第二区域与所述导电部相邻设置且形成第一间隔，所述第四区域与所述导电部相邻设置且形成第二间隔，所述第一区域与所述第三区域相邻设置且形成第三间隔，所述第一间隔、所述第二间隔、所述第三间隔相等。

10.根据权利要求9所述的一种多芯片led封装结构，其特征在于，所述第一led芯片、所述第二led芯片设置于所述第一间隔，所述第三led芯片、所述第四led芯片设置于所述第二间隔，所述齐纳二极管设置于所述第三间隔。

技术总结
本技术提供了一种多芯片LED封装结构，其包括共同形成收容空间的基板、金属围坝边、玻璃以及收容于收容空间的芯片组，基板包括第一表面、第二表面以及贯穿基板的若干导电孔，第一表面具有间隔设置的若干电极部，第二表面具有与若干电极部对应的若干焊盘，若干电极部包括第一正极部、第一负极部、导电部，芯片组包括电连接第一正极部、导电部的第一LED芯片组，所述芯片组还包括电连接导电部、第一负极部的第二LED芯片组，第一LED芯片组与第二LED芯片组串联连接。本技术通过第一正极部、第一负极部、导电部以及芯片组共同形成串并联电路，从而实现了放大功率、混合波段的效果，相比传统产品，有效的节省空间、降低成本。

技术研发人员：周孔礼
受保护的技术使用者：浙芯紫外半导体科技（杭州）有限公司
技术研发日：20221229
技术公布日：2024/1/11