二次电池的制作方法

文档序号:33712995发布日期:2023-04-01 00:54阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种二次电池,包括:电极组装件;附接到所述电极组装件的电极引线;配置为在其中容纳所述电极组装件的壳体;形成为围绕所述电极引线的外表面的一部分并插设于所述电极引线与所述壳体之间的引线膜;形成在所述壳体的至少一部分中的排气区域;以及插入所述排气区域中并具有三层以上的结构的排气构件,所述三层以上的结构包括在最下层中的第一树脂、在最上层中的第二树脂和在中间层中的第三树脂,其中,所述第二树脂是熔点高于所述第一树脂的树脂,并且所述第三树脂是熔点高于所述第二树脂的树脂。2.如权利要求1所述的二次电池,其中,在所述中间层与所述最下层之间发生排气。3.如权利要求1所述的二次电池,其中,所述第一树脂具有90℃以上且低于100℃的熔点。4.如权利要求1所述的二次电池,其中,所述第一树脂是具有碳原子数为8的共聚单体的线性低密度聚乙烯。5.如权利要求1所述的二次电池,其中,所述第一树脂具有小于2.6的多分散性指数,即,pdi。6.如权利要求4所述的二次电池,其中,在所述具有碳原子数为8的共聚单体的线性低密度聚乙烯中,基于100重量%的具有碳原子数为8的共聚单体的线性低密度聚乙烯计的碳原子数为8的共聚单体的含量为12重量%以上。7.如权利要求1所述的二次电池,其中,所述第一树脂具有80℃至90℃的结晶温度。8.如权利要求1所述的二次电池,其中,所述第一树脂具有100000g/mol至250000g/mol的重均分子量。9.如权利要求4所述的二次电池,其中,所述具有碳原子数为8的共聚单体的线性低密度聚乙烯在茂金属催化剂的存在下聚合。10.如权利要求1所述的二次电池,其中,所述壳体包括形成为密封所述电极组装件的密封部,所述密封部含有密封剂树脂,并且所述排气构件的具有碳原子数为8的共聚单体的线性低密度聚乙烯具有低于所述密封剂树脂的熔点。11.如权利要求1所述的二次电池,其中,所述第二树脂具有100℃至130℃的熔点。12.如权利要求1所述的二次电池,其中,所述第二树脂是具有碳原子数为6以上的共聚单体的线性低密度聚乙烯。
13.如权利要求1所述的二次电池,其中,所述第二树脂具有2.6至4的多分散性指数,即,pdi。14.如权利要求12所述的二次电池,其中,在所述具有碳原子数为6以上的共聚单体的线性低密度聚乙烯中,基于100重量%的具有碳原子数为6以上的共聚单体的线性低密度聚乙烯计的碳原子数为6以上的共聚单体的含量为小于12重量%。15.如权利要求1所述的二次电池,其中,所述第二树脂具有高于90℃并且低于或等于115℃的结晶温度。16.如权利要求1所述的二次电池,其中,所述第二树脂具有大于250000g/mol且小于或等于400000g/mol的重均分子量。17.如权利要求12所述的二次电池,其中,所述具有碳原子数为6以上的共聚单体的线性低密度聚乙烯在茂金属催化剂的存在下聚合。18.如权利要求1所述的二次电池,其中,所述第三树脂具有高于130℃的熔点。19.如权利要求1所述的二次电池,其中,所述第三树脂包括高密度聚乙烯、无规聚丙烯或高密度聚乙烯与无规聚丙烯的混合物。20.如权利要求1所述的二次电池,其中,所述排气构件在100℃以上的温度下熔融以排出气体。21.如权利要求20所述的二次电池,其中,所述排气构件在1.5atm以上的压力下排气。22.如权利要求1所述的二次电池,其中,在100℃以上的温度下,所述排气构件具有小于6kgf/15mm的最大密封强度。23.如权利要求1所述的二次电池,其中,在100℃以上的温度下,所述排气构件具有小于4.5kgf/15mm的平均密封强度。24.如权利要求1所述的二次电池,其中,在室温至60℃的温度下,所述排气构件具有6kgf/15mm以上的最大密封强度。25.如权利要求1所述的二次电池,其中,在室温至60℃的温度下,所述排气构件具有4.5kgf/15mm以上的平均密封强度。26.如权利要求10所述的二次电池,其中,所述排气区域位于所述密封部中。27.如权利要求26所述的二次电池,其中,所述排气区域位于所述壳体的角落处的密封部中。28.如权利要求1所述的二次电池,其中,所述二次电池是软包型二次电池。

技术总结
本文中公开了一种二次电池,该二次电池包括电极组装件;附接到电极组装件的电极引线;配置为在其中容纳电极组装件的壳体;形成为围绕电极引线的外表面的一部分并插设于电极引线与壳体之间的引线膜;在壳体的至少一部分中形成的排气区域;以及插入排气区域中并具有三层以上的结构的排气构件,三层以上的结构包括在最下层中的第一树脂、在最上层中的第二树脂和在中间层中的第三树脂,其中,第二树脂是熔点高于第一树脂的树脂,并且第三树脂是熔点高于第二树脂的树脂。于第二树脂的树脂。于第二树脂的树脂。


技术研发人员:黃隨枝 金橡熏 姜旻亨 宋大雄 庾亨均 林鑂熙
受保护的技术使用者:株式会社LG新能源
技术研发日:2022.04.15
技术公布日:2023/3/31
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