具有近红外吸收器的成像传感器的制作方法

背景技术：

1、一些成像设备可以配置为获得多个光波长范围上的图像。例如，使用红外光进行深度成像的深度相机也可以捕获可见光图像。可见光相机也可以捕获近红外范围中的图像。这可能允许将深度信息与场景的颜色、黑白和/或灰度信息匹配，或者将低光影像与热影像配对。

技术实现思路

1、提供本
技术实现要素：
是为了以简化的形式介绍下面在具体实施方式中进一步描述的概念的选择。本发明内容不旨在标识所要求保护的主题的关键特征或基本特征，也不旨在用于限制所要求保护的主题的范围。此外，所要求保护的主题不限于解决本公开的任何部分中指出的任何或所有缺点的实施方式。

2、在一个公开的示例中，成像传感器包括体硅衬底和像素阵列。像素阵列包括包含有源像素子阵列的有源像素区域、包含光学黑色像素子阵列的光学黑色像素区域和包含光学黑色虚设(dummy)像素子阵列的光学黑色虚设像素区域，光学黑色虚设像素区域定位于有源像素区域和光学黑色像素区域之间。近红外吸收器定位于有源像素区域和光学黑色像素区域之间，近红外吸收器包括具有比硅的近红外吸收系数更高的近红外吸收系数的材料。

技术特征：

1.一种成像传感器，包括：

2.根据权利要求1所述的成像传感器，其中所述近红外吸收器包括锗。

3.根据权利要求1所述的成像传感器，其中所述近红外吸收器被定位于所述光学黑色虚设像素子阵列的像素和不透明光罩之间。

4.根据权利要求1所述的成像传感器，其中所述近红外吸收器被集成在所述光学黑色虚设像素子阵列的像素之中。

5.根据权利要求1所述的成像传感器，其中所述光学黑色虚设像素子阵列的与所述近红外吸收器相邻的像素以漏极模式被操作。

6.根据权利要求1所述的成像传感器，其中所述近红外吸收器不被连接到电源电压。

7.根据权利要求1所述的成像传感器，其中所述像素阵列进一步包括包含有源虚设像素子阵列的有源虚设像素区域，所述有源虚设像素子阵列被定位于所述有源像素子阵列和所述光学黑色虚设像素子阵列之间。

8.根据权利要求1所述的成像传感器，进一步包括：

9.根据权利要求8所述的成像传感器，其中所述深沟槽隔离器至少部分地被填充有氧化物。

10.根据权利要求8所述的成像传感器，其中所述深沟槽隔离器至少部分地被填充有金属。

11.一种用于操作多抽头像素的方法，包括：

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述暗电流校正进一步至少部分地基于所述第一光电门和所述第二光电门之间的预定暗电流比。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述第二光电门处的光信号相对于所述第一光电门处的光信号被衰减。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述第二持续时间小于所述积分时段的百分之一。

15.根据权利要求11所述的方法，其中所述像素是间接飞行时间像素。

技术总结
示例成像传感器包括体硅衬底和像素阵列。像素阵列包括包含有源像素子阵列的有源像素区域、包含光学黑色像素子阵列的光学黑色像素区域和包含光学黑色虚设像素子阵列的光学黑色虚设像素区域，光学黑色虚设像素区域被定位于有源像素区域和光学黑色像素区域之间。近红外吸收器被定位于有源像素区域和光学黑色像素区域之间，近红外吸收器包括具有比硅的近红外吸收系数更高的近红外吸收系数的材料。

技术研发人员：吴敏锡,S·H·纳加拉贾,C·S·巴姆吉
受保护的技术使用者：微软技术许可有限责任公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/19