使用多方向致动膜调整晶片形状的方法与流程

本披露内容涉及半导体制造方法，更特别地涉及晶片形状优化。

背景技术：

1、本文提供的背景技术描述是为了总体上呈现本披露内容的背景。当前发明人的工作在本背景技术部分中所描述的程度上、以及在提交时间时可能不被认定为现有技术的本说明的方面，既没有明确地也没有隐含地承认是针对本披露内容的现有技术。

2、半导体制造涉及多个不同的步骤和工艺。一种典型的制造工艺称为光刻法(也称为微光刻法)。光刻法使用如紫外线或者可见光等辐射来在半导体器件设计中生成精细的图案。可以使用包括光刻法、刻蚀、膜沉积、表面清洁、金属化等等的半导体制造技术来构造如二极管、晶体管和集成电路等许多类型的半导体器件。所有这些加工技术都可能影响晶片上和晶片内的应力。

3、曝光系统(也称为工具)被用于实施光刻技术。曝光系统通常包括照射系统、用于产生电路图案的掩模版(也称为光掩模)或者空间光调制器(slm)、投射系统以及用于对准被光敏抗蚀剂所覆盖的半导体晶片的晶片对准台。照射系统以(优选)矩形槽照射场照射掩模版或slm的区域。投射系统将掩模版图案的被照射区域的图像投射到晶片上。为了实现准确的投射，将在相对较平整或平坦(优选地，高度偏差小于10微米)的晶片上对光图案进行曝光很重要。因此，需要用于优化晶片形状的方法。

技术实现思路

1、本披露内容涉及一种加工衬底的方法，该方法包括在晶片的第一表面上形成致动器膜，该晶片包括第一表面以及与第一表面相反的第二表面，致动器膜包括致动器材料，致动器膜对预定激活刺激敏感，致动器膜被配置成响应于致动器材料的激活经历位置变化；以及在沿着晶片的第一表面的各位置处经由预定激活刺激来激活致动器膜中的致动器材料，并在致动器膜内产生应力，该应力修正晶片的形状。

2、本披露内容附加地涉及一种加工衬底的方法，该方法包括接收晶片，该晶片在晶片的第一表面上包括第一结构，该晶片包括一定形状；生成晶片的形状变形应力图并且确定第一结构的位置处的应力；在第一结构上形成致动器膜，该致动器膜包括致动器材料，致动器膜对预定激活刺激敏感，致动器膜被配置成响应于致动器材料的激活经历位置变化；在第一结构的位置处经由预定激活刺激来激活致动器膜中的致动器材料，并在致动器膜内产生应力，致动器膜内产生的应力减轻了第一结构的位置处的应力；以及从晶片的第一表面移除具有形成在其上的激活的致动器膜的第一结构。

3、注意，本
技术实现要素：
部分并未指明本披露内容或要求保护的发明的每个实施例和/或递增的新颖方面。相反，本发明内容仅提供了对不同实施例以及新颖性对应点的初步讨论。对于本发明和实施例的附加细节和/或可能的观点，读者被引导到如下文进一步讨论的本披露内容的具体实施方式部分和对应附图。

技术特征：

1.一种加工衬底的方法，该方法包括：

2.如权利要求1所述的方法，其中，该第一表面是该晶片的背面表面，并且该第二表面包括至少部分地形成的结构。

3.如权利要求1所述的方法，其中，该第一表面包括至少部分地形成的结构并且与背面表面相反。

4.如权利要求3所述的方法，其中，该致动器膜形成在该至少部分地形成的结构的每个结构之间。

5.如权利要求3所述的方法，其中，该致动器膜沿着包括该至少部分地形成的结构的区域的周边形成。

6.如权利要求1所述的方法，其中，激活该致动器膜中的致动器在该致动器膜中产生压缩应力。

7.如权利要求1所述的方法，其中，激活该致动器膜中的致动器材料在该致动器膜中产生拉伸应力。

8.如权利要求1所述的方法，其中，该致动器膜包括第一致动器材料的第一层以及第二致动器材料的第二层。

9.如权利要求8所述的方法，其中，该第一致动器材料的第一层响应于与该第二致动器材料的第二层不同的预定激活刺激。

10.如权利要求8所述的方法，其中，该第一致动器材料的第一层提供压缩应力并且该第二致动器材料的第二层提供拉伸应力。

11.如权利要求1所述的方法，其中，该致动器膜包括第一致动器材料以及第二致动器材料，该第一致动器材料响应于与该第二致动器材料不同的预定激活刺激。

12.如权利要求1所述的方法，其中，激活该致动器膜中的该致动器材料包括使用直写式系统将该第一表面曝光于曝光的图案。

13.如权利要求1所述的方法，其中，在该晶片的第一表面上形成致动器膜进一步包括

14.如权利要求13所述的方法，其中，激活该致动器膜中的该致动器材料进一步包括

15.如权利要求13所述的方法，其中，沿着第一方向对该第一致动器材料的该第一层预加应力，并且沿着第二方向对该第二致动器材料的第二层预加应力，该第一方向与该第二方向未对齐。

16.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

17.如权利要求1所述的方法，其中，

18.如权利要求1所述的方法，其中，在沿着该晶片的第一表面的各位置处经由该预定激活刺激来激活该致动器膜中的致动器材料是基于该晶片的晶片形状变形应力图。

19.如权利要求18所述的方法，其中，该晶片形状变形应力图指示在沿着该晶片的第一表面的各坐标位置上要减轻的应力值。

20.一种加工衬底的方法，该方法包括：

技术总结
本文的技术包括用于在晶片的背面上涂覆单层致动器膜或多层致动器膜的方法。致动器膜包括一个或多个化学致动器。化学致动器是各种分子、晶体、化合物和其他化学成分，它们能够响应于施加在化学致动器上的外部刺激来施加定向应力。外部刺激可以包括特定波长的光或偏振光，或热量(或定向红外辐射)，或是载荷，其中可以包括载荷响应致动或压力响应致动。

技术研发人员：夏洛特·库特勒,迈克尔·墨菲,安东尼·舍皮斯
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/3/4