半导体装置的制作方法

本公开涉及一种半导体装置，特别涉及具备基板以及与基板接合的引线的半导体装置。

背景技术：

1、专利文献1公开了半导体装置的一例。该半导体装置具备散热部件、与散热部件接合的引线、以及与引线接合的半导体元件。引线具有接合有半导体元件的岛部以及与岛部相连的端子部。进而，该半导体装置具备介于散热部件与岛部之间的粘接层。因此，引线经由粘接层与散热部件接合。

2、在专利文献1所公开的半导体装置中，由于从半导体元件发出的热，引线发生热膨胀/热收缩。其中，引线的线膨胀系数比散热部件的线膨胀系数大，因此引线产生热应变。由此，在散热部件与引线的接合界面产生热应力。在该情况下，在引线产生的热应变容易集中于岛部与端子部的边界。因此，在位于离该边界最近的散热部件的区域中，龟裂容易从接合层的周缘向散热部件的内部传播。若龟裂的传播进展，则散热部件有可能断裂。因此，期望采取抑制传播到散热部件的龟裂的产生的对策。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2014-207430号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、本公开鉴于上述情况，其一个课题在于提供一种半导体装置，其能够抑制从基板与引线的接合界面向基板传播的龟裂的产生。

3、用于解决课题的方案

4、由本公开提供的半导体装置具备：基板，其具有朝向厚度方向的主面；引线，其具有与所述基板接合的芯片焊盘部、以及与所述芯片焊盘部相连的端子部；半导体元件，其与所述芯片焊盘部接合；以及接合层，其介于所述主面与所述芯片焊盘部之间。所述主面具有沿与所述厚度方向正交的第一方向延伸的第一边、以及沿与所述厚度方向以及所述第一方向正交的第二方向延伸的第二边。在所述厚度方向上观察时，所述端子部相对于所述第一边向所述主面的外侧突出。从所述第一边到所述接合层的周缘的所述第二方向的距离比从所述第二边到所述接合层的周缘的所述第一方向的距离短。

5、发明效果

6、根据本公开的半导体装置，能够抑制从基板与引线的接合界面向基板传播的龟裂的产生。

7、本公开的其他特征以及优点通过基于附图在以下进行的详细的说明而变得更加明确。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

13.根据权利要求8至12中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

14.根据权利要求1至13中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，

16.根据权利要求1至15中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

17.根据权利要求16所述的半导体装置，其特征在于，

技术总结
半导体装置具备基板、引线、半导体元件以及接合层。所述基板具有朝向厚度方向的主面。所述引线具有与所述基板接合的芯片焊盘部、以及与所述芯片焊盘部相连的端子部。所述半导体元件与所述芯片焊盘部接合。所述接合层介于所述主面与所述芯片焊盘部之间。所述主面具有沿与所述厚度方向正交的第一方向延伸的第一边、以及沿与所述厚度方向以及所述第一方向正交的第二方向延伸的第二边。在所述厚度方向上观察时，所述端子部相对于所述第一边向所述主面的外侧突出。从所述第一边到所述接合层的周缘的所述第二方向的距离比从所述第二边到所述接合层的周缘的所述第一方向的距离短。

技术研发人员：木村明宽
受保护的技术使用者：罗姆股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/10