1.基于电热耦合和混合电磁耦合的双频带自封装滤波结构，其特征在于，包括：介质基板(11)、上层金属板(12)、金属地板(13)；所述的上层金属板(12)和金属地板(13)分别覆在介质基板(11)的正反两面；在上层金属板(12)的四周均匀开设有矩形金属化过孔阵列(71)，在上层金属板(12)的中部从上到下依次布置有：第一直线型双排金属化过孔阵列(72)、第一混合电磁耦合结构(21)、第二直线型双排金属化过孔阵列(73)、第二混合电磁耦合结构(31)、第一直线型双排金属化过孔阵列(72)；所有的金属化过孔均贯穿介质基板(11)，将上层金属板(12)与金属地板(13)连接；
2.根据权利要求1所述的基于电热耦合和混合电磁耦合的双频带自封装滤波结构，其特征在于，所述的第一siw矩形腔(61)和第二siw矩形腔(62)的te101模式下射频信号具有四条传输路径：
3.根据权利要求2所述的基于电热耦合和混合电磁耦合的双频带自封装滤波结构，其特征在于，所述的第一siw矩形腔(61)和第二siw矩形腔(62)的te201模式下射频信号具有四条传输路径：
4.根据权利要求3所述的基于电热耦合和混合电磁耦合的双频带自封装滤波结构，其特征在于，所述的第一混合电磁耦合结构(21)包括：两个第一扇形金属化过孔阵列(74)、第一矩形贴片(211)、第一非对称共面波导(212)、第二非对称共面波导(213)；两个所述的第一扇形金属化过孔阵列(74)将第一矩形贴片(211)半包围起来；所述的第一矩形贴片(211)的四周开设有槽，第一矩形贴片(211)中央沿着y轴方向开设有第一矩形槽(214)，所述的第一非对称共面波导(212)、第二非对称共面波导(213)分别连接在第一矩形贴片(211)的左右两侧；所述的第一矩形贴片(211)的上下两端被两个第一扇形金属化过孔阵列(74)半包围起来，第一矩形贴片(211)的中心与第一扇形金属化过孔阵列(74)的两端形成扇形的夹角为θ1。
5.根据权利要求3所述的基于电热耦合和混合电磁耦合的双频带自封装滤波结构，其特征在于，所述的第二混合电磁耦合结构(31)包括：两个第二扇形金属化过孔阵列(75)、第二矩形贴片(311)、第三非对称共面波导(312)、第四非对称共面波导(313)；两个所述的第二扇形金属化过孔阵列(75)将第二矩形贴片(311)半包围起来；所述的第二矩形贴片(311)的四周开设有槽，第二矩形贴片(311)中央沿着y轴方向开设有第二矩形槽(314)，所述的第三非对称共面波导(212)、第四非对称共面波导(213)分别连接在第二矩形贴片(311)的左右两侧；所述的第二矩形贴片(311)的上下两端被两个第二扇形金属化过孔阵列(75)半包围起来，第二矩形贴片(311)的中心与第二扇形金属化过孔阵列(75)的两端形成扇形的夹角为θ2。
6.根据权利要求4所述的基于电热耦合和混合电磁耦合的双频带自封装滤波结构，其特征在于，所述的第二传输路径的磁耦合路径由第一扇形金属化通孔感性耦合窗口(402)提供，磁耦合路径的耦合强度由第一矩形贴片(211)的中心与第一扇形金属化过孔阵列(74)的两端形成扇形的夹角为θ1控制，当θ1增大时磁耦合路径中的耦合强度减弱；第三传输路径的电耦合路径由第一矩形槽电耦合窗口(403)提供，电耦合路径的耦合强度由第一矩形槽(214)的槽宽d1控制，当d1减小时，电耦合路径中的耦合强度增强。
7.根据权利要求5所述的基于电热耦合和混合电磁耦合的双频带自封装滤波结构，其特征在于，所述的第六传输路径的磁耦合路径由第二扇形金属化通孔感性耦合窗口(406)提供，磁耦合路径的耦合强度由第二矩形贴片(311)的中心与第二扇形金属化过孔阵列(75)的两端形成扇形的夹角为θ2控制，当θ2增大时磁耦合路径中的耦合强度减弱；所述的第七传输路径的电耦合路径由第二矩形槽电耦合窗口(407)提供，电耦合路径的耦合强度由第二矩形槽(314)的槽宽d2控制，当d2减小时，电耦合路径中的耦合强度增强。
8.根据权利要求7所述的基于电热耦合和混合电磁耦合的双频带自封装滤波结构，其特征在于，所述的混合电磁耦合结构产生通带所需的传输极点的频率由下述公式确定：
9.根据权利要求8所述的基于电热耦合和混合电磁耦合的双频带自封装滤波结构，其特征在于，所述的第一siw矩形腔(61)和第二siw矩形腔(62)的te101模式和te201模式的工作频率与siw矩形腔的长与宽相关，其不同模式的工作频率由下述公式确定：