集成电路装置的制作方法

公开涉及一种集成电路装置，更具体地，涉及一种具有电力传输网络(powerdelivery network，pdn)的集成电路装置。

背景技术：

1、随着电子技术的发展，集成电路装置的小型化正在迅速发展。为了有效地将电力传输到高度集成的电路装置，已经提出了具有pdn的集成电路装置。

技术实现思路

1、公开提供了一种具有能够在高度集成的电路装置中可靠地传输电力的电力传输网络(pdn)的集成电路装置。

2、公开提供了以下集成电路装置。

3、根据公开的一方面，提供了一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：基底，具有彼此相对的前表面和后表面以及在前表面中由沟槽限定的鳍式有源区；器件分隔层，填充沟槽；源极/漏极区，在鳍式有源区上；第一导电插塞，布置在源极/漏极区上并电连接到源极/漏极区；电力布线，至少部分地布置在基底的下表面上；掩埋轨道，穿过器件分隔层连接到电力布线，并且掩埋轨道的水平宽度朝向电力布线减小；以及电力过孔，将掩埋轨道连接到第一导电插塞。

4、根据公开的另一方面，提供了一种集成电路装置，所述集成电路装置包括基底，具有彼此相对的前表面和后表面以及在前表面中由沟槽限定的鳍式有源区；器件分隔层，填充沟槽；源极/漏极区，在鳍式有源区上；多个栅电极，延伸以与鳍式有源区交叉；栅极间绝缘层，覆盖源极/漏极区并填充在所述多个栅电极之间；第一导电插塞，布置在源极/漏极区上并且电连接到源极/漏极区；电力布线，至少部分地布置在基底的下表面上；第一电力孔，穿过器件分隔层；第一绝缘阻挡件，以第一厚度覆盖第一电力孔的内侧表面；掩埋轨道，被第一绝缘阻挡件围绕并且电连接到电力布线；第二电力孔，穿过栅极间绝缘层；第二绝缘阻挡件，以第二厚度覆盖第二电力孔的内侧表面，第二厚度小于第一厚度；以及电力过孔，被第二绝缘阻挡件围绕并且将掩埋轨道连接到第一导电插塞。

5、根据公开的另一方面，提供了一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：基底，具有彼此相对的前表面和后表面以及在前表面中由沟槽限定的鳍式有源区；器件分隔层，填充沟槽；源极/漏极区，在鳍式有源区上；多个栅电极，延伸以与鳍式有源区交叉；栅极间绝缘层，覆盖源极/漏极区并填充在所述多个栅电极之间；第一导电插塞，布置在源极/漏极区上并且电连接到源极/漏极区；电力布线，至少部分地布置在基底的下表面上；第一电力孔，穿过器件分隔层；第一绝缘阻挡件，以第一厚度覆盖第一电力孔的内侧表面；掩埋轨道，被第一绝缘阻挡件围绕并且电连接到电力布线；第二电力孔，穿过栅极间绝缘层；第二绝缘阻挡件，以第二厚度覆盖第二电力孔的内侧表面，第二厚度小于第一厚度；以及电力过孔，被第二绝缘阻挡件围绕，将掩埋轨道连接到第一导电插塞，并且电力过孔的水平宽度朝向掩埋轨道减小，其中，掩埋轨道的水平宽度和电力布线的水平宽度朝向彼此减小。

技术特征：

1.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，电力布线的水平宽度朝向掩埋轨道减小。

3.根据权利要求1所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括：

4.根据权利要求3所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括：

5.根据权利要求4所述的集成电路装置，其中，第一电力孔的最上端的宽度大于第二电力孔的最下端的宽度。

6.根据权利要求4所述的集成电路装置，其中，掩埋轨道的最上端的宽度等于或小于电力过孔的最下端的宽度。

7.根据权利要求4所述的集成电路装置，其中，第一电力孔的内侧表面上的第一绝缘阻挡件的厚度大于第二电力孔的内侧表面上的第二绝缘阻挡件的厚度。

8.根据权利要求4所述的集成电路装置，其中，电力过孔从第二电力孔延伸到第一电力孔中。

9.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，掩埋轨道和电力布线一体地形成为单一体。

10.根据权利要求1所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括：

11.根据权利要求10所述的集成电路装置，其中，掩埋轨道、贯通电极和电力布线一体地形成为单一体。

12.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：

13.根据权利要求12所述的集成电路装置，其中，第一电力孔和第二电力孔中的每个电力孔具有其水平宽度在竖直方向上从其上侧朝向其下侧减小的锥形形状。

14.根据权利要求13所述的集成电路装置，其中，掩埋轨道的水平宽度和电力布线的水平宽度朝向彼此减小，并且掩埋轨道和电力布线彼此一体地形成为单一体。

15.根据权利要求12所述的集成电路装置，其中，掩埋轨道的最上端的所有部分与电力过孔的最下端的部分接触。

16.根据权利要求12所述的集成电路装置，其中：

17.根据权利要求12所述的集成电路装置，其中：

18.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：

19.根据权利要求18所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括：

20.根据权利要求18所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括：

技术总结
提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：基底，具有彼此相对的前表面和后表面以及在前表面中由沟槽限定的鳍式有源区；器件分隔层，填充沟槽；源极/漏极区，在鳍式有源区上；第一导电插塞，布置在源极/漏极区上并电连接到源极/漏极区；电力布线，至少部分地布置在基底的下表面上；掩埋轨道，穿过器件分隔层连接到电力布线，并且掩埋轨道的水平宽度朝向电力布线减小；以及电力过孔，将掩埋轨道连接到第一导电插塞。

技术研发人员：车承珉,宋昇珉,金荣佑,金珍圭,刘素罗,李南玹,李城门
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/2/6